界面新聞2月22日消息，英國(guó)多孔氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體材料開(kāi)發(fā)商和Micro LED技術(shù)提供商Porotech近日宣布完成2000萬(wàn)美元A輪融資。本輪融資由專注于技術(shù)領(lǐng)域早期和成長(zhǎng)型投資的阿米巴資本領(lǐng)投，三星風(fēng)投，弘暉基金，及個(gè)人投資人跟投，老股東Speedinvest持續(xù)加注跟投。

公開(kāi)資料顯示，Porotech是劍橋大學(xué)孵化的公司，致力于寬帶隙化合物 GaN 半導(dǎo)體的開(kāi)發(fā)，通過(guò)應(yīng)用材料技術(shù)和解決方案，釋放GaN 的全部應(yīng)用潛力。

所謂“氮化鎵“是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表。而Porotech公司運(yùn)用獨(dú)特技術(shù)研發(fā)出的多孔氮化鎵材料，在其內(nèi)部分布著直徑為幾十納米的小孔，可以用來(lái)進(jìn)行光學(xué)及多種材料特性的定制開(kāi)發(fā)。根據(jù)智慧芽此前發(fā)布的《第三代半導(dǎo)體-氮化鎵(GaN)技術(shù)洞察報(bào)告》，全球在氮化鎵產(chǎn)業(yè)已申請(qǐng)16萬(wàn)多件專利，有效專利6萬(wàn)多件。在該領(lǐng)域中，中美日三國(guó)的技術(shù)實(shí)力較強(qiáng)，且中美日市場(chǎng)較熱。

具體來(lái)看Porotech公司的技術(shù)儲(chǔ)備，智慧芽數(shù)據(jù)顯示，Porotech當(dāng)前在全球126個(gè)國(guó)家/地區(qū)中，共有超過(guò)20件專利申請(qǐng)，且均為發(fā)明專利。進(jìn)一步分析該公司全部20余件專利，可以發(fā)現(xiàn)Porotech的專利布局主要專注于氮化物等相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域。