第809期

氮化鎵特性及發(fā)展歷史?

GaN的先天優(yōu)勢明顯：寬禁帶、高擊穿電壓、高頻、耐高溫、高功率密度

氮化鎵，分子式GaN，是氮和鎵的化合物；?

氮化鎵是寬禁帶材料，其禁帶寬度（3.4eV）是硅（1.1eV）的3倍，可制造高耐壓器件；?擊穿電場是硅材料的10倍，功率密度比砷化鎵器件高十倍，器件可小型化；

電子飽和漂移速度高，可制備高頻器件(300GHz)，適用于5G以上通訊；熱導(dǎo)率大，更高的工作環(huán)境溫度(300℃以上)，?在寬波譜、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面有領(lǐng)先地位。

來源：品利基金

作者：佚名

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