可靠性試驗是評估產品一定時間內可靠性水平,暴露存在的問題?？煽啃允窃O計并制作在產品內的，而不是試驗出來的?？煽啃栽囼炛荒芙档陀脩舻娘L險。新的可靠性評估方法是為評估生產線的設計及工藝水平的，相信合格的生產線能把可靠性做到產品中去。

一、溫度沖擊（循環(huán)）試驗(TC /TS)測試

目的：模擬環(huán)境溫度變化或開關機造成的溫度變化，考核溫度交替變化對產品機械/電性能的影響，暴露粘片/鍵合/塑封等封裝工藝/材料缺陷，及金屬化/鈍化等圓片工藝問題。

條件：-65℃~150℃??（500cycle/1000cycle)

失效機理：不同材料間熱膨脹系數差異造成界面熱匹配問題，造成金線斷裂、鍵合脫落（開路）、塑封開裂（密封性失效）、界面分層（熱阻增大） 、鍵合線開短路 、鈍化層開裂、硅鋁接觸開路、芯片背面劃痕繼續(xù)長大導致芯片開裂。

測試標準：?JESD22-A104-C

二、高壓加速壽命試驗/高壓蒸煮(PCT/Autoclave)

目的：檢驗器件抵抗水汽侵入及腐蝕的能力，不包括外部腐蝕。

條件：?121℃/100%RH，205kPa（2atm），96hrs。

失效機理：濕氣通過塑封體及各界面被吸入并到達芯片表面,在鍵合區(qū)形成原電池而加速鋁的腐蝕。另外，水汽帶入的雜質在器件表面形成漏電通道。試驗后因管腳腐蝕引起的開路或塑封體表面漏電等失效不計。

試驗標準：?JESD22-A102C

三、高溫高濕試驗

目的：模擬非密封器件在高溫高濕環(huán)境下工作，檢驗塑封產品抗水汽侵入及腐蝕的能力。

條件：?85℃/85%RH，168hrs

失效機理：器件在高溫高濕的環(huán)境下，加速了芯片鍵合及表面的電解腐蝕，評估器件在存儲環(huán)境中對水汽的抵抗能力。

測試標準：?JESD22-A101-B

適用的研發(fā)和工藝改進：

1、高溫擴散工藝技術的改進（重點是高溫長時間擴散，如隔離擴散）包括可能引起硅片內部隱裂的工藝技術改進

2、包封工藝技術、框架處理工藝技術的改進

3、塑封料、框架的變更

4、新產品（含新的封裝結構）

5、封裝工藝過程中的污染

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