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ASE50N06在TO-252-2L封裝里的靜態(tài)漏極源導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為15mΩ，是一款N溝道低壓MOS管。ASE50N06的最大脈沖正向電流ISM為200A，零柵極電壓漏極電流(IDSS)為1uA，其工作時耐溫度范圍為-55~175攝氏度。ASE50N06功耗（PD）為85W。ASE50N06的電性參數(shù)是：正向電流(Io)為50A，漏極-源極擊穿電壓為60V，二極管正向電壓(VSD)為1.2V，其中有3條引線。

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ASE50N06參數(shù)描述

型號：ASE50N06

封裝：TO-252-2L

特性：N溝道低壓MOS管

電性參數(shù)：50A 60V

正向電流(Io)：50A

靜態(tài)漏極源導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：15mΩ

功耗（PD）：85W

二極管正向電壓(VSD)：1.2V

最大脈沖正向電流ISM：200A

零柵極電壓漏極電流(IDSS)：1uA

工作溫度：-55~+175℃

引線數(shù)量：3

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ASE50N06是TO-252封裝系列。它的本體長度為6.25mm，加引腳長度為10.35mm，寬度為6.75mm，高度為2.4mm，腳間距為2.34mm。

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以上就是關(guān)于ASE50N06-ASEMI低壓MOS管ASE50N06的詳細(xì)介紹。ASEMI產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：開關(guān)電源、LED照明、集成電路、移動通訊、計算機、工業(yè)自動化控制設(shè)備、汽車電子以及液晶電視、IoT、智能家居、醫(yī)療儀器、 電磁爐等大小家電。