7 月 16 日消息：據(jù) EE Times 報(bào)道，臺(tái)積電先進(jìn)3 納米制程良品率僅?55%，將有近一半成品為非良品，而蘋果公司已獨(dú)占了該工藝的基本全部產(chǎn)能（90%），用以生產(chǎn) A17 Bionic 和 M3 芯片。

——蘋果計(jì)劃將A17芯片組，用于 iPhone 15 Pro 和 iPhone 15 Pro Max。

據(jù)報(bào)道，由于現(xiàn)階段的良率仍然過低，蘋果將僅向臺(tái)積電支付合格產(chǎn)品的費(fèi)用，而不是標(biāo)準(zhǔn)的晶圓價(jià)格，而標(biāo)準(zhǔn)晶圓價(jià)格可達(dá) 1.7萬美元。（約 12.2 萬元人民幣）

——臺(tái)積電預(yù)計(jì)到 2023 年底，每個(gè)月能夠生產(chǎn) 10 萬片 3 納米晶圓，以滿足蘋果的需求。然而，在良率只有 55% 的情況下，只有 5.5 萬片晶圓是可以使用的。這是蘋果所無法接受的，協(xié)議表明只有當(dāng)良率達(dá)到 70% 時(shí)，蘋果才會(huì)按照標(biāo)準(zhǔn)晶圓價(jià)格付款。

另一方面，今年六月國外科技媒體 MacRumors曾?報(bào)道，蘋果今年預(yù)計(jì)推出的 iPhone 15 Pro 和 iPhone 15 Pro Max 將于明年產(chǎn)出的存在部分差異。

——報(bào)道稱 iPhone 15 Pro 系列今年下半年搭載的 A17 Bionic 將采用 N3B 工藝，而明年推出的機(jī)型將全面切換到 N3E 工藝。

具體細(xì)節(jié)方面，就臺(tái)積電官方公布的部分?jǐn)?shù)據(jù)來看， N3E（3nm 簡化版）可以看作是，N3B節(jié)點(diǎn)（3nm 基礎(chǔ)版）的“廉價(jià)版本”，此外N3B 實(shí)裝了 SRAM 縮放，其單元大小僅有 0.0199μm2，相比上一個(gè)版本縮小了 5%。N3E 的內(nèi)存密度（ISO-assist circuit overhead）大約為 31.8 Mib / mm2。放在最終芯片上功耗控制兩者差異不大，但N3E版本實(shí)際性能提升或?qū)⒂兴档?/p>

——新的 N3E 節(jié)點(diǎn)，高密度 SRAM 位單元尺寸并沒有縮小，依然是 0.021 μm2，這與 N5 節(jié)點(diǎn)的位單元大小完全相同。