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AO3400-ASEMI中低壓N溝道MOS管AO3400

型號：AO3400

品牌：ASEMI

封裝：SOT-23

最大漏源電流：5.8A

漏源擊穿電壓：30V

RDS（ON）Max：0.033Ω

引腳數(shù)量：3

溝道類型：N溝道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏電流：

恢復時間：5ns

芯片材質(zhì)：

封裝尺寸：如圖

特性：中低壓MOS管、N溝道MOS管

工作結溫：-55℃~150℃

AO3400場效應管

AO3400的電性參數(shù)：最大漏源電流5.8A；漏源擊穿電壓30V

特征：

低固有電容。

出色的開關特性。

擴展安全操作區(qū)域。

無與倫比的柵極電荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=30V，Id=5.8A

RDS（開）:0.033m? （最大值）@VG=10V