不知不覺(jué)距離DDR5平臺(tái)首發(fā)已經(jīng)過(guò)去兩個(gè)月，隨著各家主板BIOS的不斷完善，對(duì)DDR5的支持也越來(lái)越好，DDR5內(nèi)存也越來(lái)越好買(mǎi)。我甚至無(wú)法想象當(dāng)初DDR5首發(fā)的時(shí)候我還在6000苦苦掙扎

，一晃兩個(gè)月過(guò)去了，我已經(jīng)7000使用半個(gè)月有余 ，甚至能夠挑戰(zhàn)7200，這在首發(fā)都是無(wú)法想象的。

下面就讓我以ROG Z690I和芝奇 DDR5為例，跟大家分享下如何從XMP到7000，BIOS 版本：0811

PS：就在我寫(xiě)這個(gè)帖子的時(shí)候，ROG 主板應(yīng)該都更新了最新的BIOS，例如：Z690I是1003，APEX是1101，新BIOS對(duì)內(nèi)存的優(yōu)化可以說(shuō)是超幅度的，特別是像APEX，在新BIOS的加持下海力士顆粒的DDR5內(nèi)存已經(jīng)有了巨大進(jìn)步，7000甚至7400拷機(jī)已經(jīng)不在話下，可以說(shuō)已經(jīng)把瓶頸扔給了U和內(nèi)存；我也第一時(shí)間更新了BIOS，所以本帖Z690I截圖都是基于最新1003版本BIOS，但是拷機(jī)都是以前基于0811版本BIOS的，這里說(shuō)明下。經(jīng)過(guò)實(shí)測(cè)對(duì)于三星顆粒，1003版本跟0811版本并沒(méi)有太大區(qū)別但也有小幅度優(yōu)化，主要優(yōu)化的應(yīng)該也是海力士顆粒。

另外需要說(shuō)明的，DDR5超頻跟DDR4超頻本質(zhì)上并無(wú)差別，關(guān)鍵都是IMC/內(nèi)存/主板相互匹配，一樣要注意CPU和內(nèi)存溫度；現(xiàn)階段DDR5超頻到7000拷機(jī)對(duì)IMC/內(nèi)存/主板的要求還是比較高的，三星顆粒建議各位：四槽主板先從6600開(kāi)始嘗試，雙槽主板先從6800開(kāi)始嘗試。


內(nèi)存超頻一定要有耐心，不要連6600/6800都沒(méi)穩(wěn)定就直接7000，要先站穩(wěn)6600/6800在往上。

DDR5超頻特別需要注意：兩個(gè)內(nèi)存相關(guān)電壓??：VDD/VDDQ；
? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ? 兩個(gè)CPU相關(guān)電壓??：IVR/MCV；
VDD和VDDQ相當(dāng)于以前的內(nèi)存電壓，一般兩者保持一致，海力士顆粒比較喜歡兩者不一致，這點(diǎn)在海力士篇再說(shuō)；

IVR/MCV相當(dāng)于以前的IO/SA電壓，這是CPU內(nèi)存控制器也就是IMC兩個(gè)非常重要的電壓，這也是DDR5特有的；
BIOS里面?zhèn)鹘y(tǒng)的SA電壓僅僅屬于使用DDR4內(nèi)存才有明顯效果。


下面跟隨BIOS截圖，我們一張一張圖的來(lái)說(shuō)明：


第一步：設(shè)定防掉壓：


Z690I并不屬于傳統(tǒng)ROG，所以防掉壓選項(xiàng)里面并沒(méi)有電壓模式選擇，不過(guò)這也沒(méi)關(guān)系。兩個(gè)測(cè)量點(diǎn)現(xiàn)在應(yīng)該沒(méi)什么區(qū)別，其實(shí)除了防掉壓其他都可以AUTO，我也是習(xí)慣性手動(dòng)了。

第二步：打開(kāi)XMP：


對(duì)于ROG主板來(lái)說(shuō)，XMP一開(kāi)就解除全部限制了。另外順手把溫度上限設(shè)置雙115，再手動(dòng)選擇下內(nèi)存頻率，我這里直接給了7000，小伙伴可以從6600/6800開(kāi)始起跳。

第三步：設(shè)定CPU、內(nèi)存相關(guān)電壓：


這時(shí)候ROG主板的SP分就起了非常關(guān)鍵的作用，這代Z690主板，SP分是區(qū)分開(kāi)大核心P和小核心E的，以我這顆為例，5.3G BIOS給的參考電壓是1.335v@LV6，這電壓是隨著bios設(shè)定的頻率和防掉壓實(shí)時(shí)變化的，非常方便。我這里直接略微加點(diǎn)給1.35v以確保相對(duì)穩(wěn)定，RING我這里拉50，這個(gè)跟CPU體質(zhì)關(guān)系較大，如果是剛剛步入超頻的小伙伴，不建議帶著超頻的U再超內(nèi)存，可以全部先給AUTO或者從5.0G主頻開(kāi)始。


SA電壓，AUTO狀態(tài)下給的電壓會(huì)比較高，十二代酷睿，SA增加會(huì)略微增加CPU溫度，而IMC又怕熱，散熱一般的小伙伴一定要降低SA電壓，DDR5內(nèi)存SA設(shè)定過(guò)高反而誤事，1.0v-1.1v左右足夠超到7000-7200了。


VDD/VDDQ電壓，三星顆粒對(duì)內(nèi)存電壓并不敏感，兩者都給1.45v足夠用了，而且DDR5時(shí)代CL值也并不敏感，TRCD還是跟DDR4時(shí)代一樣不吃壓硬吃體質(zhì)，這點(diǎn)倒還是三星顆粒的強(qiáng)項(xiàng)。我這里故意把VDD和VDDQ設(shè)置的不一樣，其實(shí)三星顆粒保持一致即可。

第四步：設(shè)定CPU、PMIC相關(guān)電壓：

IVR/MCV電壓,DDR5時(shí)代最重要的兩個(gè)電壓了，前面也說(shuō)了，相當(dāng)于DDR4時(shí)代的IO/SA電壓，兩者都是CPU相關(guān)的，所以不同CPU需求的電壓是不一樣的；而且對(duì)于三星顆粒和海力士顆粒來(lái)說(shuō)，玩法完全不一樣，三星顆粒對(duì)MCV電壓非常敏感，而海力士顆粒則喜歡IVR電壓更多；

三星顆粒來(lái)說(shuō)，IVR電壓不需要太高，一般高于1.35-1.4v即可，關(guān)鍵是mcv電壓，這個(gè)要根據(jù)自己u來(lái)摸，一般區(qū)間1.25-1.35；超過(guò)1.35v大概率不行，但是我也用過(guò)一顆129k，mcv要給1.4v才能7000拷機(jī)，所以各位小伙伴一定要多試試。

PMIC下面這幾個(gè)電壓也比較關(guān)鍵：VDD/VDDQ/VDDP Switching frequency

6800以下一般AUTO，但是芝奇內(nèi)存6800以上特別吃這三個(gè)電壓，不手動(dòng)鎖定最大的1.5v，拷機(jī)很難穩(wěn)定，我猜測(cè)還是跟pimc有關(guān)，高頻狀態(tài)下對(duì)電壓變化會(huì)比較敏感，而手動(dòng)設(shè)定可以加強(qiáng)相關(guān)電壓。

最下面dram curren capability設(shè)定，默認(rèn)我用turbov看是5.0v，寶哥說(shuō)這個(gè)值是設(shè)定內(nèi)存電流，一般沒(méi)啥影響，但是我發(fā)現(xiàn)芝奇內(nèi)存默認(rèn)的5.0v不容易穩(wěn)定長(zhǎng)時(shí)間，降到4.5v左右可以長(zhǎng)時(shí)間拷機(jī)。
另外vddp電壓，默認(rèn)auto 也可以手動(dòng)鎖定1.9v-2.0v會(huì)更穩(wěn)定。

第五步：設(shè)定內(nèi)存相關(guān)時(shí)序：

DDR5內(nèi)存時(shí)序還是跟DDR4差不多，用第三時(shí)序控制第二時(shí)序，所以第二時(shí)序我很多都auto了，DDR5內(nèi)存由于頻率已經(jīng)很高了，所以很多小參在AIDA64看來(lái)影響微乎其微，關(guān)鍵還是trcd、sg、dg、tfaw、trfc等幾個(gè)比較影響效能。

我這對(duì)芝奇最大的特點(diǎn)就在于trcd在7000狀態(tài)下還任然能保持在38，目前看實(shí)屬非常優(yōu)秀。

第六步：設(shè)定ODT：

DDR5時(shí)代，ODT六組：40/240/240/40/40；40/40

AUTO狀態(tài)的ODT對(duì)海力士比較友好，三星顆粒我嘗試過(guò)還是40/80/80/40/40 40/40比較舒服，具體也可以左右微調(diào)一組。

至此六部調(diào)整完畢，可以F10保存進(jìn)入系統(tǒng)看看成果如何：


1、三星公版綠條：XMP 4800-7000??CL40-42-42

2、海盜船鉑金：XMP 5600-7000??CL38-40-40

3、芝奇焰刃：XMP 5600-7000 CL 38-40-40

4、芝奇幻鋒戟：XMP 5600-7000 CL 36-39-39

5、芝奇幻鋒戟：XMP 6000-7000 CL 36-38-38

ENJOY！