TC wafer是一種溫度傳感器，是用于測量半導(dǎo)體晶圓（也稱為晶片或硅片）表面溫度的設(shè)備或技術(shù)。它具有測量誤差小、價(jià)格低、響應(yīng)快、傳輸距離遠(yuǎn)、體積小和功耗低等諸多優(yōu)點(diǎn)。它適用于遠(yuǎn)距離溫度測量、溫度控制。無需非線性校準(zhǔn)，外圍電路簡單。因其線性好、所以它具有精度高、易于實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)在線測試和數(shù)據(jù)處理等優(yōu)點(diǎn)，在室溫測量條件下占據(jù)了越來越重要的地位。

在半導(dǎo)體制造過程中，溫度是一個(gè)至關(guān)重要的參數(shù)，因?yàn)闇囟瓤刂茖?duì)于保證良好的晶圓質(zhì)量和性能非常重要。TC wafer溫度測量系統(tǒng)讓制造商可以在晶圓加工的不同階段進(jìn)行實(shí)時(shí)溫度監(jiān)控和記錄，從而幫助控制和優(yōu)化生產(chǎn)過程。數(shù)字溫度計(jì)用于測量線性膨脹系數(shù)和導(dǎo)熱系數(shù)、在熱導(dǎo)率測量和熱敏電阻特性研究等物理實(shí)驗(yàn)中取得了良好的效果。

TC wafer溫度測量系統(tǒng)的一些基本特性和主要功能介紹如下：

精確測量：該系統(tǒng)通常具有較高的精度和較高的溫度測量能力，通常測量精度可以達(dá)到±1.1℃，溫度測量范圍有0-800℃之寬，根據(jù)溫度傳感器的不同選擇而有所變動(dòng)。它能夠檢測到較為微小的溫度變化，從而滿足半導(dǎo)體工藝的需要。

多點(diǎn)測量：因?yàn)樵诓煌h(huán)境下晶圓表面可能存在溫度不均勻的狀況，因此TC wafer測溫系統(tǒng)的制造商可以選擇測量多個(gè)位置的表面溫度，以便全面了解晶圓的表面溫度分布，有必要時(shí)進(jìn)行局部溫度調(diào)控，從而達(dá)到均溫的效果。

需要注意的是，不同制造商的TC wafer溫度測量系統(tǒng)可能具有不同的特性和功能，這取決于制造商的技術(shù)方案的不同，應(yīng)用領(lǐng)域基本一致。用于半導(dǎo)體制造、集成電路生產(chǎn)、太陽能電池制造和其他領(lǐng)域。我國的溫度測控系統(tǒng)研究始于上世紀(jì)80年代末相對(duì)于國外稍晚，技術(shù)層面上不斷進(jìn)行完善。我國工程技術(shù)人員在吸收發(fā)達(dá)國家溫度測控技術(shù)的基礎(chǔ)上，掌握了室內(nèi)溫度微機(jī)控制技術(shù)，但該技術(shù)僅限于溫度單一環(huán)境因素的控制。

我國溫度測控設(shè)施的計(jì)算機(jī)應(yīng)用總體上正在消化吸收、從簡單應(yīng)用階段到實(shí)用階段、綜合應(yīng)用階段的過渡與發(fā)展。技術(shù)上以單片機(jī)控制的單參數(shù)單回路系統(tǒng)居多，沒有真正意義上的多參數(shù)綜合控制系統(tǒng)，與發(fā)達(dá)國家差距很大。我國溫度測控現(xiàn)狀遠(yuǎn)未工業(yè)化，生產(chǎn)實(shí)踐中還存在設(shè)備配套能力差、工業(yè)化程度低、環(huán)境控制水平落后、軟硬件資源無法共享和可靠性差等諸多問題。

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