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60N10-ASEMI高壓MOS管60N10

型號：60N10

品牌：ASEMI

封裝：TO-263

最大漏源電流：60A

漏源擊穿電壓：100V

RDS（ON）Max：0.24Ω

引腳數(shù)量：3

溝道類型：N溝道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏電流：

恢復時間：5ns

芯片材質(zhì)：

封裝尺寸：如圖

特性：高壓MOS管

工作結(jié)溫：-55℃~150℃

60N10場效應管

60N10的電性參數(shù)：最大漏源電流60A；漏源擊穿電壓100V