【計算機基礎(chǔ)Ep30】唐朔飛計算機組成原理教材梳理（十九）：P103提高訪存速度的措施
（合計826字，用時30min——）
第四章 存儲器
4.2主存儲器
4.2.7提高訪存速度的措施
提高訪存速度的措施：
尋找高速元件；
采用層次結(jié)構(gòu)；
調(diào)整主存的結(jié)構(gòu)。
a.單體多字系統(tǒng)
原理：由于程序和數(shù)據(jù)在存儲體內(nèi)是連續(xù)存放的，因此CPU訪存取出的信息也是連續(xù)的，如果可以在一個存取周期內(nèi)，從同一地址取出4條指令，然后再逐條將指令送至CPU執(zhí)行，即每隔1/4存取周期，主存向送一條指令，這樣顯然增大了存儲器的帶寬，提高了單體存儲器的工作速度。
前提：指令和數(shù)據(jù)在主存內(nèi)必須是連續(xù)存放的，一旦遇到轉(zhuǎn)移指令，或者操作數(shù)不能連續(xù)存放，這種方法的效果就不明顯。
b.多體并行系統(tǒng)
定義：多體并行系統(tǒng)就是采用多體模塊組成的存儲器。
組成：每個模塊有相同的容量和存取速度，各模塊各自都有獨立的地址寄存器（MAR）、數(shù)據(jù)寄存器（MDR）、地址譯碼、驅(qū)動電路和讀/寫電路，它們能并行工作，又能交叉工作。
計算：
低位交叉的存儲器，連續(xù)讀取n個字所需的時間t1為
高位交叉的存儲器，連續(xù)讀取n個字所需的時間t2為
結(jié)構(gòu)：
排隊器：
對易發(fā)生代碼丟失的請求源，應(yīng)列為最高優(yōu)先級；
對嚴重影響CPU工作的請求源，給予次高優(yōu)先級，否則會導(dǎo)致CPU工作失常；
存控標記觸發(fā)器CM；
節(jié)拍發(fā)生器；
控制線路。
c.高性能存儲芯片
定義：采用高性能存儲芯片也是提高主存速度的措施之一。
c.1SDRAM（Synchronous DRAM，同步DRAM）
特點：SDRAM與常用的DRAM不同，它與處理器的數(shù)據(jù)交換同步于系統(tǒng)的時鐘信號，并且以處理器-存儲器總線的最高速度運行，且不需要插入等待狀態(tài)。
c.2RDRAM（Rambus DRAM）
特點：由Rambus開發(fā)的RDRAM采用專門的DRAM和高性能的芯片接口取代現(xiàn)有的存儲器接口，主要解決存儲器帶寬的問題，通過高速總線獲得存儲器請求（包括操作時所需的地址、操作類型和字節(jié)數(shù)）。
c.3帶Cache的DRAM（CDRAM）
特點：帶Cache的DRAM是在通常的DRAM芯片內(nèi)又集成了一個小的SRAM，又稱增強型的DRAM（EDRAM）。
