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模擬電子技術(shù)(06)PN結(jié)齊納擊穿現(xiàn)象分析 齊納擊穿與雪崩擊穿的區(qū)別是什么?

2023-07-02 09:10 作者:aex137  | 我要投稿

雪崩擊穿——齊納擊穿

效果:

穩(wěn)壓<4V,α<0(溫度越高,穩(wěn)壓越低

穩(wěn)壓>7V,α>0(溫度越高,穩(wěn)壓越高

原理:

  • 齊納擊穿
  • PN結(jié)摻雜濃度高 ->
  • 耗盡層電壓大,寬度小->
  • 小反向電壓->
  • 電子能量大->電子隧穿->電流
  • 雪崩擊穿
  • PN結(jié)摻雜濃度低?->
  • 耗盡層電壓小,寬度大->
  • 大反向電壓->
  • 電子能量大->撞破共價(jià)鍵->電流

總結(jié):

對(duì)PN結(jié)施加反向電壓,

摻雜濃度高的耗盡層窄->電子隧穿,穩(wěn)壓低。

摻雜濃度低的耗盡層寬->電子大力出奇跡,穩(wěn)壓高。

模擬電子技術(shù)(06)PN結(jié)齊納擊穿現(xiàn)象分析 齊納擊穿與雪崩擊穿的區(qū)別是什么?的評(píng)論 (共 條)

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