ASEMI代理力特LSIC1MO120E0080碳化硅MOSFET
編輯-Z
力特碳化硅MOS管LSIC1MO120E0080參數(shù):
型號:LSIC1MO120E0080
漏極-源極電壓(VDS):1200V
連續(xù)漏電流(ID):25A
功耗(PD):214W
工作結(jié)溫度(TJ):-55 to +175℃
零柵極電壓漏極電流(IDSS):1uA
漏極源導(dǎo)通電阻RDS(ON):80mΩ
柵極閾值電壓VGS(TH):2.8V
輸入電容(CISS):1700pF
二極管正向電壓(VSD):3.6V
反向恢復(fù)時間(trr):21ns
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LSIC1MO120E0080封裝尺寸:
封裝:TO-247
總長度:22.03mm
本體長度:21.46mm
引腳長度:20.57mm
寬度:16.25mm
高度:5.3mm
腳間距:5.44mm
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LSIC1MO120E0080特征:
針對高頻、高效應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
極低的柵極電荷和輸出電容
用于高頻開關(guān)的低柵極電阻
所有溫度下的常閉操作
超低導(dǎo)通電阻
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LSIC1MO120E0080應(yīng)用:
高頻應(yīng)用
太陽能逆變器
開關(guān)模式電源
UPS
電機驅(qū)動
高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器
電池充電器
感應(yīng)加熱

標(biāo)簽: