氮化鋁(AlN)陶瓷基片,AlN半導(dǎo)體氮化鋁陶瓷,氮化鋁(AlN)陶瓷基片,AI 65.81%,N34.19%
產(chǎn)品名稱:氮化鋁(AlN)陶瓷基片,AlN半導(dǎo)體氮化鋁陶瓷,氮化鋁(AlN)陶瓷基片,AI 65.81%,N34.19%
氮化鋁(Aluminum Nitride,簡稱AlN)陶瓷基片是一種由氮化鋁材料制成的薄片或基板。AlN是一種優(yōu)良的陶瓷材料,具有高熱導(dǎo)率、優(yōu)異的電絕緣性能和良好的機(jī)械性能。
AlN陶瓷基片常用作電子器件和封裝材料的基底。由于其高熱導(dǎo)率和良好的絕緣性能,AlN基片可用于制備高功率電子器件和高頻電子器件,如功率放大器、射頻封裝、微波器件等。AlN基片還廣泛應(yīng)用于照明、電動汽車、電池散熱等領(lǐng)域。
AlN基片的制備通常采用熱壓燒結(jié)或化學(xué)氣相沉積等方法。通過粉末冶金工藝,在高溫和高壓下將AlN粉末形成塊體,再進(jìn)行切割和研磨,最終得到所需的薄片或基片形式。
AlN陶瓷基片具有一系列優(yōu)點(diǎn),如優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度、優(yōu)良的耐熱性、低熱膨脹系數(shù)、良好的化學(xué)穩(wěn)定性等。這使得它成為許多高溫電子器件和高功率器件的理想基底材料。
總之,AlN陶瓷基片是一種高性能的基底材料,具有廣泛的應(yīng)用前景。它可以在高溫、高功率和高頻率等特殊工況下提供優(yōu)異的性能和可靠性,因此在電子器件、封裝材料和其他相關(guān)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
產(chǎn)地:西安
規(guī)格:1mg 5mg 10mg
純度:99%
狀態(tài):固體/粉末
儲藏條件:冷藏-20℃
溫馨提示:僅用于科研,不能用于人體實(shí)驗(yàn)!
說明:提供使用說明,核磁圖譜,包裝,價(jià)格,產(chǎn)地,制備方法,應(yīng)用,穩(wěn)定性,溶解度,簡單合成等各種信息

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編輯:XAQYBIO HAO,2023年7月14日。