書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：分子束外延在低溫清洗中的應(yīng)用

編號：JFKJ-21-276

作者：炬豐科技

摘要

? 本文研究了在分子束外延腔中對硅晶片進(jìn)行了低溫(470-650℃)生長,預(yù)退火后得到的Si表面的結(jié)構(gòu)性能。在HF和NH4F水溶液中對硅表面進(jìn)行了初步的化學(xué)處理。已經(jīng)證明光滑的表面是由寬闊的梯田構(gòu)成的,而在< 600℃溫度下獲得的清潔表面是粗糙的。研究發(fā)現(xiàn)，清潔表面的結(jié)構(gòu)性質(zhì)與氫熱脫附溫度和氫熱脫附溫度有很大的關(guān)系。

介紹 ?

? 降低工藝過程溫度是硅超大規(guī)模集成電路的重要要求之一 。目前，去除二氧化硅保護(hù)層是在濕化學(xué)蝕刻過程中形成，在溫度為800℃是硅生長前清洗的主要方法。

實驗技術(shù)與樣本 ??????略

STM和rheed的探索??

表面脫氫效應(yīng)

? 探索的Si(001)表面清潔的原子熱解吸，允許一個標(biāo)記兩個特征范圍的處理溫度在600℃以下和600℃以上，物理過程導(dǎo)致不同的表面結(jié)構(gòu)的形成。

樣品加熱過程中RHEED模式的動力學(xué)??