變?nèi)荻O管是根據(jù)普通二極管內(nèi)部"PN結(jié)”的結(jié)電容能隨外加反向電壓的變化而變化

這一原理專門設(shè)計(jì)出來(lái)的一種特殊二極管。變?nèi)荻O管在無(wú)繩電話機(jī)中主要用在手機(jī)

或座機(jī)的高頻調(diào)制電路上，實(shí)現(xiàn)低頻信號(hào)調(diào)制到高頻信號(hào)上，并發(fā)射出去。在工作狀

態(tài)，變?nèi)荻O管調(diào)制電壓-般加到負(fù)極上，使變?nèi)荻極 管的內(nèi)部結(jié)電容容量隨調(diào)制電

壓的變化而變化。

IGCT使變流裝置在功率、可靠性、開關(guān)速度、效率、成本、量和體積等方面都取得了巨大進(jìn)展,給電力電子成套裝置帶來(lái)了新的飛躍。

5SHY4045L0001 3BHB018162R0001是將GTO芯片與反并聯(lián)二極管和柵極驅(qū)動(dòng)電路集成在-起， 再與其柵極驅(qū)動(dòng)器在外圍以低電感方式連接,結(jié)合

了晶體管的穩(wěn)定關(guān)斷能力和晶閘管低通態(tài)損耗的優(yōu)點(diǎn)，在導(dǎo)通階段發(fā)揮晶閘管的性能，關(guān)斷階段呈現(xiàn)晶體管的特性。5SHY4045L0001

3BHB0181 62R0001具有電流大、電壓高、開關(guān)頻率高、可靠性高、 結(jié)構(gòu)緊湊、損耗低等特點(diǎn)，而且造成本低，成品率高，有很好的應(yīng)用前景。

5SHY4045L0001 3BHB018162R0001采用晶閘管技術(shù)的GTO是常用的大功軒關(guān)器件，它相對(duì)于采用晶體管技術(shù)的IGBT在截止電壓上有更高的性

能，但廣泛應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)GTO驅(qū)動(dòng)技術(shù)造成不均勻的開通和關(guān)斷過(guò)程，要高成本的dv/dt和di/dt吸收電路和較大功率的柵極驅(qū)動(dòng)單元, 因而造成可靠

性下降，價(jià)格較高，也不利于串聯(lián)。5SHY4045L0001 3BHB018162R0001但是，在大功率MCT技術(shù)尚未成熟以前，IGCT已經(jīng)成為高壓大功率低頻

交流器的優(yōu)選方案。

5SHY4045L0001 3BHB0181 62R0001集成柵極換流晶閘管IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是1996年問(wèn)世的用于巨型電力電子成

套裝置中的新型電力半導(dǎo)體器件。IGCT是一種基于GTO結(jié)構(gòu)、利用集成柵極結(jié)構(gòu)進(jìn)行柵極硬驅(qū)動(dòng)、采用緩沖層結(jié)構(gòu)及陽(yáng)極透明發(fā)射極技術(shù)的新型大功

半導(dǎo)體開關(guān)器件，有晶閘管的通態(tài)特性及晶體管的開關(guān)特性。5SHY4045L0001 3BHB018162R0001由于采用了緩沖結(jié)構(gòu)以及淺層發(fā)射極技術(shù),

因而使動(dòng)態(tài)損耗降低了約50%，另外,此類器件還在-一個(gè)芯片 上集成了具有良好動(dòng)態(tài)特性的續(xù)流二極管,從而以其獨(dú)特的方式實(shí)現(xiàn)了晶閘管的低通態(tài)

壓降、高阻斷電壓和晶體管穩(wěn)定的開關(guān)特性有機(jī)結(jié)合.