驅(qū)動(dòng)器的變化率對(duì)于GCT的操作至關(guān)重要。陰極電流必須在小于1μs的時(shí)間內(nèi)關(guān)閉，否則器件將進(jìn)入特性的不穩(wěn)定部分。這對(duì)應(yīng)于3 kA GCT的dIG/dt≥3000 A/μs，而對(duì)于其他類型，則或多或少成比例。對(duì)于柵極電路的給定電感，需要的電壓分別是對(duì)于給定柵極電壓的電感。另一方面，只有在低電壓下才有可能實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單、可靠和經(jīng)濟(jì)高效的驅(qū)動(dòng)單元。

理想的電壓是–20 V，因?yàn)闁艠O在關(guān)斷后可以承受這種電壓。用于中斷3kA的允許泄漏電感為6nH或更小，其僅為GTO的通常值的1/50。通過采用設(shè)備連接的同軸配置和與電源的多層連接，可以實(shí)現(xiàn)該值。

邁向IGCT轉(zhuǎn)換器的一步——最佳硅樹脂技術(shù)所謂的硬盤驅(qū)動(dòng)器解決了GTO的驅(qū)動(dòng)器問題。這實(shí)際上也改進(jìn)了標(biāo)準(zhǔn)GTO晶片，并且GCT制造商在設(shè)計(jì)晶片以獲得所需的開關(guān)特性時(shí)不再需要妥協(xié)。GCT晶片可以比GTO晶片薄得多，這為等離子體工程技術(shù)的利用鋪平了道路。GCT因此產(chǎn)生的損失比GTO低得多。

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