前瞻研究

氣態(tài)化學(xué)污染物，是指空氣中以氣體或蒸氣形式存在的分子級(jí)污染物，在微電子潔凈室環(huán)境中，因此氣態(tài)化學(xué)污染物也稱為氣態(tài)分子污染物（Airborne Molecular Continent，AMC）

隨著芯片尺寸不斷趨向3nm或者更低，對(duì)潔凈室環(huán)境的監(jiān)控成為晶圓廠主要關(guān)注。ppt（十萬(wàn)億分之一）超低濃度的分子級(jí)氣態(tài)化學(xué)污染物成為影響產(chǎn)業(yè)發(fā)展和產(chǎn)量的主要因素。AMC分子污染物的尺寸比粒子要小5000倍及以上，AMC在半導(dǎo)體制造柵底氧化、薄膜沉積、多晶硅和硅化物形成、接觸成型、光刻等多個(gè)關(guān)鍵工藝上對(duì)晶片表面、設(shè)備表面產(chǎn)生侵蝕，還會(huì)產(chǎn)生非控制性硼化物或磷化物摻雜、晶圓表面或光學(xué)鏡面產(chǎn)生陰霾、微粒產(chǎn)塵等危害，從而大大影響了產(chǎn)品的質(zhì)量。因此需要以極高的靈敏度實(shí)時(shí)監(jiān)控AMC以防止晶圓上有覆蓋。

根據(jù)化學(xué)品的特性，在國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備及材料協(xié)會(huì)在SEMIF21-1102的標(biāo)準(zhǔn)中將潔凈室中的空氣污染物分五種：

1，酸性污染物（MA），鹽酸、硝酸、硫酸、氫氟酸等，能夠誘發(fā)硼污染；

2，堿性污染物（MB），主要是氨氣，會(huì)造成保護(hù)層顯影不良；

3，可凝性污染物（MC）,CXF，DOP，DBP，DEP，Siloxanes，Bp＞150℃

4，摻雜性污染物（MD），B2H6、BF3、AsH3，TCEP、TEP、TPP

5，金屬污染物（MM）;

兩者會(huì)造成元件表面污染，如P/N翻轉(zhuǎn)、氧化膜老化，金屬離子造成結(jié)合不緊密等。這些AMC主要來(lái)源包括工藝排風(fēng)、汽車(chē)尾氣、鍋爐排煙以及化工廠排氣等；潔凈室內(nèi)AMC的來(lái)源包括管路泄漏、清洗和濕法刻蝕設(shè)備泄漏、建筑與設(shè)備材料氣體散發(fā)和潔凈室內(nèi)人員攜帶等。

???面對(duì)日益精進(jìn)的制程工藝，AMC監(jiān)測(cè)技術(shù)也在不斷升級(jí)，瑞零科技推出的全新一代AMC在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，結(jié)合FFU，將晶圓盒內(nèi)部和潔凈室內(nèi)部實(shí)時(shí)監(jiān)控，ppt級(jí)極高靈敏度和濃度報(bào)警機(jī)制，能及時(shí)反饋給廠務(wù)端，從而控制好污染物釋放，保證良品率。

?瑞零科技將長(zhǎng)期致力于AMC在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的持續(xù)精進(jìn)，在制程工藝的過(guò)程中，瑞零科技不斷深耕，有過(guò)程光刻機(jī)內(nèi)部、晶圓盒內(nèi)部AMC監(jiān)測(cè)及AMC監(jiān)測(cè)和清潔設(shè)備一體化設(shè)備，將大大降低工藝過(guò)程污染，提升良品率。