在半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)，成功生產(chǎn)出表面平整的晶圓并不意味著VPD晶圓制備流程的完結(jié)。ICP-MS/MS晶圓晶圓之后的加工與表面分析，是影響產(chǎn)品正常運(yùn)作的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。英格爾專(zhuān)家組表示，化學(xué)式機(jī)械拋光是當(dāng)前大直徑晶圓制造技術(shù)之一。英格爾檢測(cè)可幫助企業(yè)完善晶圓制造工藝，利用化學(xué)機(jī)械平坦化技術(shù)，解決新層平面問(wèn)題。

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（1）英格爾檢測(cè)分析——化學(xué)機(jī)械拋光

最終的拋光步驟是一個(gè)化學(xué)腐蝕和機(jī)械摩擦的結(jié)合，被稱(chēng)為化學(xué)機(jī)械拋光。ICP-MS/MS晶圓晶圓裝在旋轉(zhuǎn)的拋光頭上，下降到拋光墊的表面以相反的方向旋轉(zhuǎn)。拋光墊材料通常是有填充物的聚亞安酯鑄件切片或聚氨酯涂層的無(wú)紡布。二氧化硅拋光液在適度含氫氧化鉀或氨水的腐蝕液中，滴到拋光墊上。

堿性?huà)伖庖涸诰A表面生成一薄層二氧化硅。拋光墊以持續(xù)的機(jī)械摩擦作用去除氧化物，晶圓表面的高點(diǎn)被去除掉，直到獲得特別平整的平面。

英格爾專(zhuān)家假設(shè)：如果一個(gè)半導(dǎo)體晶圓的表面擴(kuò)大到10000英尺，在總長(zhǎng)度中將會(huì)有正負(fù)2英寸的平整度偏差。獲得極好平整度需要規(guī)定和控制拋光時(shí)間、晶圓和拋光墊上的壓力、旋轉(zhuǎn)速度、拋光液顆粒尺寸、拋光液流速、拋光液的pH值、拋光墊材料和條件。

（2）英格爾檢測(cè)分析——背面處理

對(duì)于ICP-MS/MS晶圓晶圓制造來(lái)說(shuō)在很多情況下，只是晶圓的正面經(jīng)過(guò)充分的化學(xué)機(jī)械拋光。背面留下從粗糙或腐蝕到光亮的外觀(guān)。對(duì)于某些器件的使用，背面可能會(huì)受到特殊的處理導(dǎo)致晶體缺陷，稱(chēng)為背損傷。背損傷產(chǎn)生位錯(cuò)的生長(zhǎng)輻射進(jìn)入晶圓，這些位錯(cuò)現(xiàn)象是陷阱，俘獲在制造工藝中引入的可移動(dòng)金屬離子污染。

不論是俘虜吸雜現(xiàn)象，還是雙面拋光技術(shù)。對(duì)于ICP-MS/MS晶圓制備企業(yè)而言，英格爾檢測(cè)可提供一站式VPD晶圓表面分析技術(shù)，如背面噴沙標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)、背面多晶層或氮化硅的沉積等。不過(guò)在這些應(yīng)用技術(shù)中后期需使用無(wú)劃傷與不污染背面操作。詳情可點(diǎn)擊英格爾檢測(cè)官方網(wǎng)站，進(jìn)行專(zhuān)家一對(duì)一線(xiàn)上咨詢(xún)。

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