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IXFA14N85XHV-ASEMI代理艾賽斯MOS管IXFA14N85XHV

型號(hào)：IXFA14N85XHV

品牌：IXYS/艾賽斯

封裝：TO-263

最大漏源電流：14A

漏源擊穿電壓：850V

RDS（ON）Max：550mΩ

引腳數(shù)量：3

溝道類(lèi)型：N溝道MOS管

特性：高功率密度、易于安裝、節(jié)省的空間

芯片材質(zhì)：

封裝尺寸：如圖

特性：高壓MOS管、N溝道MOS管

工作結(jié)溫：-55℃~150℃

IXFA14N85XHV場(chǎng)效應(yīng)管

IXFA14N85XHV的電性參數(shù)：最大漏源電流14A；漏源擊穿電壓850V

IXFA14N85XHV應(yīng)用：

開(kāi)關(guān)模式和諧振模式

電源

DC-DC轉(zhuǎn)換器

PFC電路

交流和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)

機(jī)器人與伺服控制