3月22日，北京大學(xué)三項(xiàng)成果同時(shí)在線發(fā)表在國(guó)際頂級(jí)期刊Nature官網(wǎng)，發(fā)布多發(fā)表上演“帽子戲法”。

生命科學(xué)學(xué)院肖俊宇研究員研究組

發(fā)表成果《FcμR受體對(duì)免疫球蛋白IgM的識(shí)別》

肖俊宇研究組的最新成果《FcμR受體對(duì)免疫球蛋白IgM的識(shí)別》（Immunoglobulin M perception by FcμR）于3月22日在線發(fā)表于Nature，揭示了FcμR識(shí)別不同形式IgM的分子機(jī)制。這是繼2020年肖俊宇研究組在Science雜志發(fā)表論文闡明IgM五聚體組裝和黏膜轉(zhuǎn)運(yùn)的分子機(jī)制之后的又一重大突破。

蛋白質(zhì)與植物基因研究國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、北京大學(xué)生命科學(xué)學(xué)院、北大清華生命科學(xué)聯(lián)合中心肖俊宇研究員為該論文的通訊作者。北京大學(xué)已出站博士后李雅鑫、生命科學(xué)學(xué)院19級(jí)博士生沈皓、前沿交叉學(xué)科研究院19級(jí)博士生張瑞雪為該論文的共同第一作者。

IgM是人體內(nèi)五類免疫球蛋白之一，在免疫應(yīng)答早期階段發(fā)揮重要功能。IgM在人體中以多種形式存在，包括B細(xì)胞受體?(BCR)?復(fù)合體中的膜結(jié)合型 IgM單體，分泌到血清中的IgM五聚體和六聚體以及處于黏膜表面、包含分泌組分（secretory component）的分泌型 IgM。在之前工作中，肖俊宇研究組闡明了IgM五聚體組裝和黏膜轉(zhuǎn)運(yùn)的分子機(jī)制，發(fā)現(xiàn)IgM以非對(duì)稱的方式形成五聚體，并揭示了J鏈調(diào)節(jié)IgM五聚體組裝、介導(dǎo)其與黏膜轉(zhuǎn)運(yùn)受體pIgR相互作用的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)。

肖俊宇課題組通過(guò)結(jié)構(gòu)生物學(xué)、生物化學(xué)和細(xì)胞生物學(xué)等手段揭示了FcμR特異性感知不同形式IgM的分子機(jī)制，為深入理解IgM的生物學(xué)功能奠定了基礎(chǔ)。

本研究還得到了北京大學(xué)生命科學(xué)學(xué)院?jiǎn)|產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新基金、昌平實(shí)驗(yàn)室、中國(guó)博士后科學(xué)基金（博新計(jì)劃）、北京大學(xué)博雅博士后項(xiàng)目的支持。

論文鏈接：

https://www.nature.com/articles/s41586-023-05835-w

化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授課題組

發(fā)表成果《外延高κ柵氧化物集成型二維鰭式晶體管》

近年來(lái)，我國(guó)“芯片荒”這一“老大難”問(wèn)題屢屢成為焦點(diǎn)。

3月22日，北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授課題組在Nature在線發(fā)表題為《外延高κ柵氧化物集成型二維鰭式晶體管》（2D fin field-effect transistors integrated with epitaxial high-κ gate oxide）的研究論文。這一研究報(bào)道了世界首例二維半導(dǎo)體鰭片/高κ柵氧化物異質(zhì)結(jié)陣列的外延生長(zhǎng)及其三維架構(gòu)的集成制備，并研制了高性能二維鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（2D FinFET）。

北京大學(xué)彭海琳教授是該論文工作的通訊作者，北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院BMS Fellow博士后譚聰偉、博士研究生于夢(mèng)詩(shī)、唐浚川、高嘯寅是共同第一作者。生長(zhǎng)理論計(jì)算和形貌表征方面的主要合作者還包括韓國(guó)蔚山國(guó)立科技研究院丁峰教授、清華大學(xué)物理系姜開(kāi)利教授等。

該研究成果得到國(guó)家自然科學(xué)基金委、科技部、北京分子科學(xué)國(guó)家研究中心、騰訊基金會(huì)、北京大學(xué)博雅博士后、北京分子科學(xué)國(guó)家研究中心博士后項(xiàng)目等機(jī)構(gòu)和項(xiàng)目的資助，并得到了北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院的分子材料與納米加工實(shí)驗(yàn)室（MMNL）儀器平臺(tái)的支持。

論文鏈接：

https://www.nature.com/articles/s41586-023-05797-z

電子學(xué)院彭練矛教授-邱晨光研究員課題組

發(fā)表成果《二維硒化銦彈道晶體管》

芯片為大數(shù)據(jù)和人工智能的發(fā)展提供源源不斷的動(dòng)力，芯片速度的提升得益于晶體管的微縮，然而當(dāng)前傳統(tǒng)硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能逐漸接近其本征物理極限。迄今為止，所有二維晶體管所實(shí)現(xiàn)的性能均不能媲美業(yè)界先進(jìn)硅基晶體管，其實(shí)驗(yàn)結(jié)果遠(yuǎn)落后于理論預(yù)測(cè)。

近期，北京大學(xué)電子學(xué)院彭練矛教授-邱晨光研究員課題組制備了10納米超短溝道彈道二維硒化銦晶體管，成為世界上迄今速度最快能耗最低的二維半導(dǎo)體晶體管。該研究成果以《二維硒化銦彈道晶體管》（Ballistic two-dimensional InSe transistors）為題，3月22日在線發(fā)表于Nature。

電子學(xué)院博士生姜建峰與徐琳博士為并列第一作者，彭練矛教授和邱晨光研究員為共同通訊作者，北京大學(xué)電子學(xué)院為論文唯一單位。

這項(xiàng)工作突破了長(zhǎng)期以來(lái)阻礙二維電子學(xué)發(fā)展的關(guān)鍵科學(xué)瓶頸，將n型二維半導(dǎo)體晶體管的性能首次推近理論極限，率先在實(shí)驗(yàn)上證明出二維器件性能和功耗上優(yōu)于先進(jìn)硅基技術(shù)，為推動(dòng)二維半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展注入強(qiáng)有力的信心和活力。

論文鏈接：

https://www.nature.com/articles/s41586-023-05819-w

來(lái)源：北京大學(xué)