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12N65-ASEMI高壓N溝道MOS管12N65

型號：12N65

品牌：ASEMI

封裝：TO-220

最大漏源電流：12A

漏源擊穿電壓：650V

RDS（ON）Max：0.68Ω

引腳數(shù)量：3

芯片個(gè)數(shù)：

溝道類型：N溝道MOS管、高壓MOS管

漏電流：ua

特性：N溝道MOS管、場效應(yīng)管

工作溫度：-55℃~150℃

備受歡迎的12N65 MOS管

??ASEMI品牌12N65是采用工藝芯片，該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力，能夠持續(xù)保證了12N65的最大漏源電流12A，漏源擊穿電壓650V.

?細(xì)節(jié)體現(xiàn)差距

12N65,ASEMI品牌，工藝芯片，工藝制造，該產(chǎn)品穩(wěn)定性高，抗沖擊能力強(qiáng)。

12N65具體參數(shù)為：最大漏源電流：12A，漏源擊穿電壓：650V，反向恢復(fù)時(shí)間： ns，封裝：TO-220