單晶XRD培養(yǎng)技術(shù)(二)
在做單晶X射線衍射(單晶XRD)測(cè)試時(shí),科學(xué)指南針檢測(cè)平臺(tái)工作人員在與很多同學(xué)溝通中了解到,好多同學(xué)對(duì)單晶XRD測(cè)試不太了解,針對(duì)此,科學(xué)指南針檢測(cè)平臺(tái)團(tuán)隊(duì)組織相關(guān)同事對(duì)網(wǎng)上海量知識(shí)進(jìn)行整理,希望可以幫助到科研圈的伙伴們;
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常見的單晶生長(zhǎng)方法
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1.溶劑緩慢揮發(fā)法
揮發(fā)化合物的近飽和溶液
干凈光滑的器皿,但是全新的玻璃儀器效果往往也不好
合適的溶劑:沸點(diǎn)適中,不能太高或太低,60 ~ 90 度較合適。可以用不良溶劑和良溶劑的混合溶劑溶解化合物 (不良與良溶劑必須互溶,且沸點(diǎn)要高于良溶劑。如,甲醇里可加適量水),以避免在溶劑體積特別小時(shí)才析出晶體。
過濾:注意避免將濾紙上的纖維帶入濾液。
封口、揮發(fā):可用保鮮膜封好口,用很細(xì)的針戳孔,通過孔的數(shù)量來控制揮發(fā)速度。
清潔穩(wěn)定的環(huán)境
注意:緩慢揮發(fā),不能讓溶劑完全揮發(fā)。
常用溶劑:甲醇、乙醇、氯仿、甲醇-水及 CH2Cl2-正己烷等。
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2.液相擴(kuò)散法
向良溶劑的溶液中擴(kuò)散不良溶劑:適用于兩種溶劑中溶解度差別很大的化合物。
層鋪法:
上層:不良溶劑
中間:混和溶劑緩沖層
下層:良溶劑的溶液
(下層溶劑比重應(yīng)比上層大,且兩種溶劑必須互溶。)
下層:CH2Cl2 (CHCl3) ? 上層:己烷 (庚烷、辛烷等)
下層: CH2Cl2 (CHCl3) ?上層:甲醇 (乙醇等)
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3.氣相擴(kuò)散法
A:良溶劑溶液,沸點(diǎn)較高
B:不良溶劑,沸點(diǎn)較低
常用溶劑體系:
適用于極性較大化合物:DMF/乙醚;MF/己烷
適用于極性較小化合物:DMF/水;DMSO/水
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4.水熱法或溶劑熱法??
適用于特別難溶的化合物 (如二維或三維配位網(wǎng)絡(luò)),經(jīng)常在反應(yīng)生成某種化合物的同時(shí),生長(zhǎng)其晶體。該方法有時(shí)可以得到其他方法無(wú)法得到的奇特結(jié)構(gòu);
?需控制好溶劑和溫度,高溫條件下溶劑蒸汽自動(dòng)產(chǎn)生一定壓力,反應(yīng)一段時(shí)間后,控制降溫,冷卻到室溫之后,收集晶體。
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