CINNO Research產業(yè)資訊，三星顯示正在與APS Holdings公司討論像素密度為3500PPI的FMM開發(fā)合作。其目的是開發(fā) VR 和 AR 設備所需的 RGB OLEDoS。APS Holdings在去年年末曾公開過3000PPI像素的OLEDoS。

APS Holdings表示，去年年底開發(fā)了像素密度為3000PPI OLEDoS（OLED on Silicon）

據韓媒thelec報道，業(yè)界3月17日消息，三星顯示正在與APS Holdings討論合作開發(fā)像素密度3500PPI的精細金屬掩膜版（FMM）。這與三星顯示計劃開發(fā)“紅（R）綠（G）藍（B）方式”的OLEDoS：(OLED on Silicon）有關。OLEDoS可用于需要超高分辨率屏幕的虛擬現實 （VR） 和增強現實 （AR） 設備。

在硅基板上蒸鍍有機發(fā)光二極管（OLED）的OLEDoS大致分為兩種方式。LG顯示正在開發(fā)通過在W-OLED上形成RGB彩色濾光片（CF）的“WOLED+CF”方式OLEDoS，W-OLED發(fā)出的白色光通過RGB彩色濾光片實現色彩。

作為后來者開始開發(fā)OLEDoS技術的三星顯示計劃主要開發(fā)將RGB OLED像素蒸鍍在同一層的“RGB方式”O(jiān)LEDoS。據悉，三星顯示為了開發(fā)RGB OLEDoS，已經與美國A公司進行合作。該企業(yè)也一直在開發(fā)RGB OLEDoS。

據推測，三星顯示之所以考慮與APS Holdings進行3500PPI FMM合作，是因為潛在客戶公司認為VR、AR設備的顯示像素密度應該達到3500PPI。蘋果已經向三星顯示和LG顯示等公司邀請開發(fā)3500PPI水平的OLEDoS。蘋果此前雖然邀請了2800PPI的OLEDoS開發(fā)，但如今將其上調至3500PPI。

APS Holdings正在開發(fā)RGB方式OLEDoS所需的FMM。去年年末還公開了3000PPI的OLEDoS。APS Holdings下屬專門負責FMM業(yè)務的APS Materials公司在忠清南道天安的OLEDoS FMM研發(fā)（R&D）生產線上直接進行有機物蒸鍍和封裝（保護OLED免受水分、氧氣影響）的工藝。

APS Holdings以激光圖案方式加工 FMM 孔。這是因為，在現有的中小尺寸OLED中使用的蝕刻方式在600PPI以上的超精密孔的加工上存在局限性。

去年年末，APS Holdings表示：“超高分辨率FMM的核心是孔加工技術和超薄Invar（鎳鐵特殊合金）”，“在加工比頭發(fā)厚度更薄的Invar時，必須保持厚度均一和物性”，接著還稱：“從2018年開始運營自主的超薄Invar加工生產線”，并稱“3000PPI水平的FMM用Invar也是應用了自主技術的8微米（um）厚度的產品”。目前用于QHD智能手機OLED的FMM的Invar厚度為18um。

當時，APS Holdings表示：“為了開發(fā)3000PPI水平的FMM，對現有的激光加工機進行了改進，最多可支持4000PPI以上?！贝送?，還補充稱，“以FMM為基礎，還開發(fā)了蒸鍍、包裝工藝技術，可以制作RGB方式的OLEDoS顯示面板”，“自主制作的樣品已向國內外面板、設備廠商供應，正在討論技術合作和事業(yè)化”。

APS Holdings是OLEDoS韓國國策課題的主管機關，目標是到2024年為止制作4000PPI AR Glass樣品。課題名稱為“開發(fā)增強現實用高亮度和高分辨率的自發(fā)光OLED用Micro Display技術”。此外，APS Holdings今年還將履行了包括采用激光圖案方法的第六代半基板尺寸的600PPI級FMM Stick制造技術、利用熱變形少的Invar材料的FMM制造工藝等在內的國策課題。

另一方面，LG顯示專注于WOLED+CF方式的OLEDoS開發(fā)。預計日本索尼將向蘋果的第一臺混合現實（MR）設備供應的OLEDoS也是WOLED+CF方式。WOLED+CF 方式的缺點是，當白光通過彩色濾光片時，光線的亮度會變弱。光的亮度與對比度有關，導致畫質表現力缺陷。

三星顯示從去年年中開始著手開發(fā)OLEDoS。此前因為認為此市場小，沒有引起太大的關注，但卻在三星電子等客戶公司的要求下，最終進軍此業(yè)務。三星顯示認為，現有的WOLED+CF方式OLEDoS進入門檻較低，因此制定了優(yōu)先開發(fā)RGB OLEDoS方式的目標。但是，也有意見認為，WOLED+CF方式的OLEDoS也可以實現3500PPI，因此沒有必要開發(fā)RGB方式的OLEDoS。

在現實世界中添加虛擬圖像的AR設備顯示屏又是另一回事。在AR設備中，在硅上形成發(fā)光二極管（LED）的“LEDoS（LED on Silicon）”技術比OLEDoS更有利。與用戶佩戴的設備在外部不可見的 VR 設備不同， AR 設備由于外部可見，光線必須更亮才行。然而，為了實現超高分辨率屏幕，LED芯片必須制作得更小，而LED變小的話特性就會減弱。

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