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IPB107N20N3G-ASEMI代理英飛凌中低壓MOS管IPB107N20N3G

型號：IPB107N20N3G

品牌：Infineon(英飛凌)

封裝：TO-263

最大漏源電流：88A

漏源擊穿電壓：200V

RDS（ON）Max：10.7mΩ

引腳數(shù)量：3

溝道類型：N溝道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏電流：

恢復(fù)時間：5ns

芯片材質(zhì)：

封裝尺寸：如圖

特性：高壓MOS管、N溝道MOS管

工作結(jié)溫：-55℃~175℃

IPB107N20N3G場效應(yīng)管

IPB107N20N3G的電性參數(shù)：最大漏源電流88A；漏源擊穿電壓200V

IPB107N20N3G應(yīng)用：

適用于高頻開關(guān)和同步整流、適配器、照明、服務(wù)器.