QCr0.6-0.4-0.05鉻青銅

特性：

QCr0.6-0.4-0.05鉻青銅在常溫及高溫下（400℃）具有較高的強度及硬度，導電性和導熱性好，耐磨性和減摩性也很好，經時效硬化處理后，強度、硬度、導電性和導熱性均顯著提高；

TaC 的制備方法一般有三種， 即碳熱還原法、 C 與 Ta 直接反應、 Ta 的鹵化物與碳氫化合物的氣相反應形成 TaC。 碳熱還原法是將 Ta 2 O 5 與碳或者鉭醇鹽有機先驅體發(fā)生碳熱還原反應制備 TaC， 這種方法需要較高溫度才能生成 TaC， 大約為 1500 ℃以上， 并且反應速率較慢， 而且生成 TaC 過程中晶粒在高溫下容易粗大， 影響其性能 。CVD 法制備 TaC 涂層一般是在碳材料如石墨基片上， 采用的反應體系一般為 TaCl 5 ，C 3 H 6 ， H 2 和 Ar， 當上升到一定溫度后，放置在氣化室的固態(tài) Ta 源即 TaCl 5 變?yōu)闅鈶B(tài)，被一定流量的 Ar 攜帶出氣化室， 氣態(tài) Ta 粒子與 H 2 混合發(fā)生還原反應生成的 Ta 單質沉積到石墨基片上， 繼而在一定溫度下發(fā)生碳化反應。

易于焊接和釬焊，在大氣和淡水中具有良好的抗蝕性，高溫抗氧化性好，能很好地在冷態(tài)和熱態(tài)中承受壓力加工。

用途：

QCr0.6-0.4-0.05鉻青銅用于制作工作溫度350℃以下的電焊機電極、電機整流子片以及其他各種在高溫下工作的、要求有高的強、硬度、導電性和導性的零件，

還可以雙金屬的形式應用于剎車盤和圓盤。

TaC 的制備方法一般有三種， 即碳熱還原法、 C 與 Ta 直接反應、 Ta 的鹵化物與碳氫化合物的氣相反應形成 TaC [61,62] 。 碳熱還原法是將 Ta 2 O 5 與碳或者鉭醇鹽有機先驅體發(fā)生碳熱還原反應制備 TaC， 這種方法需要較高溫度才能生成 TaC， 大約為 1500 ℃以上， 并且反應速率較慢， 而且生成 TaC 過程中晶粒在高溫下容易粗大， 影響其性能 [63] 。CVD 法制備 TaC 涂層一般是在碳材料如石墨基片上， 采用的反應體系一般為 TaCl 5 ，C 3 H 6 ， H 2 和 Ar， 當上升到一定溫度后， 放置在氣化室的固態(tài) Ta 源即 TaCl 5 變?yōu)闅鈶B(tài)，被一定流量的 Ar 攜帶出氣化室， 氣態(tài) Ta 粒子與 H 2 混合發(fā)生還原反應生成的 Ta 單質沉積到石墨基片上， 繼而在一定溫度下發(fā)生碳化反應。

化學成分：

Cu：余量

Cr：0.4-0.8

Zr：0.3-0.6

Si：0.05

Fe：0.05

P：0.01

mg：0.04-0.08

雜質：0.5

而 CVD 過程中金剛石形核是由兩個階段構成， 第一階段是含碳基團運動至基體表面， 并向基體內部擴散的過程， 如形成碳化物層， 當 C 擴散達到飽和， 含碳基團不與基體發(fā)生反應時， 表面吸附的 C 濃度逐漸增大到一定程度， 就會發(fā)生金剛石形核。

采用 CVD 法在 Ta 涂層表面制備金剛石涂層時， 首先得到的為一層 TaC 層， A. Rubinshtein 及 A. Raveh 等人 [72,73] 采用射頻等離子體輔助化學氣相沉積
（RF-PACVD） 在 Ta 表面獲得了 TaC 涂層。 利用 CVD 過程金剛石形核的第一階段， 結合上述 DGPSA 在 C17200 鈹銅基材表面制備的為 Ta 涂層， 而 Ta 作為一種強碳化物形成元素， 若采用 CVD 法， 在 Ta 涂層表面首先得到的是一層 TaC 層， 這是毋庸置疑的。