光刻機是制造芯片的核心裝備，它采用類似照片沖印的技術(shù)，把掩膜版上的精細(xì)圖形通過光線的曝光印制到硅片上。光刻是芯片制造的最關(guān)鍵步驟，其成本約占整個硅片加工成本的三分之一甚至更多。光刻技術(shù)決定了芯片的性能、功耗和集成度，也影響了芯片的可靠性和產(chǎn)量。光刻技術(shù)隨著芯片制程的不斷縮小而不斷進化，從最初的水平投影到現(xiàn)在的極紫外光刻，每一代光刻技術(shù)都需要突破很多難題，如光源、鏡頭、掩膜、對準(zhǔn)等。目前，全球最先進的光刻機由荷蘭的ASML公司生產(chǎn)，它采用極紫外（EUV）光源，可以制造7nm甚至5nm以下的芯片。

我國目前還沒有掌握EUV光刻技術(shù)，只能依靠進口或自主研發(fā)低端的光刻機。這對于我國的芯片產(chǎn)業(yè)來說是一個巨大的瓶頸。我國在光刻技術(shù)方面面臨的挑戰(zhàn)和困境主要有以下3個方面：

1，光刻機的核心零部件，如光源、鏡頭、掩膜等，都受制于國外的壟斷和封鎖，導(dǎo)致我國無法獲得最先進的光刻機。

2，光刻機的研發(fā)需要大量的資金、人才和時間投入，而我國目前還缺乏成熟的產(chǎn)業(yè)鏈和市場需求，難以形成有效的競爭力。

3，光刻技術(shù)本身也在不斷進化，從水平投影到極紫外光刻，再到無掩膜光刻等，每一代技術(shù)都需要突破很多難題，而我國還在追趕中。

因此，我國要想突破光刻技術(shù)難題，需要加大政策支持和資金投入，培養(yǎng)高端人才和核心企業(yè)，加強與國際合作和交流，并把握好下一代光刻技術(shù)的發(fā)展趨勢。

然而，近期有兩個消息讓人看到了希望。一是哈爾濱工業(yè)大學(xué)公布了一項“高速超精密激光干涉儀”研發(fā)成果，這是一種可以用于7nm以下的技術(shù)，并獲得了首屆“金燧獎”中國光電儀器品牌榜金獎。但是該項技術(shù)離真正生產(chǎn)國產(chǎn)5nm光刻機還有很遠(yuǎn)的征途，但是被一些人宣稱解決了7nm以下的光刻機難題。導(dǎo)致部分國人盲目樂觀。

二是上海微電子裝備有限公司（SMEE）成功交付了第一臺自主研發(fā)的90nm DUV 光刻機，并計劃在2024年實現(xiàn)28nm DUV 光刻機量產(chǎn)，SMEE還在開發(fā)更高端的DUV或者EUV 光刻機，目標(biāo)是在2030年前實現(xiàn)5nm以下芯片制造。

這兩個消息表明，我國在光刻機領(lǐng)域確實取得了一些進步，我們也不能過于樂觀，因為我們距離國際先進水平還有很大的差距。我們需要用務(wù)實的心態(tài)去認(rèn)識到自研光刻機上的難題，才能對癥下藥，盡早攻克技術(shù)難關(guān)，實現(xiàn)真正的突破。