我們之前講過如何通過VASP以及CASTEP計算得到差分電荷密度圖的結(jié)果，以及通過VESTA和CASTEP得到其二維切面圖。然而，不管是差分電荷密度的三維分布圖還是二維切面圖，都是從定性的角度來說明結(jié)構(gòu)中電荷的轉(zhuǎn)移情況。為了可以更簡潔明了地解釋結(jié)構(gòu)中電荷是如何轉(zhuǎn)移的，我們可以用平面平均的差分電荷密度圖從定量的角度來分析。

平面平均的差分電荷密度圖（Planar-Average Charge Density），通常是對XY平面內(nèi)的格點文件做平均，畫出差分電荷在Z軸方向的變化曲線（一般真空層方向是沿著Z軸方向）。

今天給大家講解，如何通過vaspkit繪制平面平均的差分電荷密度圖。以ZIS-S/g-C3N4異質(zhì)結(jié)為例：

步驟一：

通過VASP計算處理得到CHGDIFF.vasp文件，將此文件導(dǎo)入VESTA中可以看到其三維分布圖，如下圖所示：

步驟二

新建一個目錄，將上一步的CHGDIFF.vasp文件放入新的目錄下，并重新命名為CHGCAR；

步驟三

進入步驟二建立的目錄下，運行vaspkit-316；

輸入3，即可得到PLANAR_AVEAGE.dat文件：

步驟四

將PLANAR_AVEAGE.dat文件導(dǎo)入origin中作圖即可，和其三維圖分布完全一致；? ? ? ? ?

注意：PLANAR_AVEAGE.dat數(shù)據(jù)中，橫坐標是沿著Z軸方向的坐標。