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DIY隔離升壓電源

2023-03-12 10:04 作者:硬木課堂  | 我要投稿

所需材料

????????硬木課堂實(shí)驗(yàn)平臺,鐵氧體磁芯變壓

????????74HC04,PMOS AO3409,NMOS AS2304,NE555P,1N5819,

????????電容47uF50V耐壓,470pF,1K電阻,2.2K電阻,200歐電阻

????????實(shí)心硬線導(dǎo)線

關(guān)鍵字 555振蕩器,MOS管,H橋驅(qū)動,隔離電源,高頻變壓器

背景知識

????????隔離電源是指可以提供跟輸入電壓不共地的電源。正是利用了變壓器的磁耦合,用磁場進(jìn)行了電路隔離。隔離就是指不共地。隔離電源在電子系統(tǒng)中的應(yīng)用非常廣泛。醫(yī)療電子,電機(jī)控制,電力電子,都可以看到。主要目的就是隔離低壓部分和含有高壓的部分,并傳輸電能。例如醫(yī)療電子中,通過隔離電源提高了接觸人體的醫(yī)療設(shè)備安全性,以防220V上竄入的高壓導(dǎo)致意外傷害。電機(jī)控制中,可以防止電機(jī)內(nèi)線圈電感產(chǎn)生的高壓感應(yīng)電動勢對控制電路的傷害。

經(jīng)過隔離電源后,左側(cè)的兩根線,跟右側(cè)兩根線之間沒有電壓差。地線隔離。

原理圖

????????NE555電路產(chǎn)生占空比50%的方波,頻率在300KHz左右。然后方波經(jīng)過非門的緩沖和取反,得到兩個有驅(qū)動能力的相位差180度的方波。兩個方波控制PMOS和NMOS的H橋,將直流電源電壓轉(zhuǎn)化為交流,相位差180度的方波。然后帶動變壓器,變壓器內(nèi)部磁場交替翻轉(zhuǎn),就在另一端產(chǎn)生電壓輸出。輸出電壓跟輸入電壓的比值,等于匝數(shù)N2:N1。最后用1N5819進(jìn)行全波整流,經(jīng)過47uF電容后得到直流輸出。

????????74HC04中有6個非門,可以并聯(lián)使用,增強(qiáng)驅(qū)動能力。因?yàn)镸OS管的柵極有電容,所以如果驅(qū)動能力弱,則方波的邊沿不陡峭。PMOS和NMOS在方波邊沿的中間點(diǎn)會存在同時導(dǎo)通的情況。方波邊沿不陡峭,則這個導(dǎo)通時間就增加,PMOS和NMOS就會發(fā)熱。也就是開關(guān)損耗增加。

????????一般在大功率應(yīng)用中會加入“死區(qū)保護(hù)”時間。小功率應(yīng)用中,增加方波邊沿的陡峭程度就可以,在幾十ns級別。

????????采用高頻300KHz,是因?yàn)樽儔浩魇氰F氧體磁芯,電感量在幾十uH,低頻會出現(xiàn)電感飽和。整流用1N5819二極管,開關(guān)速度快。

????????測試隔離電源輸出時,要接線共地。實(shí)際使用中兩側(cè)的電路是不共地的。

硬件實(shí)物

????????用兩個1K并聯(lián)作為500歐,給隔離電源當(dāng)負(fù)載。23V 500歐,約1.06W功率。H 橋后面可以接一個變壓器構(gòu)成一個隔離電源,也可以接兩個變壓器構(gòu)成兩路。輸出功率增加,對5V供電和H橋的驅(qū)動,MOS管都要相應(yīng)增加功率。


實(shí)測調(diào)試

啟動主界面中的Scope和Power

設(shè)置5V,500mA,開啟電源

開啟示波器,測試點(diǎn)如原理圖中所示??梢钥吹郊t色AIN3,直流電壓23.15V。

在測量區(qū)域點(diǎn)擊右鍵,添加測量值。

????????計(jì)算效率,輸入功率5V*0.251A=1.25W。輸出功率= 23.15V* 23.15V/500=1.07W。效率為 1.07W/1.25W=85.6%。功率損耗分布在電路中的芯片,MOS管開關(guān)損耗,變壓器線圈直流電阻,整流管導(dǎo)通損耗。

提高效率可以加入MOS管的死區(qū)時間,增粗變壓器線徑(體積增加)等方法。

總結(jié)

????????通過本實(shí)驗(yàn),我們了解了隔離電源的工作原理。掌握了調(diào)試和測試方法。利用學(xué)過的基礎(chǔ)電路,完成了一個有實(shí)用功能的電子線路。

????????有興趣的讀者還可以研究一下電子脈沖點(diǎn)火電路。將5V電壓升的更高,從而產(chǎn)生火花放電。脈沖點(diǎn)火電路在燃?xì)庠?,燃?xì)鉄崴?,汽車火花塞,滅蠅器等產(chǎn)品中都有應(yīng)用。

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擴(kuò)展測試,方波邊沿對H橋效率的影響

????????原理圖中用了3個非門并聯(lián)提高驅(qū)動能力,提高了效率。下面從一個非門開始,逐步并聯(lián)為3個,測試一下對應(yīng)的損耗變化。隔離電源輸出不帶負(fù)載。

一個非門時,可以看到邊沿上有小坑,是PMOS和NMOS同時導(dǎo)通的一瞬間
一個非門時的電流



兩個非門并聯(lián),可以看到邊沿上的小坑減小了很多

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兩個非門并聯(lián)時的電流
三個非門并聯(lián),幾乎看不到邊沿上的小坑
三個非門時的電流


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