編輯-Z

FQL40N50參數(shù)描述：

型號：FQL40N50

漏源電壓VDSS：500V

漏極電流ID：40A

漏極電流-脈沖IDM：160A

柵極-源極電壓VGSS：±30V

功耗PD：460W

操作和儲存溫度范圍TJ, TSTG：-55 to +150℃

零柵極電壓漏極電流IDSS：1uA

柵極閾值電壓VGS(th)：5V

靜態(tài)漏源導通電阻RDS(on)：0.085Ω

輸入電容Ciss：5800 pF

輸出電容Coss：880 pF

漏極-源極二極管正向電壓VSD：1.4V

反向恢復時間trr：520 ns

?

這種N溝道增強型功率MOSFET是使用平面條紋和DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進的MOSFET技術(shù)特別適合于降低導通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和高雪崩能量強度。這些設備適用于開關(guān)模式電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）和電子燈鎮(zhèn)流器。