前言：

好電腦的標準是什么？我相信多數(shù)人會先把旗艦、發(fā)燒級別的排除在外，畢竟這不符合一般人的消費習慣。好用的個人定義就是在預算內(nèi)發(fā)揮出硬件應有的全部性能，讓付出物有所值。那么，最新的十三代酷睿平臺如何搭配呢？DDR5和DDR4怎么選？

我直接說結論吧，除非你手上有四條DDR4 3600以上的內(nèi)存，又剛需64GB大容量內(nèi)存的，其他都建議上DDR5。一方面DDR5較DDR4性能有所提升，另外一方面是現(xiàn)在主流的DDR5價格合理，而且再往后的基本上就是DDR5的天下了，再投資DDR4不劃算。

硬件篇：

以我手上的i5 13400F處理器為例，怎樣的平臺更加合適?首先Z790就毫無必要了，畢竟沒有多大可能玩第二塊顯卡，更加沒有超頻CPU的條件和必要。

其次，高素質(zhì)的B760主板用料、做工、功能、接口方面基本上滿足游戲玩家與設計師的要求。

因此我選擇了下面的配置：

CPU: i5 13400F

主板：技嘉B760M Aorus Elite AX 小雕WIFI

內(nèi)存：光威 天策 DDR5 6400

硬盤：金百達KP260 2TB

顯卡：影馳 RTX2060super

散熱器：240水冷

電源：額定850W

機箱：雙側透半塔機箱

主板我選擇的是技嘉主打電競玩家市場的B760小雕WIFI，和過往雕牌主板一樣，大面積的散熱覆蓋和堆料的特性都讓B760小雕WIFI單在供電、用料方面反超部分丐版的Z790了。

技嘉的主板基本上分為四個系列，Aorus系列、AERO系列、gaming系列、ULTRA DURABLE超耐久系列，簡單來說定位和價格是成正比的。要是一般家庭用戶或者是商務裝機的話，ULTRA DURABLE超耐久系列就綽綽有余了。

技嘉B760M 小雕WIFI給到了12+1+1相數(shù)字供電，每相供電均采用全數(shù)字電路設計，并且針對部分電力供給涉及大電流的支持，還在供電元件組合中使用到60A的DrMOS元件，搭配8+4Pin CPU輔助供電，足以駕馭酷睿i9 13900。搭配采用復合式剖溝設計的銀色全覆蓋金屬散熱馬甲，能夠保證CPU高性能釋放的穩(wěn)定性。

PWM控制器為NCP81530R，14相核心供電采用DrMOS設計，型號為NCP302155，能單相輸出60A的電流。

小雕WIFI搭載了了4根DDR5內(nèi)存插槽，采用內(nèi)存抗干擾遮罩和優(yōu)化的菊鏈式布線專屬設計，內(nèi)存頻率能突破DDR5-7600，支持XMP 3.0。

不單單MOS供電，內(nèi)存供電用料也是非常強悍的。其實不僅僅內(nèi)存供電和CPU供電是采用固態(tài)電容，基本上全主板都是用固態(tài)電容的。

而且內(nèi)存供電和MOS供電的模塊是接近的，同樣是全封閉的電感，60A的DrMOS元件。

上下橋供電部分采用1上兩下設計，上橋4C10N，下橋B20P03，其中上橋最大電流44A，下橋采用的也是主板制作中的常備元件。

B760M小雕WIFI一共提供了兩條PCI-E板卡插槽，其中靠近CPU插槽區(qū)域一側的是采用了金屬加固以及加大型板卡尾扣設計的銀白色插槽，為PCI-E4.0 x16速率設計。另外一條PCI-E插槽則是普通非金屬加固設計，速率僅為PCI-E4.0 x4。

如果是上一代酷睿發(fā)布的時候，大家還會在DDR4和DDR5內(nèi)存之間左右為難的話，現(xiàn)在就根本不需要折騰，直接上個高性價比的DDR5就結了。

我選擇的內(nèi)存是來自于光威的天策系列，嚴選了目前性能極好的 海力士A-die H5CG48AGBD內(nèi)存顆粒，一共有8顆，均為單顆2Gb bit顆粒，共計16GB的容量。內(nèi)置PMIC電源管理芯片的加入更有助于保持數(shù)據(jù)完整性，兼容市面主流主板，從而進一步提升了高強度持續(xù)工作的穩(wěn)定性。

光威（Gloway）天策系列DDR5內(nèi)存條采用了簡潔的包裝風格，透明塑料硬殼外盒完全將主品包裹并有獨立的密封蓋，起到保護作用，有效的避免運輸途中的磕碰。正面用白色貼紙印制了品牌名稱和產(chǎn)品參數(shù)特點以及廠家信息。

DDR4向DDR5過渡就好像燃油車走向夕陽一樣是不可逆的，而DDR5從4800 MHz起跳遠遠超出DDR4的3200 MHz，而且DDR5內(nèi)存支持XMP 3.0 和EXPO Flavors的自動超頻，在不花一分錢的情況下，提升內(nèi)存的頻率，增加電腦的性能。

光威一直都是裝機配置單上面的常客，光我們單位就是三代同堂，從DDR3到DDR5均有光威的產(chǎn)品在用，年底可能視頻組的機器也會一口氣升級全部14代酷睿+DDR5內(nèi)存，值得期待。

這次并沒有選擇燈條，主要是看中了光威天策系列采用的顆粒不錯的說，而且不少玩家超頻的體驗都挺好的。

光威（Gloway）天策DDR5系列內(nèi)存條采用了更為穩(wěn)定單面顆粒設計，外部用厚厚的白色散熱馬甲包裹，背面粘貼了參數(shù)貼紙，從參數(shù)可以了解為單條16g的DDR5內(nèi)存，默認頻率4800MHz，XMP 3.0頻率可以達到6000 MHz，時序30-36-36-77。1.35V工作電壓降低內(nèi)存工作產(chǎn)生的熱能。

光威（Gloway）天策內(nèi)存的金手指為標準的DDR5的288個，表面鍍金，不過看上去不是平滑的直線，這可不是質(zhì)量問題，而是從DDR4內(nèi)存將不再是直的，而是呈彎曲狀。底部缺口(防呆口)的位置也再次調(diào)整，現(xiàn)在位于接近中心位置。因此DDR5與DDR4無法通用。

市面上支持DDR5的平臺主要有三個，Intel的酷睿12、13代以及AMD 新銳龍7000系列，酷睿12、13是可選支持DDR5兼容DDR4，但AMD新銳龍就變成了必選。因此，對于近期考慮裝一套銳龍新平臺的機器，光威天策可以考慮。

從實際上機來看，我手上三套平臺，包括了酷睿i9 12900k+技嘉B760小雕、酷睿i5 13400F+技嘉B760小雕、AMD 銳龍5 7600X+技嘉X760小雕都是一次點亮，直接進入系統(tǒng)。

上機體驗篇：

受限于時間關系，這次先采用Intel 13代酷睿平臺測試，具體配置如下：

開機就是直接點亮，不過第一次運行的時候，建議先進BIOS，要不就浪費了?？梢钥吹?，默認還沒有設置的時候，僅僅運行在非常保守的4800Hz頻率上面，這也是系統(tǒng)常規(guī)保護而已。

接著我們當然就是打開了XMP的設置，不打開的話好端端的高頻內(nèi)存就廢了。有意思的是，光威天策支持XMP和EXPO兩種預設，而且分別提供了6400和6000兩組。

Intel在2007年就提出了XMP，利用SPD芯片空余的空間，寫下2組額外的部分內(nèi)存參數(shù)，作為JEDEC參數(shù)的補充，使得內(nèi)存廠商可以特挑一些內(nèi)存作為更高頻率的預設寫入XMP里面，用戶在使用的時候只要搭配支持的CPU和主板，就可以一鍵超頻輕松使用。隨著十幾年來的發(fā)展，XMP已經(jīng)進化到了3.0標準，支持更多的配置、更復雜的參數(shù)以及電壓設定，確實給用戶帶來了實實在在的方便。

EXPO是AMD銳龍平臺專用的內(nèi)存超頻標準，使用銳龍平臺超頻內(nèi)存最好選擇支持EXPO標準的內(nèi)存產(chǎn)品。EXPO的內(nèi)存參數(shù)是專門為銳龍CPU進行優(yōu)化的，銳龍平臺也可以使用XMP內(nèi)存，但是使用EXPO內(nèi)存時性能更好。頻率是第一要務，然后才是延遲，相近參數(shù)下AMD平臺優(yōu)先選擇EXPO內(nèi)存。

我的是intel平臺，當然是開XMP好了，而且6400的內(nèi)存小參居然和6000的一樣，當然了就是選用最高的那個啊。

不多說，馬上開始測試。

1、super PI 400萬與800萬位測試

現(xiàn)在的CPU性能早就已經(jīng)可以滿足百萬位8秒左右的水準，再去測試這個意義不大，因此特意挑戰(zhàn)一下更高層次的。I5 13400F搭配光威天策DDR5 6400內(nèi)存，在400萬位和800萬位測試分別取得了35.613秒和1分19.752秒的成績。

2、Cinbench 專業(yè)渲染多核多線程性能測試

不得不承認，對于商務辦公、家用娛樂的人（非大型游戲玩家）來說cpu性能真的是過剩了，而真正能體驗CPU和新平臺多核心多線程優(yōu)勢的還是在視頻編輯和渲染方面。

其中Cinbench在業(yè)界認可度和使用方面都不錯，但是不同版本的測試不能橫比，因為渲染的內(nèi)容和算法完全不一樣。

I5 13400F搭配光威天策DDR5 6400內(nèi)存，在cinbenchR15和R15的多核多線程性能測試分別取得了2347和6080的成績。

3、X264 benchmark 視頻轉(zhuǎn)碼測試

現(xiàn)在玩vlog，玩視頻內(nèi)容創(chuàng)作的朋友越來越多，甚至不少朋友從創(chuàng)作中獲得收益，因此視頻轉(zhuǎn)碼輸出性能也是不少朋友關心的。雖然說現(xiàn)在的顯卡能通過通用計算實現(xiàn)硬件加速，但只能部分操作和部分編碼支持，視頻編輯的話，基本上還是CPU的一言堂。

I5 13400F搭配光威天策DDR5 6400內(nèi)存，在X264 benchmark測試中的得分是72.6幀。

4、3Dmark CPU多核心多線程性能測試

3Dmark其實是一個綜合性測試的測試軟件，不僅僅能測試顯卡，還能測試CPU、硬盤。CPU Profile就是測試CPU多線程性能的，I5 13400F搭配光威天策DDR5 6400內(nèi)存，在最大線程測試中的得分是7419分。

5、AIDA64 內(nèi)存性能測試

AIDA64測試就不用介紹了，I5 13400F搭配光威天策DDR5 6400內(nèi)存獲得了89862分。

優(yōu)化性能提升篇：

雖然說，光威天策有著不俗的超頻能力，我也是看中這一點入手的，考慮到并不是所有玩家的動手能力和時間可以滿足，因此特意把技嘉主板十三代酷睿平臺主板上面的福利先給大家發(fā)一下。

技嘉主板自帶的福利在BIOS里面，要先開機按DEL進入BIOS，在頻率/電壓控制界面，里面有三項福利，分別是DDR5自動超頻、High Bandwidth、Low lateecy。這三項默認都是自動的，但只有手動選擇啟動才能真正生效。

DDR5自動超頻，并不是直接拉高頻率，而是自動優(yōu)化參數(shù)；Low Latency（低延遲）和High Bandwidth（高帶寬）技術來獲得更高的帶寬以及延遲表現(xiàn)。

不多說，全部開啟，一起來看看結果吧。

Super PI 測試，400萬位測試從35.613秒提高到35.426秒，800萬位測試從1分19.752秒提高到了1分18.424秒。

Cinbench R15的成績基本上沒有變化，但R20從6080提升到了6093。

性能有小幅度提高，主要就是來自于DDR5 自動產(chǎn)品的技術以及相關的優(yōu)化。我們可以看到，打開了技嘉的三個福利設置后，內(nèi)存讀取從89862提高到了93936，延遲同樣是72ns?？赡苁且驗樘觳弑旧淼膮?shù)不錯，優(yōu)化后提升并不算太過于明顯。

超頻與建議篇：

技嘉小雕AX主板還支持針對不同顆粒的內(nèi)存進行選擇性超頻，在BIOS中預設了海力士、鎂光和三星三款品牌的內(nèi)存顆粒參數(shù)，我們只要根據(jù)選擇海力士的6400頻率即可，不用手動調(diào)節(jié)，就可以運行在6400頻率，此時時序為42-42-42-84電壓1.45V,此時內(nèi)存讀取速度達到82680MB/s，此時內(nèi)存的延時為72ns,性能再次提升高達23%。通過MemTest軟件對內(nèi)存的穩(wěn)定性進行測試，內(nèi)存經(jīng)過長時間的烤機依然保持穩(wěn)定。

可惜光威天策本身的頻率和參數(shù)都挺高，這些就用不上了，我們馬上進入高階模式。

如果對于參數(shù)比較保守的內(nèi)存，我建議直接拉內(nèi)存頻率，讓主板的自動超頻試試，不少一線主板都有類似的功能。不過光威天策出廠就“優(yōu)化”到一定程度，試過直接拉6800不能進入系統(tǒng)。

只能手動調(diào)節(jié)一下參數(shù)，內(nèi)存參數(shù)每一代都有一定的變化，但主要是四個小參為主，而其他的高階玩法，受限于精力就沒有深入去研究了。

CAS延遲、tRCD、tRP、tRAS這四個參數(shù)比較重要，手動調(diào)節(jié)前三個，內(nèi)存小超到6600，小參為38-42-42-80，當然了這是沒有調(diào)節(jié)電壓的小超，畢竟我手上的CPUi5 13400F先天就不適合超頻。

貌似是Intel所有non-K的處理器都鎖定了VCCSA電壓，中文界面名為“CPU系統(tǒng)代理電壓”），這個電壓是處理器SA模塊的電壓，略微加一點可以提高高頻IMC的穩(wěn)定性，一般1.1V左右就足夠了，不要超過1.2V，VCCSA電壓加太多反而會不穩(wěn)定。

接著在DRAM Voltage Control有兩項電壓，分別是VDDQ和VDD2，這是關于處理器內(nèi)存控制器的電壓，前者可以理解為內(nèi)存控制器向處理器對接的內(nèi)部接口電壓，后者可以理解為內(nèi)存控制器與內(nèi)存對接的接口電壓。VDDQ電壓一般可以在1.35V到1.5V之間調(diào)整，具體數(shù)值和處理器的體質(zhì)有關。VDD2大概在1.35V附近，過高會不穩(wěn)定。

下面還有DDR5 Voltage Control，點擊進去會看到三個可以調(diào)整的電壓，分別是VDD A0、VDDQ A0和VPP。其中VDD A0和VDDQ A0可以理解為DDR4時代的內(nèi)存電壓，不過由于DDR5內(nèi)存集成了PMIC，所以內(nèi)存芯片和內(nèi)存BUS的電壓被分開成兩路，前者給內(nèi)存芯片加壓，后者給內(nèi)存I/O BUS加壓，具體電壓和芯粒有關，SK海力士A-Die最高可以嘗試加到1.5V至1.55V之間。VPP是DDR5的高電平電壓，如果VDD A0和VDDQ A0電壓加得比較多，那么就要適當加壓，一般在1.9V到2V之間。

手上的處理器并不適合超頻，最終給朋友借了一塊i7 13700k測試，極限優(yōu)化后，VDDQ和VDD2分別拉到1.4，VDD A0、VDDQ A0同時拉到1.5，而VPP加到了1.9，終于實現(xiàn)比較明顯的超頻，在7000Mhz頻率下，內(nèi)存的讀取、寫入和復制帶寬分別達到了108.42GB/S、106.14GB/S、101.73GB/s，延遲為62ns。在7600Mhz頻率下，內(nèi)存的讀取、寫入、復制分別達到了113.64GB/s、110.92GB/s、109.31GB/s，延遲降至54ns。

總結：

內(nèi)存超頻建議大家是稍微嘗試一下就好，畢竟每個處理器的imc以及主板都有一定的差異，建議超頻莫要一口氣拉太高，無論是頻率還是電壓都要遵從循序漸進的過程，而且非K的處理器被鎖定了內(nèi)存控制器的頻率，這也是Intel有意區(qū)分市場的行為。

不過，一開始以為光威天策開局就是灰燼版本，沒想到換個處理器以及優(yōu)化參數(shù)和電壓后就能超到到7600的頻率，已經(jīng)相當出乎意料的，看來我沖著A-die而去還是有收獲的。另外，對于動手能力和時間比較欠缺的朋友，建議果斷打開DDR5自動超頻、High Bandwidth、Low lateecy，在不影響電壓、穩(wěn)定性的前提下，能實現(xiàn)性能提升，確實是一個不錯的福利。