我們上次講了，怎么降低開關(guān)損耗：

1、增大Igs電流：減小柵極電阻；柵極驅(qū)動(dòng)的電流能力要大，充放電2個(gè)方向。

2、提高Vgs驅(qū)動(dòng)電壓：±20V，±15V，±12V。

上面講的方法，都可以把米勒平臺(tái)的時(shí)間變短，最大的好處就是降低開關(guān)損耗。那么這種開關(guān)損耗的降低，會(huì)不會(huì)帶來(lái)其它問(wèn)題呢？

在米勒平臺(tái)時(shí)間內(nèi)，GS電流回路受GS電容、Cgd電容、Id、Vd、驅(qū)動(dòng)電流Igs以及Layout回路大小、板級(jí)走線、MOSFET內(nèi)部電感的影響。那么這些影響會(huì)讓Vgs波形容易發(fā)生震蕩。

其實(shí)，GS電流不僅僅受到Cgs電容影響，它還有另一條回路，也就是受到米勒電容Cgd的大小影響。

那么，之前我們也說(shuō)了，米勒電容Cgd的大小其實(shí)也受漏極電壓Vd的影響，Vd電壓越高，Cgd越大；Vd電壓越低，Cgd越小；也就是說(shuō)GS電流也間接受到Vd電壓的影響，Vd電壓高，受米勒電容影響更大。

然而，對(duì)于高壓管子來(lái)說(shuō)，Vd越大，它的Id電流一般就小。也就是說(shuō)，高壓管子，米勒電容大，DS電流小，那么，高壓的管子開通就會(huì)容易震蕩。

同樣的，對(duì)于低壓管子來(lái)說(shuō)，Vd電壓低，米勒電容小，那么低壓的管子，一般Id電流大，那么，低壓的管子在關(guān)斷的時(shí)候就會(huì)容易出現(xiàn)震蕩。下面來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明一下。

如上圖所示。對(duì)于高壓的管子來(lái)說(shuō)，如果帶PFC模塊的話，一般Vbus電壓都會(huì)達(dá)到390V、400V的樣子。這么高的電壓，MOS管在開通時(shí)，Vd就要從400V迅速降低到0V，所以漏極的dv/dt是很大的。如果米勒平臺(tái)時(shí)間越短，那么dv/dt就會(huì)越大。同樣的，對(duì)于低壓的管子來(lái)說(shuō)，如果米勒平臺(tái)越短，那么di/dt就會(huì)越大。

總結(jié)一下，如果將米勒平臺(tái)變短的話：

對(duì)于高壓小電流管子的開通，dv/dt 大；

對(duì)于低壓大電流管子的關(guān)斷，di/dt 大。

那么DS的迅速變化（dv/dt，di/dt），會(huì)通過(guò)米勒電容Cgd反饋到柵極，也會(huì)通過(guò)Cgs電容傳遞到柵極，影響到柵極的驅(qū)動(dòng)波形，就會(huì)在柵極的平臺(tái)區(qū)域出現(xiàn)干擾。也就是說(shuō)，高壓管子在開通過(guò)程中，DS內(nèi)阻由無(wú)窮大變?yōu)楹苄?；低壓管子在關(guān)斷過(guò)程中，DS內(nèi)阻由很小變?yōu)闊o(wú)窮大。

結(jié)論：

低壓大電流的系統(tǒng)，管子的關(guān)斷比較難做；

高壓小電流的系統(tǒng)，管子的開通比較難做。

高壓管子開通時(shí)，為什么震蕩呢？除了dv/dt引起的以外，還會(huì)由于LC引起的震蕩，L是走線電感以及MOSFET的內(nèi)部寄生電感；C就是Cgs和Cgd。這個(gè)震蕩是沒有辦法根除的，只有減小這個(gè)震蕩。這與柵極驅(qū)動(dòng)電路走線和地的處理都有關(guān)系的；還與整個(gè)驅(qū)動(dòng)回路的大小有關(guān)系，回路要盡量短；還與Id電流有關(guān)系。

如果在米勒平臺(tái)區(qū)出現(xiàn)震蕩，那么管子就會(huì)發(fā)熱嚴(yán)重，容易損壞，不能抗沖擊。所以，在GS電壓確定的時(shí)候，柵極驅(qū)動(dòng)電阻和米勒平臺(tái)時(shí)間的關(guān)系，很重要了。

柵極電阻的取值：

高壓管子：?柵極電阻?取百Ω級(jí)，100R~330R。

分析：高壓管子內(nèi)部是有很多個(gè)小管子串的，所以GS電容偏小，那么，柵極驅(qū)動(dòng)電阻不能太小，否則平臺(tái)時(shí)間短，dv/dt容易引起震蕩，結(jié)果發(fā)熱更大。那么，需要有一個(gè)大一點(diǎn)的電阻，但也不能是KΩ級(jí)的，否則平臺(tái)時(shí)間按長(zhǎng)，發(fā)熱也大。從另一方面說(shuō)，米勒平臺(tái)是一個(gè)危險(xiǎn)區(qū)域，希望快速通過(guò)，所以Igs驅(qū)動(dòng)電流就要大。這個(gè)驅(qū)動(dòng)電流Igs要和柵極電阻以及米勒電容匹配好，一般都是100R~330R。