AIC那邊的消息：GA102面積同GP100 GA104面積同Hawaii
GA102估計(jì)是600mm附近，按照7nm密度計(jì)算 310-340億晶體管之間。我認(rèn)為不會(huì)超過350億【但也有可能打臉，畢竟我之前說GA100是450-500億，結(jié)果沒想到HBM2 計(jì)算是550億。我猜少了】

但GDDR6X應(yīng)該是MC不會(huì)比HBM吃晶體管多，所以理論上310-340億是一個(gè)很保守的猜測。畢竟這次GA102我確定比TU102小得多，大概是GP100和GM200水平
GA104 面積比TU104小，基本確定是GM204和Hawaii水平大概420-450mm附近，遠(yuǎn)高于GP104。 按照晶體管估計(jì)是GV100級別晶體管。大概210-230億，比TU102高一些。也沒有高太多。
GA106目前信息不明，但我猜測面積應(yīng)該是300-330mm附近 晶體管目測140-160億之間

根據(jù)我的消息，本次RT核心數(shù)量【確實(shí)沒有翻倍，只是內(nèi)核升級了。所以應(yīng)該還是一個(gè)SM一個(gè)RT。不會(huì)翻倍變成兩個(gè)】 而SM數(shù)量對比圖靈架構(gòu)提升不大，沒到96SM
老黃把RT性能控制的剛還對比圖靈架構(gòu)應(yīng)該是有1.3-1.5倍提升。因?yàn)镾M沒增加數(shù)量。
雖然SM數(shù)量提升很小，但是性能提升很大。因?yàn)锳LU團(tuán)簇結(jié)構(gòu)變化很大。雖然RT核心沒有提升，我認(rèn)為增加的核心是【CUDA】
CUDA本身增加了很大密度
所以GA104目前確實(shí)做到了GV100級別的晶體管規(guī)模，我認(rèn)為性能方面【超過2080Ti 20-30%性能沒有任何問題，畢竟晶體管要對得起性能】
安培架構(gòu)這一次RT性能和基礎(chǔ)性能是等比例提升的。所以晶體管是平均分配。
GA106晶體管數(shù)量?；臼荰U104水平。至少性能做到2080不是問題。否則就是了浪費(fèi)晶體管。

按照這個(gè)晶體管數(shù)量來說，GA102對比TU102幾乎翻倍晶體管。至少1.7-1.8倍晶體管。
性能提升60-70%絲毫沒有任何問題
【但由于現(xiàn)在并不知道具體頻率，AIC那邊沒有拿到頻率。所以無法判斷，有可能頻率很大 CUDA少，或者頻率很低，CUDA很多。這都是有可能的】
但是我AIC那邊的朋友說【這次TDP很高很高，不樂觀。所以他認(rèn)為：按照目前PCB的調(diào)試和設(shè)計(jì)，雖然NV那邊官方BIOS還沒下來，但是他猜測：頻率不會(huì)很高。?！?br/>所以： 他猜測是CUDA增加了，因?yàn)槿绻l率提升很低，晶體管又那么多，面積還那么大？
只能有一個(gè)解釋：CUDA增加，頻率很低，TDP很高。面積很大晶體管很高，發(fā)熱量很大
CUDA具體增加多少？我覺得不是翻倍，有可能是每個(gè)SM 96CUDA所以這次頻率確實(shí)可能不樂觀，因?yàn)門DP和發(fā)熱量，PCB設(shè)計(jì)，都指明了【頻率我認(rèn)為狠不樂掛，雖然官方那邊沒有給出具體BIOS參考，所以頻率方面AIC也在猜測。NV官方?jīng)]有任何對頻率的信息，但是核心的基本信息和晶體管是有一個(gè)參考了】

參考這個(gè)晶體管，和不樂觀的TDP和發(fā)熱量。我認(rèn)為頻率更加不樂觀。
所以既然頻率不樂觀，【那就基本可以判斷，這個(gè)晶體管密度規(guī)模，配合這個(gè)很夸張的TDP。說明內(nèi)部的單元數(shù)量絕對是很大很大，因?yàn)槲⒂^SM的結(jié)構(gòu)我們目前還無法判斷，最大謎團(tuán)：就是這個(gè)ALU團(tuán)簇結(jié)構(gòu)！！，一旦知道這個(gè)。一切謎團(tuán)就解開了！】因?yàn)榈浆F(xiàn)在為止，AIC那邊也不知道【為什么這次TDP那么高，按道理說。除非頻率很高，TDP才會(huì)很高。但這次TDP和PCB設(shè)計(jì)，不像是高頻率的。每瓦性能沒有提升那么大。但晶體管提升卻很大，所以應(yīng)該是ALU團(tuán)簇內(nèi)部單元數(shù)量提升更加靠譜】

如果每個(gè)SM提升到96 CUDA。那么相當(dāng)于頻率反而降低了，對比20系列可能縮水了。但是CUDA數(shù)量更多了。 參考GA100那邊的1400mhz的情況，我認(rèn)為游戲卡確實(shí)超過2000MHz幾率不大所以現(xiàn)在AIC內(nèi)部信息也不確定，而其他一些人，猜測也是兩面派。
一方認(rèn)為最終的boost 最大值可能是2300-2400Mhz水平。造成TDP很高。
另外一方認(rèn)為，晶體管這次膨脹很厲害，TDP又很高。所以頻率肯定對比20系列可能還有縮水，有可能1750mhz附近。實(shí)際boost 1950mhz。但每個(gè)SM有可能96CUDA。