三星電子有限公司已經(jīng)開發(fā)出一種新型的隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片，它使用一種稱為高k金屬柵極技術(shù)的創(chuàng)新技術(shù)，該技術(shù)可以提供比上一代存儲(chǔ)模塊更高的性能兩倍。

三星今天詳細(xì)介紹了該芯片（如圖）。該公司將其針對(duì)處理器密集型企業(yè)用例，例如超級(jí)計(jì)算，機(jī)器學(xué)習(xí)和分析。?

RAM芯片由許多稱為單元的微小電路組成，隨著三星等制造商不斷完善其制造技術(shù)，這些電路已經(jīng)變得越來越小。單元越小，它們可以安裝在單個(gè)芯片上的數(shù)量就越多，從而增加了容量和性能。但是需要權(quán)衡：RAM電路像所有電路一樣，隨著尺寸的縮小，變得更容易受到稱為量子隧穿的微觀現(xiàn)象的影響。?

存儲(chǔ)器單元以電子形式存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。量子隧穿使這些電子偶爾離開細(xì)胞，這種現(xiàn)象加起來降低了存儲(chǔ)芯片的整體效率，從而降低了性能。高k金屬柵極技術(shù)是三星快速新芯片的基礎(chǔ)上的創(chuàng)新，可通過減輕量子隧穿效應(yīng)來提高性能。

該技術(shù)用一種更難于電子穿過的材料來交換芯片存儲(chǔ)單元中的一些硅。該公司表示，結(jié)果是每秒7200兆位的最大數(shù)據(jù)傳輸速度。這是DDR4支持的最大速度的兩倍以上，DDR4是為當(dāng)今市場(chǎng)上許多存儲(chǔ)模塊提供動(dòng)力的行業(yè)規(guī)范。

三星快速的新芯片基于標(biāo)準(zhǔn)的最新版本DDR5，并提供512 GB的容量。該芯片由四個(gè)包含八層的內(nèi)存“堆棧”組成。每一層又可以容納16 GB的數(shù)據(jù)，并通過稱為貫通硅通孔的微型電氣連接與模塊的其余部分相連。硅通孔比傳統(tǒng)的布線技術(shù)更有效率，因?yàn)樗鼈冎苯忧度氲叫酒校@使電子可以更短地到達(dá)目的地。

增加內(nèi)存速度有助于提高整體設(shè)備性能。更快的RAM模塊使系統(tǒng)的處理器能夠在執(zhí)行計(jì)算時(shí)更快地獲取和寫入數(shù)據(jù)。?

三星表示，除了速度更快之外，其新芯片還具有另一個(gè)優(yōu)勢(shì)：更節(jié)能。與現(xiàn)有技術(shù)相比，該公司承諾將減少約13％的電力消耗。效率的提高將為邊緣計(jì)算設(shè)備和自動(dòng)駕駛汽車帶來福音，它們必須在性能要求與電池尺寸限制之間取得平衡。

三星表示，已經(jīng)開始向客戶提供基于新技術(shù)的芯片樣品。