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半導(dǎo)體存儲(chǔ)
半導(dǎo)體存儲(chǔ)：數(shù)據(jù)的蓄水池
存儲(chǔ)器是指利用磁性材料或半導(dǎo)體等材料作為介質(zhì)進(jìn)行信息存儲(chǔ)的器件。半導(dǎo)體
存儲(chǔ)器利用半導(dǎo)體介質(zhì)貯存電荷以實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)，存儲(chǔ)與讀取過(guò)程體現(xiàn)為電荷的
貯存或釋放，半導(dǎo)體存儲(chǔ)是集成電路的重要分支。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織
（WSTS）數(shù)據(jù)，2022 年全球集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模為 4744.02 億美元，其中存儲(chǔ)芯片
規(guī)模為 1297.67 億美元，約占集成電路產(chǎn)業(yè)總體規(guī)模的 22.6%，與邏輯芯片共同
構(gòu)成集成電路產(chǎn)業(yè)的兩大支柱。

存儲(chǔ)芯片作為全球半導(dǎo)體行業(yè)第一大細(xì)分領(lǐng)域可分為易失性和非易失性?xún)深?lèi)，易失性存儲(chǔ)又可分為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)（DRAM）和靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)（SRAM）。其中 DRAM具備集成度高、低功耗、低成本、體積小等顯著優(yōu)勢(shì)，通常用于智能手機(jī)及服務(wù)器內(nèi)存。非易失性存儲(chǔ)主要包括 NAND FLASH 和 NOR FLASH，其中 NAND 被廣泛用于 SSD、eMMC/EMCP、U 盤(pán)等高端大容量產(chǎn)品，NOR 則主要用于智能穿戴、汽車(chē)電子、AMOLED 等領(lǐng)域。

（1）易失性存儲(chǔ)是運(yùn)行程序臨時(shí)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)媒介，供 CPU 讀寫(xiě)處理，占存儲(chǔ)市場(chǎng)的 57%。RAM 需要維持通電以臨時(shí)保存數(shù)據(jù)供主系統(tǒng) CPU 讀寫(xiě)和處理。由于 RAM可以實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)的高速讀寫(xiě)，可作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。在此基礎(chǔ)上，RAM 根據(jù)是否需要周期性刷新以維持?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)，進(jìn)一步分為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）需要在通電狀態(tài)下通過(guò)周期性刷新來(lái)維持?jǐn)?shù)據(jù)；靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）則不需要周期性刷新。SRAM 的速度更快、耗電量較低但存儲(chǔ)器容量較低且制造成本較高，通常用于緩存；DRAM 的成本更低，密度更大，主要用作主處理器存儲(chǔ)器。

（2）非易失性存儲(chǔ)主要指只讀存儲(chǔ)器（ROM），無(wú)需持續(xù)通電亦能長(zhǎng)久保存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，占存儲(chǔ)市場(chǎng)的 43%。ROM 包括掩膜只讀存儲(chǔ)器（Mask ROM）、可編程只讀存儲(chǔ)器（PROM）、可編程可擦除只讀存儲(chǔ)器（EPROM）、電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）和快閃存儲(chǔ)器（Flash）等不同階段產(chǎn)生的產(chǎn)品。Flash 作為主要應(yīng)用包括 NAND Flash 和 NOR Flash。NAND Flash（占 40%）是一種半導(dǎo)體單元串聯(lián)排列的閃存，其閃存單元垂直排列,可實(shí)現(xiàn)大容量化；同時(shí)無(wú)需記憶各單元的位置,寫(xiě)入速度很快。由于其小型化和大容量化, NAND 閃存常常被用作各種移動(dòng)設(shè)備和電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)設(shè)備，是目前全球市場(chǎng)大容量非易失存儲(chǔ)的主流技術(shù)方案。
NOR Flash 是一種半導(dǎo)體單元并聯(lián)排列的閃存，由于并聯(lián)排列的,它的數(shù)據(jù)檢索快, 讀取速度快且數(shù)據(jù)安全性高；但 NOR 由于要記住各個(gè)單元的地址電路較為復(fù)雜, 儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的空間小,很難實(shí)現(xiàn)大容量化，在小容量場(chǎng)景中具備經(jīng)濟(jì)效益。

存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈包括存儲(chǔ)顆粒制造環(huán)節(jié)（晶圓廠(chǎng)+設(shè)計(jì)公司）、存儲(chǔ)應(yīng)用環(huán)節(jié)（模組廠(chǎng)+主控芯片）及封測(cè)廠(chǎng)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器由于布圖設(shè)計(jì)與晶圓制造的技術(shù)結(jié)合更為緊密且標(biāo)準(zhǔn)化程度高，主要以 IDM 模式為主，非 DRAM、NAND 主流產(chǎn)品即利基存儲(chǔ)領(lǐng)域有部分設(shè)計(jì)公司參與。在應(yīng)用環(huán)節(jié)，存儲(chǔ)原廠(chǎng)完成晶圓制造后，仍需開(kāi)發(fā)大量應(yīng)用技術(shù)以實(shí)現(xiàn)從標(biāo)準(zhǔn)化存儲(chǔ)晶圓到具體存儲(chǔ)產(chǎn)品的轉(zhuǎn)化，包括主控芯片、固件開(kāi)發(fā)、封測(cè)等環(huán)節(jié)，最終由存儲(chǔ)原廠(chǎng)或模組廠(chǎng)商以成品形式推向市場(chǎng)。

在終端產(chǎn)品上，存儲(chǔ)原廠(chǎng)聚焦大宗市場(chǎng)，存儲(chǔ)模組廠(chǎng)商則聚焦客制化細(xì)分市場(chǎng)。
存儲(chǔ)原廠(chǎng)憑借晶圓優(yōu)勢(shì)向下游存儲(chǔ)產(chǎn)品領(lǐng)域滲透，以晶圓的創(chuàng)新設(shè)計(jì)與制程提升聚焦于具有大宗數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求的行業(yè)和客戶(hù)（如智能手機(jī)、個(gè)人電腦及服務(wù)器行業(yè)的頭部客戶(hù)）。而對(duì)于產(chǎn)品差異化較大需客制化的長(zhǎng)尾細(xì)分行業(yè)市場(chǎng)（如工業(yè)控制、商用設(shè)備、汽車(chē)電子、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、家用電器、影像監(jiān)控、物聯(lián)網(wǎng)硬件等）以及主流應(yīng)用市場(chǎng)中小客戶(hù)，則由獨(dú)立的存儲(chǔ)模組廠(chǎng)商進(jìn)行開(kāi)拓。

未來(lái)存儲(chǔ)將向高密度、大容量方向發(fā)展

從平面到 4D，NAND 存儲(chǔ)密度不斷提升

提高存儲(chǔ)單元的可存儲(chǔ)數(shù)位（bit）量和提升 3D NAND Flash 的堆疊層數(shù)是存儲(chǔ)密度提升的主要方式。NAND Flash 的進(jìn)化過(guò)程中最重要的趨勢(shì)就是每個(gè)單元擁有更高的密度，從 Single Level Cell(SLC)對(duì)應(yīng) 1bit、Multi Level Cell(MLC)對(duì)應(yīng) 2bit、Triple Level Cell(TLC)對(duì)應(yīng) 3bit 到 Quadruple Level Cell(QLC)對(duì)應(yīng)4bit 發(fā)展，存儲(chǔ)密度得到提升。但由于在 2D 形式下，單位存儲(chǔ)單元密度提升會(huì)帶來(lái)擦寫(xiě)次數(shù)減少、可靠性降低和單元間干涉現(xiàn)象嚴(yán)重等問(wèn)題，3D NAND 技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。3D NAND 大幅減少了單元（Cell）之間的干擾影響，提高了單元自身的特性，并持續(xù)提高積層單數(shù)就能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)容量的擴(kuò)大及成本節(jié)約，其讀寫(xiě)速度、功耗、成本、耐久性、數(shù)據(jù)傳輸速度及容量等均展現(xiàn)出卓越的優(yōu)勢(shì)。

為提升性能和容量，3D NAND 的存儲(chǔ)單元基本結(jié)構(gòu)從浮柵結(jié)構(gòu) FG 逐步升級(jí)。以美光為例，當(dāng) 3D NAND 通過(guò)創(chuàng)建垂直單元堆棧實(shí)現(xiàn)空間縮小，而單元間產(chǎn)生的電容耦合導(dǎo)致編程時(shí)間增加或性能降低時(shí)，美光設(shè)計(jì)了 RG NAND 結(jié)構(gòu)。通過(guò)加入一層非導(dǎo)電的氮化硅 (SiN) 層充當(dāng)存儲(chǔ)電荷的絕緣體，減輕了電容耦合；利用金屬作為控制柵極以延長(zhǎng)使用壽命；最終讀取和擦除速度比當(dāng)前 3D NAND 快兩倍。

3D NAND 為閃存市場(chǎng)主流產(chǎn)品，22 年應(yīng)用占比超 80%，隨存儲(chǔ)密度要求提升層數(shù)增加。自 2013 年后，3D NAND 的堆疊層數(shù)出現(xiàn)了快速增長(zhǎng)。2015 年推出了 48 層NAND，2017 年推出 64 層，2019 年 96 層，2020 年 128 層，2021 年 176 層，2022年 232 層。目前，三星、美光、SK 海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等均超過(guò)了 200 層。根據(jù) Yole數(shù)據(jù)，128 層 NAND 仍為主要工藝，232 層 NAND 將隨數(shù)據(jù)中心等需求增加加速滲透。

從 1X 到 1Z，DRAM 制程不斷縮小

DRAM 占據(jù)全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)第一大份額，手機(jī)和服務(wù)器推動(dòng) DRAM 市場(chǎng)需求擴(kuò)大。
DRAM 按照產(chǎn)品分類(lèi)可分為 DDR/LPDDR/GDDR 和傳統(tǒng)型（Legacy/SDR）DRAM，其中DDR(DDR SDRAM 雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是 DRAM 應(yīng)用最廣的產(chǎn)品類(lèi)型。通常 SDRAM 在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，而 DDR 則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)可傳輸兩次。隨著 CPU 內(nèi)核數(shù)增加，為保證每個(gè)核的帶寬不變，整體 DDR 的帶寬（Bandwidth）及功耗要求不斷提升，DDR 由第一代升級(jí)至第五代 DDR5。相比DDR4，DDR5 數(shù)據(jù)傳輸速度與有效帶寬翻倍。

先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)與封裝技術(shù)的演進(jìn)是 DDR 升級(jí)的核心要素。每個(gè)節(jié)點(diǎn)級(jí)數(shù)都代表芯片中晶體管和電容器的最小組件縮小，14 年三星率先實(shí)現(xiàn) 20nm 量產(chǎn)(4Gb DDR3DRAM)，此后 DRAM 制程每?jī)赡甑?，?1Xnm(16nm-19nm)到 1Ynm(14nm-16nm)到1Znm（12-14nm，DDR4X/5 及 LPDDR4X/5)；22 年美光推出了 1βDRAM 技術(shù)，該技術(shù)初步可使 LPDDR5X 效率提升 15%。在此基礎(chǔ)上，硅通孔（TSV）技術(shù)可實(shí)現(xiàn) DRAM芯片的多層堆疊，提升模塊容量；例如三星 DDR5 利用 TSV 技術(shù)堆疊了 8 層 16GB DRAM 芯片，DDR5 模塊容量提升至 512GB。

預(yù)計(jì)未來(lái) 5 年數(shù)據(jù)中心對(duì) DRAM 的需求復(fù)合增速將超 30%，DDR5 作為高性?xún)r(jià)比的內(nèi)存形式將成為 DRAM 的主要出貨類(lèi)型。根據(jù) Yole 及 IDC 數(shù)據(jù)，盡管 23 年 PC、服務(wù)器需求恢復(fù)有限，DDR5 滲透率提升較慢，隨著 AI、服務(wù)器及物聯(lián)網(wǎng)帶來(lái)的計(jì)算需求增加，未來(lái)五年，DRAM 需求將快速增長(zhǎng)。其中 DDR5 作為高性能低功耗的新一代產(chǎn)品，將廣泛應(yīng)用于大多數(shù)的計(jì)算場(chǎng)景中，成為主流產(chǎn)品，25 年后滲透率將超 60%。盡管 HBM（High Bandwidth Memory）在高度并行計(jì)算、計(jì)算機(jī)視覺(jué)、AI 等應(yīng)用中有卓越的性能優(yōu)勢(shì)，但考慮其成本、內(nèi)存靈活性等因素，DDR5 將在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)占據(jù)主要的內(nèi)存應(yīng)用市場(chǎng)。

“內(nèi)存墻”的限制將促進(jìn) TSV(硅通孔)、混合鍵合為基礎(chǔ)的先進(jìn)內(nèi)存封裝技術(shù) 26年占比將在 20 年基礎(chǔ)上增加兩倍以上。隨著數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用不斷增長(zhǎng)，目前處理器算力超過(guò)存儲(chǔ)芯片存取能力，內(nèi)存和處理單元之間的數(shù)據(jù)傳輸帶寬受限即受到“內(nèi)存墻”的阻礙；以 HBM（高帶寬存儲(chǔ)器，High Bandwidth Memory）為代表的新型內(nèi)存封裝形式應(yīng)運(yùn)而生。根據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，2026 年內(nèi)存封裝市場(chǎng)將增至 198億美元，其中 TSV、混合鍵合等先進(jìn)封裝技術(shù)占比將由 2020 年不到 5%增至約 18%。

根據(jù) Trendforce 數(shù)據(jù)，高端 GPU 需求提升將拉動(dòng) HBM23 年需求量增加 58%，24年將再增加 30%。HBM 是利用 TSV 和熱壓鍵合等技術(shù)將 DRAM 芯片進(jìn)行堆疊并與 GPU 一起封裝以實(shí)現(xiàn)更高的傳輸帶寬的新型內(nèi)存封裝形式。從傳輸位寬來(lái)看，通過(guò)該種互連方式，每層 DRAM 芯片有兩個(gè) 128 bits 通道，若堆疊 4 層 DRAM 芯片對(duì)應(yīng)1024 bits 即 1024 個(gè)數(shù)據(jù)引腳；若 GPU 周?chē)渲?4 塊該類(lèi)型 HBM 內(nèi)存，則總位寬為 4096 bits；相比 GDDR5 顯存 16 通道對(duì)應(yīng) 512 bits 大幅提升，適用于游戲和圖形處理等高并行任務(wù)對(duì)帶寬要求高的應(yīng)用。

根據(jù) Trendforce 數(shù)據(jù)，HBM 市場(chǎng)被海力士(占 53%)、三星(占 38%)和美光(占 9%)三大內(nèi)存原廠(chǎng)占據(jù)。2014 年，AMD 與海力士合作開(kāi)發(fā)出了全球第一代 HBM，隨后海力士相繼推出了 HBM2、HBM2E、HBM3 等產(chǎn)品，內(nèi)存 Die 堆疊層數(shù)由 4 層增至 12層，單顆 HBM 容量可達(dá) 24GB；此外，三星 HBM3 亦開(kāi)始量產(chǎn)，并推出了 HBM-PIM(存算一體)產(chǎn)品；美光 HBM2E 于 21 年開(kāi)始量產(chǎn)。隨著 NVIDIA GPU H100、A100 采用了 HBM2e、HBM3 技術(shù)，HBM 應(yīng)用將逐步走向成熟，成為 AI 服務(wù)器與高端 GPU 的主要封裝形式。

存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)：周期與成長(zhǎng)并存存

儲(chǔ)格局：準(zhǔn)入門(mén)檻不斷提升，上游原廠(chǎng)高度集中

存儲(chǔ)芯片的周期性明顯，波動(dòng)大于半導(dǎo)體整體行業(yè)。全球半導(dǎo)體是螺旋演進(jìn)的周期性行業(yè)，其中存儲(chǔ)芯片相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)化，因此周期性更為明顯。從 2000 年以來(lái)的增速看，全球存儲(chǔ)芯片的銷(xiāo)售額同比增速波動(dòng)性大于全球半導(dǎo)體：

PC 與手機(jī)創(chuàng)新：02 到 04 年，PC、筆記本需求拉動(dòng)存儲(chǔ)芯片景氣上行；09 到11 年，全球經(jīng)濟(jì)變化帶來(lái)行業(yè)短期波動(dòng)，3G 手機(jī)和上網(wǎng)本的出現(xiàn)拉動(dòng)了內(nèi)存的需求。13 到 14 年，4G 智能手機(jī)滲透率提升，互聯(lián)網(wǎng)+帶來(lái)計(jì)算量提升，拉動(dòng)存儲(chǔ)進(jìn)入上行周期。

視頻流量興起：16 年到 18 年，視頻流量與智能化場(chǎng)景應(yīng)用帶來(lái)的存儲(chǔ)擴(kuò)容帶動(dòng)存儲(chǔ)芯片景氣上行；而各大存儲(chǔ)大廠(chǎng)處于由 32 層向 64 層技術(shù)過(guò)渡階段，產(chǎn)能使用率和良率偏低，存儲(chǔ)器進(jìn)入供不應(yīng)求狀況，價(jià)格大幅上漲，2017 年全球存儲(chǔ)芯片銷(xiāo)售額同比增長(zhǎng) 61.5%。2018 下半年到 2020 年上半年，手機(jī)銷(xiāo)量疲弱，存儲(chǔ)廠(chǎng)商擴(kuò)產(chǎn)和技術(shù)升級(jí)完成供過(guò)于求，2019 全球存儲(chǔ)芯片銷(xiāo)售額同比減少 32.6%。

疫情與供應(yīng)鏈本土化：2020 下半年到 2021 年底，疫情帶動(dòng)的居家辦公、線(xiàn)上學(xué)習(xí)帶動(dòng) PC 和數(shù)據(jù)中心需求帶動(dòng)存儲(chǔ)芯片景氣上行；同時(shí)部分晶圓廠(chǎng)或封裝廠(chǎng)因?yàn)橐咔橥９?，供給不足，全球存儲(chǔ)芯片月銷(xiāo)售額增幅擴(kuò)大。2022 年至今, 由于過(guò)渡下單導(dǎo)致的高庫(kù)存、通脹及經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇趨緩導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片需求和價(jià)格持續(xù)走低。

DRAM 產(chǎn)品偏標(biāo)準(zhǔn)化使得其具備了大宗商品屬性，行業(yè)經(jīng)歷整合后 CR3 達(dá) 90%左右。當(dāng)需求下降時(shí)，一方面廠(chǎng)商試圖通過(guò)大幅降低價(jià)格來(lái)獲得市占率，另一方面晶圓廠(chǎng)需要滿(mǎn)負(fù)荷運(yùn)行已分?jǐn)偣潭ǔ杀荆òㄕ叟f）很高；因此當(dāng)需求放緩時(shí)，會(huì)導(dǎo)致供應(yīng)過(guò)剩，使價(jià)格和利潤(rùn)面臨壓力。 自 2012 年以來(lái)，內(nèi)存行業(yè)不斷整合，95年前十大 DRAM 廠(chǎng)商占據(jù)了約 80%的市場(chǎng)份額，到 13 年美光科技、三星和 SK 海力士占據(jù)了 90%以上的市場(chǎng)份額，期間由于終端應(yīng)用需求下降、匯率變化及資本投入受限等因素使得奇夢(mèng)達(dá)、爾必達(dá)相繼破產(chǎn)，行業(yè)整合形成了高度集中的格局。

隨工藝節(jié)點(diǎn)提升，內(nèi)存需要的資金投入、規(guī)模與技術(shù)能力使得市場(chǎng)難以進(jìn)入。在行業(yè)整合階段，由于工藝節(jié)點(diǎn)提升帶來(lái)的準(zhǔn)入門(mén)檻提升使得行業(yè)鮮有新進(jìn)入者。
工藝節(jié)點(diǎn)的縮小使得晶圓廠(chǎng)和工藝開(kāi)發(fā)成本每年飆升 13%以上，建造一座新晶圓廠(chǎng)的成本在百億美元量級(jí)，需要國(guó)家和社會(huì)資本的大力支持。此外，內(nèi)存 bits的單價(jià)逐年降低，因此要求內(nèi)存廠(chǎng)商不斷迭代以維持產(chǎn)品 ASP，因此對(duì)技術(shù)要求提出了較多的挑戰(zhàn)。

存儲(chǔ)現(xiàn)狀：價(jià)格觸底，周期底部拉長(zhǎng)

供需受多因素影響波動(dòng)性增強(qiáng)且周期拉長(zhǎng)。由于 COVID-19 放緩了供給端增長(zhǎng)而居家模式拉動(dòng)需求端加速增長(zhǎng)，供需缺口拉大帶來(lái)了行業(yè) 20-21 年的景氣上行，隨生活常態(tài)化內(nèi)存市場(chǎng)增長(zhǎng)放緩 22 年開(kāi)啟下行周期。由于過(guò)度下單與積極擴(kuò)產(chǎn)導(dǎo)致庫(kù)存高企，此外地緣政治、全球通脹、消費(fèi)情緒低迷導(dǎo)致需求恢復(fù)有限，供需調(diào)整周期拉長(zhǎng)。

1Q23 全球 DRAM 收入規(guī)模環(huán)比減少 21.2%。根據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù)，1Q23 DRAM 產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入約 96.6 億美元，環(huán)比減少 21.2%，已經(jīng)連續(xù)三個(gè)季度下降。目前由于市場(chǎng)供過(guò)于求的狀況仍未改善，價(jià)格持續(xù)下跌；隨著原廠(chǎng)陸續(xù)減產(chǎn)后，預(yù)計(jì) DRAM下半年價(jià)格的跌幅有望逐季收斂?？紤] 2Q23 雖然出貨量有所增加，但因價(jià)格跌幅較大，預(yù)計(jì)營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)幅度有限。

1Q23 全球 NAND Flash 收入規(guī)模環(huán)比減少 16.1%。根據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù)，1Q23 NAND Flash 產(chǎn)業(yè)規(guī)模約 86.3 億美元，環(huán)比減少 16.1%；主要由于第一季度 NAND Flash購(gòu)買(mǎi)方采購(gòu)意愿保守，供應(yīng)商持續(xù)降價(jià)求售，因此 1Q23 NAND Flash 位元出貨量?jī)H環(huán)比微增 2.1%，而平均銷(xiāo)售單價(jià)（ASP）環(huán)比減少 15%。TrendForce 預(yù)計(jì) 2Q23位元出貨量環(huán)比增長(zhǎng) 5.2%，但 ASP 將持續(xù)下跌，因此預(yù)計(jì) 2Q23 NAND Flash 產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入將持續(xù)下跌，環(huán)比下降約 7.9%。

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