Aug22模電學習打卡, 有兩三天沒進行模電打卡了, 最近時間管理的不是很到位, 分配到其他科目的時間多了, 主要目標院校的專業(yè)課相對較簡單, 加之之前有學過, 所以專業(yè)課的學習時間最近會少點, 等之后會加大專業(yè)課的學習時間。今天看的是結(jié)型場效應管的結(jié)構(gòu)和工作原理, 因為考綱只對結(jié)型和MOS場效應管的工作原理和應用場合有要求, 這章有這個要求, 基本是做個大概理解, 感覺挺多院校對場效應管的要求都不是很高。場效應管的工作原理感覺有一絲跟半導體物理那時候?qū)W的相像, 所加入的柵源電壓為負電壓, 反向, 從而能夠?qū)ζ錅系肋M行控制, 因為正向就導通了, 不方便控制, 而漏源之間則是加入正向電壓, 先討論在vGS對于溝道和iD的控制作用, 再討論vDS對iD的控制作用, 老師這里講的很詳細, 而且通俗易懂, 我也不過贅述了, 場效應管是單極型晶體管, 由其中一種載流子工作, 而且是用電壓控制電流的, 這里跟三極管是剛好反過來, 三極管是雙極性, 電流控制電流, 場效應管的主要特點就是其輸入電阻非常高。共勉

Aug23模電學習打卡, 今天學習的是MOS場效應管, 跟昨天的JFET結(jié)型場效應管一樣, 考綱都只是作為理解即可, 這章節(jié)只要求MOSFET與JFET的工作原理及應用場合, 因為目前時間只剩122天了, 所以得根據(jù)考綱選擇性的進行學習, 雖然我很想完整的學完老師的課程! MOS場效應管在上學期的半導體物理與器件課程中也有接觸, 那時候是作為微觀去學習, 當然過了一兩個月了, 基本不記得了, 但是今天聽老師講解, 也能夠迅速反應過來, MOS的輸入電阻比JFET的輸入電阻還要高, 增強型的場效應管在vGS=0時, 沒有導電溝道, 只有在到達vT開啟電壓時, 才會出現(xiàn)溝道, 至于是什么溝道, 則要看屬于哪種類型了, 耗盡型則正好相反, 在沒有vGS=0時, 溝道已經(jīng)存在了, 而在達到vP夾斷電壓時會關閉溝道, 這里的耗盡型與之前的JFET結(jié)型相似, 都是在未加電壓前已經(jīng)存在溝道了, 可以結(jié)合起來記憶學習。還有個需要關注的就是輸出特性和轉(zhuǎn)移特性, 場效應管共可分為六種不同類型, 這個輸出特性和轉(zhuǎn)移特性可以自己畫一下, 也對理解工作原理有所幫助, 具體六個特性表格在書本145頁(康華光第六版)。 共勉

Aug24模電學習打卡, 今天學習的內(nèi)容是第七章模擬集成電路中的第一節(jié), 關于模擬集成電路的偏置技術(shù), 主要利用的是電流源電路。劉老師主要是講解了BJT電流源, 之所以用電流源是因為集成電路中不易出現(xiàn)大電阻, 從而利用FET或BJT來構(gòu)成電流源電路, 需注意, 電流源電路并非放大電路, 不能用來放大信號, 只是一單口網(wǎng)絡。老師主要講解的電路有: 鏡像電流源, 高精密電流源, 微電流源, 比例電流源。其中單純的鏡像電流源誤差相對較大, 而使用高精密電流源, 將使誤差大大減少, 而要減少電流, 則要對電流源進行改造, 也就有了后面的微電流源, 比例電流源等等, 電流源的主要特點是: 等效電阻非常大, 可代替大電阻。今天這個屬于理解要求, 并不做過多的計算要求。 共勉

Aug25模電學習打卡, 今天學習的內(nèi)容是零點漂移的抑制和基本差分放大電路, 電路之間耦合方式主要有直接耦合和阻容耦合, 而在阻容耦合的時候不需要考慮零點漂移的情況, 因為有電容的存在, 微弱的信號不波動不會對輸出有影響, 但是現(xiàn)在要討論的是在集成電路中, 不適合使用阻容耦合, 只能用直接耦合, 而由于溫度的影響, 即使在沒有外加信號的情況下, 也會對輸出有影響, 即輸出電壓偏離原來的起始點而上下飄動, 這是我們所不希望的, 所以引入了差分式結(jié)構(gòu)電路, 選用兩只特性全同的BJT, 電路參數(shù)對稱, 工作原理是在外界產(chǎn)生如溫度等影響的時候, 輸出端的電位兩端可以看作是同步增加的, 所以輸出信號電壓也為0, 相當于沒有發(fā)生變化。這種外界信號所引起的就稱之為共模信號, 其大小相等, 極性相同, 而我們要對有用信號進行放大, 則需要加入大小相同, 極性相反的信號, 也就是差模信號, 當然在實際應用中, 很難做到Uc1和Uc2的值完全相同, 此時就會產(chǎn)生誤差, 則要在發(fā)射極加入電阻Re, 此時放大倍數(shù)下降, 其Uc1和Uc2之間的差值就相對之前小很多了。 基本放大電路分析與三極管BJT的分析類似, 但又不完全相同, 也是靜態(tài)分析, 此時需注意Ib1計算時, 分母的(1+β)是*2Re的, 這是因為Re上的電流是Ie1的兩倍, 分析時更多討論的是Vc1的電位, 在RL的兩端是等電位的, RL上是沒有電流的, 所以Vc1=Vcc-Ic1*Rc; 接著是動態(tài)分析, 差模電壓放大倍數(shù)Aud中的分母是沒有(1+β)*Re, 因為在差模時Re兩端是沒有電流流過的(因為抵消了), 共模電壓放大倍數(shù)接近于0, 共模抑制比則接近無窮大, 差模輸入電阻Rid=2(Rb+rbe), 共模輸入電阻Ric=1/2【Rb+rbe+(1+β)*2Re】, 輸出電阻Ro=2Rc。 今天先到這里, 共勉

Aug26模電學習打卡, 今天學習的內(nèi)容是45-46的差分放大電路的輸入輸出方式, 還有帶恒流源差分放大電路,?雙端輸入雙端輸出就是上節(jié)課所講的基本差分放大電路, 那是最標準的電路, 相對來說簡單許多。對于單端輸入, 雙端輸出來說, 其靜態(tài)參數(shù)計算和動態(tài)參數(shù)計算與雙端輸入雙端輸出相類似, 基本相等, 而當單端輸出的時候, 就有所區(qū)別了, 計算量還大了許多, 在計算Vc1時, 需要考慮輸出電阻的存在, 雙端的時候其兩端電位相等, 所以相當于沒有電流, 而現(xiàn)在不一樣了, 需要考慮進去, 則需要列出電流分流的方程, 從而計算出Vc1, 在動態(tài)時, 差模電壓放大倍數(shù)Aud單是雙端輸出的差模放大倍數(shù)的一半, 而共模放大倍數(shù)Auc單不再為0, 需要考慮Re的存在, 則在分母要加上(1+β)*2Re, 共模抑制比也有所變化, 不再趨近于∞, 但是當Re很大的時候, 共模抑制比也很大, 輸入電阻同雙出, 而輸出電阻則只有一個Rc了, 因為是單端輸出。當增大Re時, 能夠減小共模放大倍數(shù), 提高共模抑制比, 但是不能提高到很大, 因為當Re特別大時, Ic的電流就相當小了, 這是我們不想看到的, 這時候就引入了帶恒流源差分放大電路, 利用恒流源來代替Re, 當然也可以用類似于分壓式偏置電路代替, 因為它也是能夠穩(wěn)定電流, 提供大電阻。 今天先到這, 共模[抱拳]