課程名稱

清華集成電路

輔導(dǎo)科目

半導(dǎo)體器件與電子電路（832）

適用學(xué)校、專業(yè)

清華大學(xué)集成電路學(xué)院

學(xué)生分析

學(xué)生為跨專業(yè)考試，本科專業(yè)跟目標(biāo)專業(yè)有相關(guān)性，具備一定的思維框架，對課程有熟悉度和較好的理解能力，但備考需要從最基本的基礎(chǔ)知識學(xué)習(xí)。針對學(xué)生本科學(xué)過的數(shù)字電路和模擬電路，在授課過程中會稍微加速，針對學(xué)生本科階段沒有學(xué)過的課程（半導(dǎo)體物理與器件、CMOS模擬集成電路設(shè)計），會在基礎(chǔ)階段花比較多的時間來針對這兩門課進(jìn)行講解。學(xué)生的學(xué)習(xí)能力和學(xué)習(xí)態(tài)度都很不錯，不過基礎(chǔ)較為薄弱，所以需要在課堂通過講解內(nèi)容+講解題目并行的方法進(jìn)行授課。

課程目標(biāo)

針對此考生的特點(diǎn)，復(fù)習(xí)分三輪，復(fù)習(xí)階段采用先緊后松的模式：

一、第一階段（7月底-9月初）

1.復(fù)習(xí)目標(biāo)：抓住主干，建立知識體系，夯實(shí)基礎(chǔ)，完成一輪內(nèi)容復(fù)習(xí)（數(shù)字電路、電子線路基礎(chǔ)、半導(dǎo)體物理與器件），同時課后大部分重點(diǎn)題目都會在課堂進(jìn)行講解。

2、學(xué)習(xí)形式：

?課上：課本內(nèi)容講解和課后重點(diǎn)習(xí)題講解；

?課下：完成課后練習(xí)題。

3、專業(yè)課基礎(chǔ)：

?8月重點(diǎn)：帶領(lǐng)學(xué)生講解課本重點(diǎn)內(nèi)容，包括數(shù)字電路基礎(chǔ)、電子線路基礎(chǔ)和半導(dǎo)體物理與器件（預(yù)計57小時）；

?9月重點(diǎn)：。

二、第二階段（9-10月）

1、復(fù)習(xí)目標(biāo)：針對第一輪復(fù)習(xí)的重點(diǎn)內(nèi)容進(jìn)行梳理，重點(diǎn)題目單獨(dú)講解。通過二輪復(fù)習(xí)，使學(xué)生對考試框架及重點(diǎn)有比較全面的掌握，同時在本階段進(jìn)行模集課程的講解

2、學(xué)習(xí)形式

?課上：考點(diǎn)框架梳理+模集內(nèi)容講解；

?課下：完成課后習(xí)題。

3、專業(yè)課強(qiáng)化

?9月：在電子線路基礎(chǔ)（模電）的基礎(chǔ)上進(jìn)行模集這門課的講解（預(yù)計10小時）；

?10月：考點(diǎn)框架梳理（預(yù)計3小時）。

三、第三階段：（11-12月）

1、復(fù)習(xí)目標(biāo)：沖刺訓(xùn)練，保持良好心態(tài)，心中有數(shù)。

2、學(xué)習(xí)形式：

?課上：考真題講解。

?課下：真題訓(xùn)練。

3、專業(yè)課沖刺：

?12月：真題模擬，重點(diǎn)講解（預(yù)計5小時）

考研形勢分析

清華大學(xué) 832（半導(dǎo)體器件與電子線路基礎(chǔ)）考研的歷年真題，主要包括三個部分：數(shù)字電路（50分）、電子線路基礎(chǔ)/模擬集成電路（50分）和半導(dǎo)體物理與器件（50 分）。清華832專業(yè)課考試難度較大，且有壓分情況，雖然單科線僅為70分，依然大部分人無法過線，所以專業(yè)課能否過線基本上決定了學(xué)生能否進(jìn)入復(fù)試。雖然難度較大，但是只要掌握正確的復(fù)習(xí)方向和合理的復(fù)習(xí)方法，相信專業(yè)課還是可以取得不錯的成績。

考研真題分析

1、數(shù)電部分應(yīng)該是 832 最容易拿分的部分了，要想過線，一定要數(shù)電的 50 分盡可能的拿到高分。10-21 年數(shù)電考察范圍波動不大，基本上每章節(jié)會有一道習(xí)題，設(shè)計題和分析題分值略微大一些。22-23 年增加了一些 PLD 編程、CMOS 門電路、邏輯芯片的使用（全加器/ 數(shù)據(jù)選擇器）和時序分析的內(nèi)容（建立時間、保持時間），這也要求我們改變以往選擇性復(fù)習(xí)數(shù)電的思維，每個章節(jié)都盡可能的掌握（市面上有針對性的習(xí)題集，建議做）。

2、模電/模集這部分，10-20 年的初試習(xí)題，主要還是以高文煥老師的電子線路基礎(chǔ)這本教材為主，考察 MOS 電路一般只會考察簡單的單級放大電路（一般共源），然后分析靜態(tài)工作點(diǎn)，求交流小信號增益，偶爾搞個差分放大電路接個反饋，高文煥老師這本教材基本夠用。21-23 年，這部分考題基本向模集轉(zhuǎn)變，比如 21 年的 gain-boosting 電路，22 年應(yīng)該是個類似于源跟隨器的結(jié)構(gòu)，23 年噪聲和差分電路等等，都是模集的習(xí)題冊里面經(jīng)典題目，所以24考研的考生還是要吃透拉扎維這本教材

3、交半導(dǎo)體這部分內(nèi)容，10-20 年題型很固定，雙極輸運(yùn)方程、肖克萊方程以及 MOS 管的閾值電壓公式基本上每年必考，累計分值都在 30-35 分，其他部分主要考察概念題，計算題計算難度較大，因此需要掌握一些考場速算技巧。這一階段的話，學(xué)習(xí)尼曼這本教材完全足夠。近三年來（21、22、23）基本不再考察計算，公式推導(dǎo)和能帶圖成為考察的重點(diǎn)，比如 22 年的異質(zhì)結(jié)能帶圖和 23 年 mos 沿溝道方向的能帶圖，以及 21 年推導(dǎo)丹倍電場/電勢、22 年推導(dǎo) MIS 結(jié)構(gòu)的最大耗盡層厚度、23 年推導(dǎo) PN 結(jié)擴(kuò)散電容，都是比較新的內(nèi)容。如果在初試復(fù)習(xí)過程中只學(xué)尼曼這本教材，個人感覺已經(jīng)不能適應(yīng)考試的要求了，還是推薦學(xué)習(xí)劉恩科老師的半導(dǎo)體物理這本教材作為補(bǔ)充。

課程主要內(nèi)容

1.第一輪復(fù)習(xí)：抓住主干，建立知識體系，夯實(shí)基礎(chǔ)，完成一輪的復(fù)習(xí)。

2.第二輪復(fù)習(xí)：開始梳理考試大綱，并補(bǔ)充模集知識。

3.第三輪復(fù)習(xí)：模擬真題訓(xùn)練，沖刺訓(xùn)練。

學(xué)時分配

鑒于課時有限，教學(xué)主要采用引導(dǎo)式復(fù)習(xí)方法, 針對課程目標(biāo)中的教學(xué)方法的三輪，各部分時間安排如下：基礎(chǔ)階段：57小時；強(qiáng)化階段：13小時；沖刺階段：3小時；共75小時。

課程考核

主要采用課前作業(yè)、課堂講評與課后任務(wù)、目標(biāo)院校的考研真題。

必看參考書目

1、電子線路基礎(chǔ)第二版（高文煥）和課后題

2、半導(dǎo)體物理與器件第四版（尼曼）和課后題

3、數(shù)字電路技術(shù)基礎(chǔ)第六版（閆石）及習(xí)題

4、2010 年~2023 年真題

選讀參考資料

《半導(dǎo)體物理》 劉恩科

本文具有一定時效性

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