相信資深DIY玩家對(duì)宏碁掠奪者內(nèi)存并不會(huì)陌生，早在之前DDR4時(shí)代就有著各種超低延遲體質(zhì)優(yōu)秀的Bdie超頻內(nèi)存產(chǎn)品，經(jīng)過(guò)特挑的體質(zhì)頻率跑上4000已經(jīng)算是基本盤了；而來(lái)到DDR5時(shí)代，宏碁掠奪者也推出了配備海力士A-die的低延遲超頻條，管家也有幸入手了一套，在這里做個(gè)簡(jiǎn)單測(cè)試給大伙分享一下~

產(chǎn)品開箱

作為VESTA系列的繼承者，宏碁掠奪者VESTA II DDR5 6000 32G內(nèi)存套裝（下文簡(jiǎn)稱“VESTA II 6000 32G套裝”）的包裝風(fēng)格基本一致，純黑背景色突出產(chǎn)品的RGB燈效特點(diǎn)，和之前DDR4的一代一樣，VESTA II 6000 32G套裝是支持各大板廠的燈效同步軟件的。

包裝正面

VESTA II

本次入手的為16G x2套裝，XMP頻率6000Mhz

對(duì)多家板廠燈效同步軟件支持

在產(chǎn)品特點(diǎn)上，VESTA II 6000 32G套裝擁有支持最新的XMP3.0+on-die ECC+高性能散熱馬甲，作為一款主打超頻和RGB的高端產(chǎn)品，可以說(shuō)很有吸引力。

包裝背面

中國(guó)制造

附件一覽

和之前內(nèi)存產(chǎn)品一樣，VESTA II 6000 32G套裝除了內(nèi)存本體和基本箱說(shuō)外，沒(méi)有其他附件，畢竟內(nèi)存產(chǎn)品是配件產(chǎn)品，玩家到手即用，附件也可有可無(wú)了~

產(chǎn)品細(xì)節(jié)

VESTA II 6000 32G套裝繼承了之前VESTA系列的特性，在產(chǎn)品外觀上基本一致，棱角分明造型+加厚加高金屬馬甲+均勻透光材料燈效區(qū)域都得到了保留，而內(nèi)存馬甲有黑色和銀色兩個(gè)版本，管家本次入手為黑色版本。

內(nèi)存本體

內(nèi)存背面

在銘牌信息方面，VESTA II 6000 32G套裝默認(rèn)XMP時(shí)序?yàn)镃L30-38-38-76，屬于目前高端海力士A-die超頻條的標(biāo)配，按照慣例，除了頻率本身能繼續(xù)手動(dòng)往上超外，在時(shí)序小參數(shù)上亦有手動(dòng)優(yōu)化空間，可玩性值得期待。

銘牌參數(shù)信息

宏碁掠奪者LOGO

VESTA II 6000 32G套裝散熱馬甲面積相當(dāng)巨大，幾乎和當(dāng)年DDR3時(shí)代的梳子條有一拼，散熱馬甲在顆粒對(duì)應(yīng)區(qū)域做了散熱凹槽強(qiáng)化散熱面積，應(yīng)對(duì)加入PMIC設(shè)計(jì)的DDR5，在超頻上會(huì)有不錯(cuò)的提升；而相對(duì)的，由于散熱馬甲較大的原因，在裝機(jī)選配散熱器的時(shí)候建議選擇單塔散熱或者水冷散熱，避免和高馬甲沖突。

VESTA II RGB

相比一代馬甲上加了DDR5字樣

散熱馬甲凹槽增加散熱面積

在發(fā)光區(qū)域方面，VESTA II 6000 32G套裝使用了均勻?qū)Ч獠牧显O(shè)計(jì)，在實(shí)際點(diǎn)亮后不會(huì)出現(xiàn)唐突的燈珠，燈光表現(xiàn)會(huì)更為柔和和均勻，在插滿兩組（4條）內(nèi)存的情況下，視覺(jué)體驗(yàn)滿分。

內(nèi)存頂部特寫

發(fā)光區(qū)域下部亦增設(shè)了DDR5字樣

馬甲高度特寫

來(lái)到細(xì)節(jié)部分，VESTA II 6000 32G套裝的導(dǎo)熱墊依然采用之前效率較高的雙層硅脂導(dǎo)熱墊，相比早前溫度較低的DDR4，在PMIC加入以及頻率得到大幅度提升的DDR5上就顯得尤為重要了。

單面顆粒設(shè)計(jì)+雙層硅脂導(dǎo)熱墊

實(shí)際上機(jī)

還是蠻帥氣的說(shuō)

實(shí)際燈效展示

和之前燈光展示環(huán)節(jié)一樣，還是大伙就直接看圖實(shí)在，至少比起看管家吹水靠譜，本次展示燈光效果為VESTA II 6000 32G套裝默認(rèn)上機(jī)循環(huán)燈效，主板為Z790 ELIE AX。

色彩鮮艷且均勻，好評(píng)

開燈正面特寫

熄燈正面特寫

內(nèi)存尾部細(xì)節(jié)一覽（開燈）

內(nèi)存尾部細(xì)節(jié)一覽（熄燈）

LOGO燈效特寫（開燈）

LOGO燈效特寫（熄燈）

整體燈效特寫

頂部燈效特寫

大概就這樣吧

實(shí)際上機(jī)+超頻+簡(jiǎn)單基準(zhǔn)測(cè)試

在測(cè)試部分，由于DDR5高頻內(nèi)存的特性，本次測(cè)試采用多平臺(tái)組合，其中英特爾平臺(tái)下采用I7-13790F+ MSI PRO Z790P和I5 13600KF+Z790 ELIE AX，后者進(jìn)行性能核心5.7G+效能核心4.3G超頻，分別作為非K平臺(tái)和帶K超頻平臺(tái)的參考；而AMD則采用7600+B650 EDGE WIFI，平臺(tái)進(jìn)行全核5.4G超頻；測(cè)試環(huán)境為廣東五月室溫24度，平臺(tái)為開放式機(jī)架。

非K平臺(tái)部分（I7-13790F+ MSI PRO Z790P）

從AIDA64軟件中我們可以看到，VESTA II 6000 32G套裝是采用來(lái)自SK海力士的Adie顆粒，該顆粒體質(zhì)分部非常廣泛，從6000MHz頻率的低延遲超頻條，到特挑7200/7600/8000頻率都有，頗像DDR4時(shí)代的三星Bdie。

測(cè)試系統(tǒng)為22H2（19045.2846）

SK海力士顆粒

CPUZ信息截圖

在默認(rèn)4800MHz頻率下，I7-13790F+ MSI PRO Z790P的內(nèi)存讀寫性能已經(jīng)超越同期DDR4一倍左右，其中內(nèi)存讀取達(dá)到75169MB/s，內(nèi)存寫入達(dá)到67782MB/s，而內(nèi)存延遲則為86.1ns，此時(shí)時(shí)序?yàn)镃L40-39-39-77，對(duì)于DDR5來(lái)說(shuō)，XMP超頻是很有必要的。

AIDA64內(nèi)存緩存測(cè)試跑分（4800）

BIOS界面開啟XMP

開啟XMP后，頻率成功提升至6000MHz并開機(jī)，在AIDA64內(nèi)存緩存測(cè)試中，內(nèi)存讀取提升至94238MB/s，內(nèi)存寫入提升至82793MB/s，內(nèi)存延遲降低至68ns，此時(shí)內(nèi)存時(shí)序?yàn)镃L30-38-38-76，和標(biāo)稱數(shù)據(jù)一致，沒(méi)有被BIOS微調(diào)；就成績(jī)而言，相對(duì)于默頻有了明顯進(jìn)步，值得認(rèn)可。

AIDA64內(nèi)存緩存測(cè)試跑分（6000MHz）

在主板的memory try it中加載預(yù)設(shè)超頻存檔，選擇為6400MHz CL36并重啟，超頻過(guò)程非常順利，內(nèi)存成功運(yùn)作在6400MHz CL36-40-40-90，在AIDA64中，內(nèi)存讀取提升至99262MB/s，內(nèi)存寫入提升至86434MB/s，而內(nèi)存延遲則為69.2ns，離100G內(nèi)存讀取就差那么臨門一腳了；同時(shí)在這一設(shè)置下100%烤機(jī)過(guò)測(cè)，穩(wěn)定性值得肯定的。

加載啊主板一鍵超頻預(yù)設(shè)檔

6400MHz CL36達(dá)成

6400MHz CL36烤機(jī)100%過(guò)測(cè)

當(dāng)然了作為玩家來(lái)說(shuō)，到手的超頻產(chǎn)品摸個(gè)底還是很有必要的，所以管家再進(jìn)一步把memory try it調(diào)整至7000MHz CL40，值得慶祝的是，7000MHz下系統(tǒng)成功開機(jī)，在AIDA64內(nèi)存緩存測(cè)試中，內(nèi)存讀取性能達(dá)到了104GB/s，內(nèi)存寫入達(dá)到90490MB/s，內(nèi)存延遲也降低到67.1ns，內(nèi)存讀取終于突破100G大關(guān)，而內(nèi)存延遲也得到進(jìn)一步降低。

進(jìn)一步調(diào)整至7000MHz CL40

讀寫性能得到進(jìn)一步提升，但時(shí)序提升較少

帶K超頻平臺(tái)測(cè)試（I5 13600KF+Z790 ELIE AX）

和非K不超頻平臺(tái)相比，帶K平臺(tái)可以關(guān)閉CEP并調(diào)整SA電壓的特性成為了內(nèi)存超頻的關(guān)鍵，在I5 13600KF+Z790 ELIE AX組合中，管家把頻率設(shè)置在6400MHz上并手動(dòng)修改時(shí)序?yàn)镃L30-38-38-90，處理器SA電壓為1.1V，防掉壓等級(jí)最高。

性能核心全核5.7G+效能核心全核4.3G+關(guān)閉CEP

時(shí)序手動(dòng)固定在CL30-38-38-90

在F10回車后成功進(jìn)入系統(tǒng)，得益于處理器頻率的大幅提升和時(shí)序進(jìn)一步微調(diào)，此時(shí)內(nèi)存讀取為95668MB/s，內(nèi)存寫入為88730MB/s，內(nèi)存延遲進(jìn)一步降低至59.1ns，同頻下整體表現(xiàn)更勝非K平臺(tái)一籌；值得認(rèn)同的是，這個(gè)成績(jī)?cè)趍emtestpro中成功110%烤機(jī)過(guò)測(cè)，得益于SA電壓可調(diào)帶來(lái)的信號(hào)增強(qiáng)，英特爾帶K超頻平臺(tái)在內(nèi)存延遲上的表現(xiàn)和可玩性都遠(yuǎn)超非K普通平臺(tái)，而讀寫性能上則基本持平。

延遲大幅度下降+110%烤機(jī)過(guò)測(cè)

AMD平臺(tái)測(cè)試（7600+MSI B650 EDGE WIFI）

對(duì)于AMD的7000系列而言，IOD部分相比上一代5000系列并無(wú)太大改進(jìn)，加上AMD官方承認(rèn)了最近因?yàn)镹B SOC電壓過(guò)高而燒毀插座+處理器的情況發(fā)生，內(nèi)存超頻需要更加謹(jǐn)慎，個(gè)人認(rèn)為FCLK保持在2000MHz就是最佳值，再往上不僅要看處理器體質(zhì)，還要冒上NB SOC電壓的風(fēng)險(xiǎn)。

加載6000MHz CL30-36-36-76設(shè)定檔（關(guān)power down）

相比英特爾平臺(tái)，AMD的7000系列處理器繼承了5000系列的單die處理器特性，在7600這顆單die處理器中，內(nèi)存讀取59479MB/s，內(nèi)存寫入為81371MB/s，內(nèi)存延遲為62.1ns，表現(xiàn)還算不錯(cuò)；對(duì)于內(nèi)存讀取瓶頸這點(diǎn)來(lái)說(shuō)，和5000系列的內(nèi)存寫入一樣，如果在雙die的7900X和7950X會(huì)有所改善。

內(nèi)存延遲為62.1ns，比較不錯(cuò)

AMD平臺(tái)261%負(fù)載過(guò)測(cè)

結(jié)語(yǔ)：高顏值+可玩性十足

在本次開箱中，宏碁掠奪者VESTA II DDR5 6000 32G內(nèi)存套裝整體表現(xiàn)是可圈可點(diǎn)的，內(nèi)存采用來(lái)自SK海力士A die顆粒，默認(rèn)XMP就可以做到6000MHz CL30高頻低時(shí)序，帶K英特爾平臺(tái)手動(dòng)超頻6400MHz CL30也能順利過(guò)測(cè)，遇上體質(zhì)好的上6800~7000MHz也是沒(méi)問(wèn)題的；加厚散熱馬甲+硅脂導(dǎo)熱墊組合在帶電源管理芯片PMIC的DDR5中起到了關(guān)鍵作用，有效緩解高頻內(nèi)存帶來(lái)的高溫問(wèn)題，對(duì)超頻有很大幫助；繼承VESTA一代的均勻?qū)Ч獠牧显O(shè)計(jì)，內(nèi)存燈光效果酷炫。

管家認(rèn)為，宏碁掠奪者VESTA II DDR5 6000 32G是一個(gè)富有可玩性且高顏值的超頻內(nèi)存套裝，適合DIY玩家和內(nèi)存超頻發(fā)燒友選擇。