書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：III-V族半導(dǎo)體納米線結(jié)構(gòu)的光子學(xué)特性

編號：JFSJ-21-075

作者：炬豐科技

摘要：

III-V 族半導(dǎo)體納米線 (NW) 由于其沿納米線軸對電子和光子的特殊橫向限制，已顯示出成為光學(xué)、光電和電子器件的巨大潛力。具有亞波長結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體納米線表現(xiàn)出強(qiáng)大的光學(xué)米氏共振，使其成為實(shí)現(xiàn)新型光學(xué)器件（如極端太陽能吸收器和寬帶光捕獲器件）的理想平臺。這種特殊的一維光學(xué) Mie 共振可以通過使用半導(dǎo)體核電介質(zhì)殼 (CS) 和金屬核半導(dǎo)體殼電介質(zhì)外殼 (CSS) 納米線異質(zhì)結(jié)構(gòu)來增強(qiáng)。

?

文章中，一種新穎的自上而下蝕刻方法來制造非常薄、高縱橫比和垂直 III-V 族納米線陣列，而無需光刻定義的掩模。在這項(xiàng)工作中，通過掃描電子顯微鏡（SEM）和透射電子顯微鏡（TEM）提出并驗(yàn)證了納米線陣列的形成機(jī)制。還對這些納米線陣列進(jìn)行了光學(xué)表征，例如光學(xué)反射率和拉曼光譜。通過使用這些納米線陣列，可以實(shí)現(xiàn)寬帶光捕獲。

接觸電極，如氧化銦錫 (ITO)、銀和銅，對具有不同帶隙的半導(dǎo)體納米線太陽能電池器件的影響，重點(diǎn)是光吸收。雖然傳統(tǒng)的導(dǎo)電氧化物材料，如氧化銦錫 (ITO) 和氧化鋁鋅 (AZO)，已成功用于太陽能電池薄膜器件，但由于這些導(dǎo)電氧化物接觸電極應(yīng)用于一維納米線器件，將具有不同的光學(xué)行為。納米線中的一維光學(xué) Mie 共振。金屬接觸電極，如銀和銅，將具有與傳統(tǒng) ITO 接觸電極相當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)性能，而半導(dǎo)體納米線器件接近一維極限。

?

如有侵權(quán)，請聯(lián)系作者刪除