笙泉M0系列MCU應用于電池管理系統(tǒng)(2)


我們持續(xù)為您探討目前火紅的電池管理系統(tǒng)(BMS)?part(2)?,進一步介紹電池異常狀況和其保護機制,以及笙泉科技的MCU系列方案。
常見的電池異常狀況
1.????過充電
鋰電池充電時,電池電壓超過上限電壓值時,會引起內(nèi)部正極活性物質發(fā)生不可逆變化,晶格結構破壞往負極生長樹狀結晶產(chǎn)生膨脹,正負極短路放出大量熱與氣體,進而爆炸與燃燒。
2.????過放電
鋰電池放電時,電池電壓低于下限電壓值時,內(nèi)部電極活性物質損傷塌陷結構,離子失去反應能力其損壞為不可逆的,進而造成電池老化與縮短使用壽命。
3.????過電流/短路
電池內(nèi)部會存在微小的內(nèi)阻,當電流過大或短路時,電流流經(jīng)內(nèi)阻會造成功率瞬間增大,進而發(fā)熱讓電池溫度會急遽暴增,當溫度超過允許值,容易讓電池加速劣化。
4.????溫度:
多數(shù)鋰電池的工作溫度為0°C ~ 50°C,極限工作溫度為 -10°C ~ 60°C,但使用不同正極材料的鋰電池也有著不同的工作溫度,在過高或過低的工作溫度,會導致內(nèi)部結構穩(wěn)定性變差,出現(xiàn)電容量降低的情況發(fā)生。
電池管理系統(tǒng)之保護機制
鋰電池因能量密度高,近年來成為便攜式電池的能源主流,但因其特性特殊必須搭配電池管理系統(tǒng)(BMS),以確保使用上的壽命與安全性。若電池過充電、過放電、過電流/短路、溫度異常等狀況,必須進行保護,BMS控制關閉或斷開其充電或放電回路,為最有效的保護機制。

因回路為同一條路徑,通常保護機制會有兩種方式,一種是低壓端的Low-side,另一種為高壓端的High-side,若應用NMOS(N-type?MOSFET)?在高壓端的High-side,則另需使用Charge Pump (充電泵)電路,因零件成本與應用上考慮,可選擇不同的保護機制。

笙泉科技 32-Bit MCU應用于BMS
MG32F02A?系列以ARM Cortex-M0為內(nèi)核,具有多個腳位去控制外部Gate Driver電路,驅動外置MOS保護開關,達成Low-side或High-side的保護機制。在過電流/短路檢測中,為了能實時反應進行保護,內(nèi)建2組ACMP (比較器)功能,MCU F/W (固件)可透過中斷方式實時啟動保護機制,關斷其對應的回路,且ACMP在低響應時間時工作電流只有2?μA。
而MG32F02A?系列不需要外掛分壓電阻來達成閾值設置,內(nèi)建1組12-bit DAC功能,可藉由內(nèi)部MUX(多路復用器)直接切換到比較器輸入腳位當閾值使用,省去外部的分壓電阻耗電及零件成本,且DAC工作電流只有1.25 μA,內(nèi)建ACMP與DAC搭配使用來達成過電流/短路檢測,ACMP輸入腳位其一端接上電流路徑的Rsense (電流檢測電阻),電阻流經(jīng)過電流就會產(chǎn)生電壓值,另一端則設置DAC閾值進行電壓比較,再透過固件中斷方式啟動保護機制,因功耗關系可以長時間同時開啟兩個功能,預防不可預期的電池異常狀況發(fā)生,非常適合低功耗的BMS應用。

MG32F02A 系列特色
MG32F02A064?/?MG32F02A128?系列具備 64 KB / 128 KB Flash ROM的32-Bit Cortex-M0 核心微控制器,內(nèi)建8 KB / 16 KB Data RAM,工作電壓范圍1.8V 至 5.5V,工作溫度范圍 -40°C ~ 105°C,有1組12-bit DAC通道并能輸出腳位當參考電壓使用,內(nèi)建2組比較器供應給過電流/短路使用,具備48/64/80腳位數(shù)的LQFP封裝,可控制外部驅動MOSFET開關,提供多種腳位封裝可涵蓋多種不同應用場景。
MG32F02A 系列規(guī)格


*1支持仿真器;
*2支持?SPI?主端;
*3和Flash ROM?區(qū)共同空間;
*4CCP: (捕獲/比較/PWM)模塊;
*5高級UART模塊x3:支持SPI主機/從機(UART 0/1/2模塊)?
? 基礎UART模塊x4:支持標準UART模式(UART 4/5/7模塊)
*6高級SPI模塊x1:支持SPI/QPI/OPI(SPI 0模塊)?
? 基礎SPI模塊x3:支持標準SPI模式(可配置UART 0/1/2模塊)