如今，“1bit只要1美元”的廠商早已退出DRAM市場， “三分天下”的局面難以打破，國產(chǎn)內(nèi)存的希望如星星之火，尚不可燎原。

DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器，Dynamic Random Access Memory），是一種半導(dǎo)體存儲器，利用電容儲存電荷多少來存儲數(shù)據(jù)，是最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存，通常DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間，必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失，比如關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù)。它的讀寫速度比SRAM慢、密度更低、功率更高，但容量大、集成度高、體積小、成本便宜，常作為主存儲器用于計算機、智能手機、服務(wù)器內(nèi)存等電子設(shè)備中。

DRAM的結(jié)構(gòu)比較簡單，是由許多個重復(fù)的位元格（bit cell）組成，一個電容和一個晶體管就是一個cell，一個cell可以儲存1bit的數(shù)據(jù)，多個位元格（bit cell）組成了矩陣結(jié)構(gòu)，形成內(nèi)存庫，而數(shù)個內(nèi)存庫就形成了DRAM存儲芯片。

存儲器是全球半導(dǎo)體最大的細分市場，而DRAM占存儲器市場規(guī)模的58%。特殊時期帶動“宅經(jīng)濟”的快速發(fā)展，電腦、智能手機、服務(wù)器等電子市場需求增加，進而影響到DRAM價格迅速回升，與此同時，隨著AIoT市場長景氣周期已至，DRAM迎來了第三輪爆發(fā)式的增長。

我國是內(nèi)存消耗大國，理應(yīng)擁有幾分話語權(quán)，但是根據(jù)全球DRAM市場競爭格局來看，過分殘酷的現(xiàn)實令人警醒。根據(jù)ChinaFlashmarket的數(shù)據(jù)，2019年三星電子占據(jù)全球DRAM市場份額的45%，SK海力士排名第二占比達29%；美光市場份額達到21%，中國臺灣企業(yè)南亞科技和華邦科技分別占據(jù)了3%、1%的市場份額。

本文將帶你了解DRAM市場的三大巨頭公司，以及砥礪前行的國產(chǎn)新力量。

形成“三足鼎立”格局的寡頭們

DRAM行業(yè)歷經(jīng)幾輪周期的大洗牌，目前呈現(xiàn)以韓國三星電子、海力士、美國美光三大寡頭壟斷市場的勢態(tài)，2019年這三家企業(yè)的市場占有率高達95.5%。

技術(shù)與財力并進的三星電子

在“三足鼎立”的局面形成之時，三星用絕對的技術(shù)實力和逆周期的強勢資金投入換來豐厚的市場份額。1992年，在三星電子首次成為世界第一大DRAM內(nèi)存制造商之后，連續(xù)27年坐穩(wěn)世界第一的鐵王座，并且在今年計劃推出采用EUV技術(shù)生產(chǎn)的第四代10nm級（1anm）內(nèi)存芯片之后，繼續(xù)獨霸這個最頭部的位置，并將擴大這一細分市場的絕對優(yōu)勢。

事實上，三星電子、SK海力士和美光都屬于青出于藍勝于藍的成功典范。1966年，全球第一顆DRAM在IDM公司被發(fā)明。1970年，英特爾公司第一款商用DRAM芯片Intel 1103，徹底顛覆了當時盛行的磁存儲技術(shù)，席卷了八成以上的存儲市場，隨后能打的德州儀器也加入團戰(zhàn)。

韓國在落后十幾年之后才開始發(fā)力，并全速追擊。1983年，三星在美光和CITRIX的支持下完成64K DRAM研發(fā)，一年后實現(xiàn)量產(chǎn)；1986年，由韓國政府出資，由韓國電子通信研究所聯(lián)合三星、LG、現(xiàn)代三大集團以及韓國六所大學(xué)，聯(lián)合攻關(guān)DRAM的核心技術(shù)；1988年三星電子完成4M DRAM研發(fā)；1992年完成全球第一個64M DRAM的研發(fā)；1996年研發(fā)出全球第一個1GB DRAM（DDR2）。

現(xiàn)如今，三星電子已經(jīng)掌握了存儲芯片的財富密碼，在制造工藝和資金投入上不給競爭者任何超越的余地。

在經(jīng)營理念上，三星一直堅守研發(fā)高投入、逆向投資等戰(zhàn)略，率先將EUV技術(shù)投入到DRAM的生產(chǎn)制造中，在去年三月，宣布推出業(yè)界首款基于EUV的10納米級 (D1x) DDR4 DRAM 模塊。目前，官方表示D1x是一種實驗性EUVL制造工藝，僅用于制造實驗性DDR4 DRAM，而暫時不會進一步使用。

命運多舛的SK海力士

前面提到，1986年韓國政府出資，聯(lián)合三星電子、LG、現(xiàn)代半導(dǎo)體以及六所高校攻克DRAM核心技術(shù)，而海力士就是現(xiàn)代半導(dǎo)體和LG半導(dǎo)體 (LG Semicon)的集合體。1999年，當時排名世界第三的韓國現(xiàn)代半導(dǎo)體與LG合并，兩年后又從現(xiàn)代集團拆分出來，將公司名改為海力士（Hynix Semiconductor Inc）。

剛剛獨立出來的海力士也差點兒和自己的前輩莫斯泰克一樣被搞垮。受金融危機影響，2001年DRAM價格的狂跌，導(dǎo)致海力士虧損25億美元，面臨無法按期歸還收購LG的巨額貸款 (超過140億美元)，在瀕臨破產(chǎn)的情況下，韓國財團和中國無錫鼎力相助，并且在2012年，海力士債權(quán)人將20%股份轉(zhuǎn)給韓國電信SK Telecom后僥幸存活，也正是因為這樣，原海力士更名為SK海力士。

現(xiàn)在，服務(wù)器、移動端和PC業(yè)務(wù)是海力士的主要收入來源，其中DRAM業(yè)務(wù)占公司收入比重長期處于70%-80%。目前，1Znm（12-14nm）與1Ynm（14nm-16nm）制程產(chǎn)品占比達40%，預(yù)計未來將擴張至75%。

目前，DRAM市場的主流技術(shù)規(guī)范為DDR4和LPDDR4，而作為領(lǐng)軍人物的三大巨頭已經(jīng)開始部署DDR5技術(shù)。其中，美光在去年1月就率先出貨，并得到產(chǎn)品驗證，現(xiàn)在已經(jīng)開始與合作伙伴共同推進DDR5內(nèi)存在下一代計算平臺中的使用。而SK海力士也在今年的財報會議上表示，未來幾個月會開始量產(chǎn)DDR5內(nèi)存，試圖得到到Intel 12代酷睿Alder Lake的青睞。

不斷“出走”的美光

談到美光，那就不得不提到DRAM市場中元老級的三大美系廠商，英特爾、德州儀器和莫斯泰克。

前文提到，第一款商用DRAM是英特爾的Intel 1103，在當時一度占據(jù)了80%以上的市場份額，而德州儀器看到商機也立刻行動，通過逆向工程研究出DRAM存儲器工藝結(jié)構(gòu)，在1971年推出了2K產(chǎn)品，很快在兩年后又推出成本更低的采用了1T1C結(jié)構(gòu)的4K DRAM，迅速發(fā)展成為英特爾的競爭對手。

但實際上，在德州儀器開始研發(fā)DRAM之前，幾位從TI離職創(chuàng)辦了莫斯泰克（Mostek）公司的工程師就提出了CPU和DRAM集成的方案，在1973年推出了引腳更少的4K DRAM，相比英特爾和德州儀器有更低的成本。在1976年，莫斯泰克推出了采用雙層多晶硅柵工藝的MK4116，這款DRAM的容量是16K，在當時是頂級容量，憑借這款產(chǎn)品，莫斯泰克打敗英特爾占據(jù)了全球75%的市場份額。而美光，又是四位從莫斯泰克離職的員工創(chuàng)立而來。

DRAM市場的生產(chǎn)難度超過半導(dǎo)體大佬們的預(yù)期，到了2010年之后，整個歐美市場的DRAM業(yè)務(wù)幾近團滅，僅剩一家拿得出手的存儲器公司?— 美光。

現(xiàn)在來看，不斷“出走”是正確選擇，僅存美系存儲器業(yè)務(wù)獨苗美光能夠?qū)Ｐ膬?nèi)存市場，在DRAM制程與NAND技術(shù)方面保持先進地位。今年初，美光宣布批量出貨第四代10nm制程（1αnm）的DRAM顆粒，該產(chǎn)品將主要應(yīng)用于英睿達品牌DDR4內(nèi)存條以及旗艦手機搭載的LPDDR5等產(chǎn)品。在EUV方面，三星和SK海力士已經(jīng)購入光刻機，而美光則將在2024年才會開始生產(chǎn)采用EUV 光刻機的存儲器。

砥礪前行的國產(chǎn)存儲

如果將DRAM國際三大巨頭與國產(chǎn)存儲器廠商放在一起對比，市場占有率就如同大象和螞蟻一樣差別巨大。目前，國內(nèi)有三大存儲項目，分別為紫光集團與武漢、南京、成都合作展開的NAND與DRAM項目（長江存儲、紫光南京、紫光成都）；聯(lián)電與福建省合作的DRAM項目（福建晉華）；兆易創(chuàng)新與合肥合作的DRAM項目（合肥長鑫）。

紫光系的長江存儲，更側(cè)重于NAND產(chǎn)品；福建晉華則遭美國打壓，項目停滯很久，近期有消息稱，晉華成功研制具備自主知識產(chǎn)權(quán)的25nm內(nèi)存芯片并小批量試產(chǎn)；目前，合肥長鑫是大陸地區(qū)唯一擁有DRAM自主生產(chǎn)能力的公司，也被看做是國內(nèi)存儲的最大希望。

合肥長鑫項目又稱“506項目”，是由兆易創(chuàng)新與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股合作，計劃建設(shè)19nm、12寸晶圓DRAM芯片項目。該項目包括了合肥長鑫（合肥長鑫集成電路有限責(zé)任公司）、長鑫存儲（長鑫存儲技術(shù)有限公司）、睿力集成（睿力集成電路有限公司）三個運營主體，總預(yù)算金額為180億元，由原兆易創(chuàng)新CEO朱一明擔(dān)任長鑫存儲技術(shù)有限公司董事長。

該項目于2018年一季度完成一期建設(shè)，12英寸晶圓生產(chǎn)線投產(chǎn)電性片。2019年，兆易創(chuàng)新與長鑫存儲將合作方式分為代銷和代工兩種，由兆易創(chuàng)新自研的DRAM交于合肥長鑫生產(chǎn)，兆易創(chuàng)新則負責(zé)代銷。

長鑫存儲的技術(shù)主要來源于德國奇夢達。奇夢達是從英飛凌獨立出來的DRAM存儲芯片公司，也曾是全球第四大DRAM芯片供應(yīng)商，在2008年金融危機中破產(chǎn)。通過與奇夢達合作，長江存儲獲得了一千多萬份與DRAM相關(guān)的技術(shù)文件以及2.8TB的數(shù)據(jù)，包括了DRAM、Flash、半導(dǎo)體工藝及制造、光刻、封裝和存儲器接口等相關(guān)的技術(shù)專利。

在資金與技術(shù)的雙重支持下，長鑫存儲于2019年三季度成功量產(chǎn)了19nm制程工藝的DDR4/LPDDR4X芯片，在2020年底，長鑫存儲的實際產(chǎn)能約為每月40,000片，高于2020年初的每月20,000片。按照計劃，長鑫將于2021、2022年達到8萬片/月、12萬片/月產(chǎn)能，有望滿足國內(nèi)部分存儲需求。

雖然國內(nèi)DRAM也有近40年的發(fā)展歷程，但是在商業(yè)落地的時間節(jié)點上遠遠落后于國際領(lǐng)先廠商。作為半導(dǎo)體存儲芯片，DRAM既燒錢又要拼技術(shù)，最好還要有自己的廠房，因而內(nèi)存行業(yè)的壁壘遠高于其他業(yè)務(wù)。曾有分析師預(yù)測，長鑫存儲的產(chǎn)品在2025年之前都不可能在中國以外的地區(qū)使用，并且即便是在中國市場，也需要不少的時間才能贏得一定的市場份額。