先前已經(jīng)將3D V-Cache內(nèi)存整合在旗下處理器產(chǎn)品之后，AMD在China Joy游戲展會(huì)活動(dòng)期間公布Ryzen 9 7945HX3D處理器，并且確定將由華碩預(yù)計(jì)在8月23日推出的游戲筆記本ROG Strix SCAR 17 X3D作為首發(fā)產(chǎn)品。

Ryzen 9 7945HX3D是以先前推出的Ryzen 9 7945HX為基礎(chǔ)，額外藉由3D V-Cache內(nèi)存設(shè)計(jì)使快取內(nèi)存增加至144MB，藉此提高數(shù)據(jù)運(yùn)算效率，本身則采用16組核心、32道執(zhí)行緒，運(yùn)作時(shí)脈最高可透過超頻提升至5.4GHz，并且對(duì)應(yīng)55W以上運(yùn)作功率。

而設(shè)計(jì)方面，Ryzen 9 7945HX3D同樣借由3D Chiplet芯片堆疊技術(shù)，配合TSV硅穿孔技術(shù)，讓L3快取內(nèi)存與Zen 4核心在堆棧情況下直接連接，藉此讓核心運(yùn)算資料可借由快取內(nèi)存提高執(zhí)行效率。

同時(shí)，Ryzen 9 7945HX3D本身為AMD第六款整合3D V-Cache內(nèi)存設(shè)計(jì)的處理器產(chǎn)品，具備提高數(shù)據(jù)執(zhí)行運(yùn)算效率與降低耗電特性。

在AMD設(shè)計(jì)中，相較競爭對(duì)手透過超頻提高處理器運(yùn)作時(shí)脈，認(rèn)為以3D V-Cache內(nèi)存增加L3快取內(nèi)存容量，并且配合3D Chiplet設(shè)計(jì)特性降低電力損耗量，藉此能在電力輸出有限情況下維持更高運(yùn)算效能，因此對(duì)比未采用3D V-Cache內(nèi)存設(shè)計(jì)的Ryzen 9 7945HX處理器，Ryzen 9 7945HX3D在游戲執(zhí)行效能平均可提高15%，至于在相同熱設(shè)計(jì)功耗之下，Ryzen 9 7945HX3D可在70W運(yùn)作功耗提升11%運(yùn)算效能，在40W運(yùn)作功耗甚至可達(dá)23%提升幅度。