化學(xué)位移是描述磁性核共振頻率的相對(duì)值，越大表明共振頻率也就越大。盡管如此，這個(gè)對(duì)于剛學(xué)磁共振波譜分析的同學(xué)還是非常不友好，主要原因就是它有悖于我們的日常習(xí)慣，一般從左往右，數(shù)值是越來(lái)越大，比如數(shù)字0-10，現(xiàn)在突然來(lái)了個(gè)10-0 ppm，那到底10大還是0大，為什么逆著來(lái)？估計(jì)很多初學(xué)者知其然不知其所以然。

化學(xué)位移的提出主要是為了滿足同一種磁性核化學(xué)位移在不同規(guī)格的磁共振波譜儀器下的統(tǒng)一，而把TMS中的氫質(zhì)子化學(xué)位移定為0。最早我們采用的是連續(xù)波磁共振波譜儀，分為掃場(chǎng)和掃頻兩種模式，掃場(chǎng)是固定射頻脈沖發(fā)射頻率，變化磁場(chǎng)大小，只有外磁場(chǎng)大小滿足v＝γB0（v是固定的），該類氫質(zhì)子才可以達(dá)到共振，從左往右，場(chǎng)強(qiáng)依次增強(qiáng)，這是符合我們?nèi)粘Ａ?xí)慣的，同樣一個(gè)分子，受電子屏蔽作用越大的核，達(dá)到那個(gè)共振頻率，所需要的場(chǎng)強(qiáng)也就越大（一部分外磁場(chǎng)需要抵消電子屏蔽作用），那就是在最右邊，比如TMS，碳上連接的氫質(zhì)子受到非常強(qiáng)的屏蔽作用（環(huán)流作用產(chǎn)生的逆磁場(chǎng)），由此，我們把最左邊稱為低場(chǎng)，最右邊稱為高場(chǎng)。

同理可知，掃頻是保持外磁場(chǎng)B0不變，不斷改變射頻脈沖頻率，讓發(fā)射的頻率等于本身的共振頻率，才可以共振。同樣也是由不同種氫質(zhì)子的化學(xué)環(huán)境不一樣，屏蔽效應(yīng)強(qiáng)的因?yàn)榈窒袅艘徊糠滞獯艌?chǎng)強(qiáng)度，所以受到的有效外磁場(chǎng)強(qiáng)度是小于B0，由此是處于低共振頻率，反之則處于高頻，這時(shí)候從左往右，那就是高頻→低頻，此時(shí)上面講得與低場(chǎng)→高場(chǎng)，那就完全相反了。

而化學(xué)位移不是按場(chǎng)強(qiáng)大小來(lái)算的，而是按共振頻率來(lái)計(jì)算的，比如在500MHz中的4.7ppm位置，那就是4.7×500Hz，是頻率單位，這就是為什么從左到右是高頻→低頻了，4.7 ppm→ 0 ppm，就是4.7×500Hz → 0 Hz.

再回到此題，就簡(jiǎn)單了，比較哪個(gè)化學(xué)位移大，你就看哪個(gè)共振頻率大，哪個(gè)共振頻率大你就看哪個(gè)去屏蔽效應(yīng)更大（這里是比較電子云密度），再往下就是比較旁邊電負(fù)性大小了，是不是就比較簡(jiǎn)單了。當(dāng)然有時(shí)候電子密度大的時(shí)候，也不一樣屏蔽作用強(qiáng)，比如苯環(huán)，這里需要考慮電子環(huán)流作用產(chǎn)生的磁各向異性，考慮電負(fù)性只是一個(gè)常見(jiàn)的因素。