編輯-Z

IMBF170R1K0M1參數(shù)：

漏源電壓：1700V

直流漏極電流：5.2A

功率耗散：68W

工作結(jié)溫：-55~175℃

儲(chǔ)存溫度：-55~150℃

漏極源導(dǎo)通狀態(tài)電阻：1000mΩ

柵極-源極閾值電壓：4.5V

輸入電容：275pF

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MOS管IMBF170R1K0M1是一款高性能的N溝道MOSFET晶體管，適用于各種功率開關(guān)應(yīng)用。該晶體管采用了先進(jìn)的封裝技術(shù)和材料，具有優(yōu)異的熱性能和可靠性，能夠在高溫和高壓的環(huán)境下穩(wěn)定工作。

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IMBF170R1K0M1的主要特點(diǎn)包括：

1. 低導(dǎo)通電阻：該晶體管的導(dǎo)通電阻非常低，能夠在高電流下保持低的功耗和高效率。

2. 高開關(guān)速度：IMBF170R1K0M1具有快速的開關(guān)速度，能夠在高頻率下穩(wěn)定工作。

3. 低輸入電容：該晶體管的輸入電容非常低，能夠減少開關(guān)時(shí)的功耗和噪聲。

4. 高溫性能：IMBF170R1K0M1能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，具有優(yōu)異的熱性能和可靠性。

5. 小封裝：該晶體管采用了小型的封裝，能夠在緊湊的電路板上實(shí)現(xiàn)高密度的布局。

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IMBF170R1K0M1的應(yīng)用范圍非常廣泛，包括電源管理、電機(jī)控制、照明控制、無線通信等領(lǐng)域。該晶體管的高性能和可靠性，使其成為各種功率開關(guān)應(yīng)用的理想選擇。

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總之， MOS管IMBF170R1K0M1是一款高性能、可靠性強(qiáng)的N溝道MOSFET晶體管，適用于各種功率開關(guān)應(yīng)用。它的優(yōu)異特性和廣泛應(yīng)用范圍，使其成為電子工程師和電路設(shè)計(jì)師的選擇之一。