本文來自公眾號(hào)【差評(píng)】

三星半導(dǎo)體這幾年，小日子過的有些不順。
別的不說，差友摸摸自己的手機(jī)，看看三星晶圓廠代工的 888 、 8gen1 ，簡(jiǎn)直可以說是冬天的暖手寶，夏日的燙手山芋。
好不容易代工出來的產(chǎn)品成了人人喊打的?“?過街老鼠?”?，而且芯片生產(chǎn)的良品率也不行。

甚至就連三星自己都心頭納悶啊，事后會(huì)過味來，你說為啥我自個(gè)的芯片工藝，良品率會(huì)這么差呢？

這不，上上上上個(gè)月展開了調(diào)查，結(jié)果到現(xiàn)在也還沒個(gè)說法。
而且作為全球十大半導(dǎo)體公司，在大家都在喊著缺芯缺芯的時(shí)候，三星反而成了唯一一個(gè)第一季度收入下降的公司。。。

看著上頭的臺(tái)積電，羨慕的臉都要綠了。
所以說，當(dāng)年這能造相機(jī)，能造手機(jī)，能做系統(tǒng)，也能做芯片的三星，這幾年到底遭了什么降頭？
手機(jī)行業(yè)吃了鱉，面板行業(yè)被國內(nèi)廠商逐漸挑戰(zhàn)，放棄了自家的芯片架構(gòu)，就連世界上唯二能量產(chǎn) 5nm 以下工藝的芯片代工行業(yè)，都被大家嫌棄的如此之慘？

作為一家傳承多年的公司，三星這幾年拉跨的表現(xiàn)可以說和內(nèi)斗脫不了關(guān)系。

這幾年下來，我們也能刷到不少這類三星新聞，包括什么良品率不足欺上瞞下啊，什么論資排輩，部門之間還互相嫌棄。。。咱能想到的想不到的內(nèi)斗方式，三星可能都已經(jīng)嘗試過了。

這把三星太子急的， 2021 年 8 月李在镕?“?為國?”?出獄后，還沒三個(gè)月，公司內(nèi)部就來了一波不小的人事調(diào)整。
三星移動(dòng)部門，三星消費(fèi)電子和設(shè)備解決方案部門的三位 CEO 都被撤下，還將前兩個(gè)部門合并成為了新部門 SET 。
又過了一段時(shí)間，李在镕還把之前閃存開發(fā)部門的領(lǐng)導(dǎo)宋在赫調(diào)到了半導(dǎo)體研發(fā)部門擔(dān)任最新的負(fù)責(zé)人，派半導(dǎo)體設(shè)備解決方案部門的全球制造與基礎(chǔ)設(shè)施副總裁南錫宇，來出任晶圓代工制造技術(shù)中心負(fù)責(zé)人。

把過去這兩位在內(nèi)存領(lǐng)域搏殺的大將給派到晶圓代工領(lǐng)域，三星這圖謀半導(dǎo)體之心，可以說是非常明顯了。

畢竟，如果再和過去一樣內(nèi)斗會(huì)是什么結(jié)果，已經(jīng)很明顯了。
比良品率下降更恐怖的，就是讓先進(jìn)制程的買家失去信心。
高通和英偉達(dá)，在這里扮演的就是三星的大買家角色。
然而如今這倆一個(gè)已經(jīng)跟臺(tái)積電合作，緊急推出了 8+Gen1 來應(yīng)對(duì)今年聯(lián)發(fā)科的崛起，一個(gè)宣布下一代 40?系列游戲顯卡也會(huì)基于臺(tái)積電的 N4 工藝開發(fā)。

圖源：wccftech▼

不久之前也有媒體拿到了 8+Gen1 的工程機(jī)測(cè)了一下，和之前三星代工的 8Gen1 相比呢。。。也就性能高了一點(diǎn)，功耗更低了一些。。。
這屬實(shí)是撞車不可怕，誰差誰尷尬了。

圖源極客灣▼

差評(píng)君還聽到一個(gè)芯片行業(yè)地獄笑話：
過去大家做芯片呢，是一手交錢，一手按消耗的晶圓數(shù)量來給你生產(chǎn)，各家有各家的良品率，能做出多少芯片全憑良品率來摸獎(jiǎng)，大家相安無事好多年。
而到了三星這邊，因?yàn)榱计仿蕦?shí)在不好恭維。所以它們變成了按照最后實(shí)際能生產(chǎn)出多少芯片來計(jì)算。。。

一手交錢，一手交芯片。
。。。的確是讓三星自個(gè)兒都納悶為啥這么差的良品率了。

當(dāng)然，芯片工藝，敗也技術(shù)，成也技術(shù)。

畢竟現(xiàn)在 5nm ， 4nm 的名稱，更多還是廠商用來宣傳自己的工藝節(jié)點(diǎn)的一種叫法，而并沒有絕對(duì)的物理意義指代。
為啥三星現(xiàn)在這么尷尬，很大程度上就是因?yàn)樽钚碌男酒斓牟蝗绺舯谂_(tái)積電好，良品率，功耗，晶體管密度都干不過別人。

各家工藝密度圖，來源：Digtimes▼

所以，如果下回三星造的芯片良品率更好，功耗更低，晶體管密度更優(yōu)秀，那這些煩人的問題不就都解決了嗎。

巧了，三星也是這么想的，而它們壓注的未來，就是 3nm 技術(shù)。
三星，將是世界上第一個(gè)邁入 GAA 結(jié)構(gòu)的晶圓廠。

GAA 是啥？簡(jiǎn)單來講，它很可能是我們手機(jī) SoC 上會(huì)采用的下一代晶體管技術(shù)。
這幾年, 隨著摩爾定律的演變，芯片越做越小了，晶體管的功耗也越來越低，但是隨著晶體管越來越小吧，新的問題——漏電也如期而至。

隨著芯片設(shè)計(jì)進(jìn)入納米領(lǐng)域之后，靜態(tài)功耗的漏電問題就開始翻車。
打個(gè)比方，如果把晶體管看作一個(gè)?“?開關(guān)?”?，那漏電問題就像是這個(gè)開關(guān)沒接通，但是還會(huì)存在漏電流。

這就是?“?短溝道效應(yīng)?”?，想要減少它帶來的漏電功耗，就需要找到新的結(jié)構(gòu)或者新的材料。

在把芯片做到 22nm 之后，大家采用的技術(shù)叫做 FinFET （?鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管?）。
通過?“?嵌入?”?的方式增大接觸面積，來獲得更好的漏電控制性能，有點(diǎn)像把之前一維的晶體管做成二維。

而如今芯片越來越小，做到 3nm 的門檻上， FinFET 也不太夠用了。
而這回，大家伙倒騰出來解決問題的未來新工藝，叫做 GAA （?全環(huán)柵晶體管?）。

這個(gè)就有點(diǎn)像二維變成了三維， FinFET 時(shí)的三面環(huán)繞變成了四面環(huán)繞，這樣才能對(duì)蠢蠢欲動(dòng)的電子一網(wǎng)打盡。

根據(jù)三星的報(bào)道，和自家的7nm?工藝相比，自家 GAA 的初始版本 3GAE （ 3nm Gate-All _ Around Early ）可以減少 35%?的芯片面積，提高 30%?的性能，降低 50%?的功耗。

這餅看著挺香啊。。。提升 30%?的性能，降低 50%?的功耗。。。有這提升，啥火龍不得乖乖躺下，給咱們變成冰龍。

欸不是，等等等等，你咋是和 2017 年量產(chǎn)的 7nm 工藝來比 3nm 的，為啥不用明顯更接近的 4nm ？
好吧，其實(shí)是三星也給了 3nm 和 4nm 工藝的技術(shù)對(duì)比，但是——沒有完全給。

對(duì)比圖的的確確是給了一張，但是吧。。。也只有這一張，這橫縱坐標(biāo)的標(biāo)尺呢？比較的起始單位又是多少？

你倒是告訴我強(qiáng)了多少??？
我看你是完全不懂哦.?jpg?

作為在 GAA 領(lǐng)域?“?第一個(gè)吃螃蟹的人?”?咱能理解三星會(huì)面臨不少的技術(shù)挑戰(zhàn)。

但是你看看三星計(jì)劃要量產(chǎn)?3nm?的時(shí)間哈，2022 年第二季度。
本來自家的 5nm 和 4nm 相比臺(tái)積電就有些注水，在晶體管密度上就有些落后。

不知道三星這算不算?“?趕鴨子上架?”?整出來的初代的 GAA 能否和臺(tái)積電的高密度成熟 finFET 來競(jìng)爭(zhēng)，可能還得打個(gè)問號(hào)。

在過去，新工藝迭代節(jié)點(diǎn)的第一批產(chǎn)品，也出現(xiàn)過實(shí)際體驗(yàn)的性能反而比不過上一代工藝增強(qiáng)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)品的情況。（?比如英特爾 10nm 和 14++?）
除開兩家公司技術(shù)路線的不同，三星想要在 3nm ，或者 2nm 階段實(shí)現(xiàn)對(duì)臺(tái)積電的反擊，還得過光刻機(jī)這一關(guān)。

在這方面。臺(tái)積電和A?SML?可以說是有深厚的革命戰(zhàn)友友誼。
20?年前的 ASML 在光刻領(lǐng)域還是名不見經(jīng)傳，靠的就是和臺(tái)積電的深度合作，在對(duì)的時(shí)間遇到了對(duì)的人。
兩家公司一起攜手發(fā)展 193nm 浸潤式光刻技術(shù)。把曾經(jīng)的光刻機(jī)巨頭尼康給趕了出去。

從 20?年前的 45nm 到前些年的 7nm 工藝，靠的都是浸潤式光刻技術(shù)。

三星可不像臺(tái)積電有這層關(guān)系，只得看著光刻機(jī)眼紅，另尋它法。
你看出獄沒多久，剛整治完內(nèi)部的李在镕，上周前往歐洲諸國，別的地方?jīng)]多停留，直接就跑到荷蘭去，跟 ASML 的高層與荷蘭的總理談笑風(fēng)生。

這一切的目的，都是為了最新的 EUV （?極紫外光?）光刻機(jī)。

總的來說，三星雖然如今在 5nm ， 4nm 的市場(chǎng)失去了先機(jī)，但也不代表著它完全失去了反擊的機(jī)會(huì)。

畢竟，芯片行業(yè)是個(gè)競(jìng)爭(zhēng)異常緊湊的市場(chǎng)，曾經(jīng)的頭牌如果走錯(cuò)一步，可能就會(huì)在下一代工藝?yán)锸ヮI(lǐng)先的優(yōu)勢(shì)。
萬一臺(tái)積電的 3nm FinFET 如果真的因?yàn)榭刂撇蛔」姆嚵四兀?br>?“?王權(quán)沒有永恒?”?，在這個(gè)行業(yè)里，領(lǐng)頭羊走岔路可謂是家常便飯。

在過去， 14nm 工藝門后的英特爾是如此，在現(xiàn)在， 7nm 門前的三星也是如此，在未來，在 3nm 門檻上依舊堅(jiān)持選擇用 FinFET 的臺(tái)積電可能也如此。

但不論如何，把翻身的機(jī)會(huì)寄希望于別人翻車是不靠譜的。
2022 年的 Q2 季度已經(jīng)過了一半多，現(xiàn)在留給三星的時(shí)間已經(jīng)不多了。

撰文：小陳??編輯：面線? 頭圖：煥妍

參考資料：部分圖片來自互聯(lián)網(wǎng)http://www.techweb.com.cn/world/2022-06-21/2895108.shtmlhttps://www.sohu.com/a/509195424_532736https://www.wealth.com.tw/articles/62a4772b-212e-4382-91d3-b208c8a59162https://ieeexplore.ieee.org/document/9601158https://www.sohu.com/a/529794330_121011018https://www.eet-china.com/news/202203241027.htmlhttps://en.wikichip.org/