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AMD AM5 主板戰(zhàn)未來:新 BIOS 可在 1.3V Soc 電壓內(nèi)實現(xiàn) DDR5 8000 內(nèi)存頻率

2023-07-19 15:14 作者:Cc落敗  | 我要投稿

IT之家(問舟)


IT之家 7 月 19 日消息,隨著各大廠商更新 AMD 600 系列主板的 AGESA1.0.0.7 BIOS,有用戶發(fā)現(xiàn) AMD 似乎解鎖了新的內(nèi)存同步模式,擁有更好的兼容性,可以穩(wěn)定解鎖更高的內(nèi)存頻率。


昨天突然出現(xiàn)了大量達(dá)成 DDR5 8000 的超頻用戶,國內(nèi)也有許多用戶在不同主板上完成實際操作驗證,部分用戶可以在 1.3V Soc 電壓以內(nèi)達(dá)成 8000MT/s,就算是普通用戶也可以在 1.2V SOC 下實現(xiàn) 7200MT/s 的水平。


▲ 著名超頻玩家 Buildzoid 在華擎 B650 LiveMixer 上超到了 DDR5-8000,MCLK:UCLK:FCLK=2:1:1
▲ overclock 論壇用戶 @k_mic 使用 ROG X670E GENE 也達(dá)到了同樣的成績,但 FCLK 頻率比 Buildzoid 略高
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值得一提的是,AMD 對于高頻內(nèi)存的支持存在一點問題,初次開機(jī)會比較慢,一位 reddit 用戶表示,他從按下電源按鈕到進(jìn)入桌面(從 S4 / S5)大約需要 15 秒(DDR5 7600-7800, 7950X3D)時間。


此外,還有用戶反饋稱:如果在關(guān)閉 GDM / PDM 的情況下使用 MCR,它仍然會導(dǎo)致藍(lán)屏。IT之家提醒,目前還有很多廠商的 AGESA1.0.0.7 BIOS 處于測試階段,如果沒有相關(guān)超頻經(jīng)驗不要輕易嘗試。


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