編輯：ll

ASE60N10-ASEMI中低壓MOS管ASE60N10

型號：ASE60N10

品牌：ASEMI

封裝：TO-263

最大漏源電流：60A

漏源擊穿電壓：100V

RDS（ON）Max：17Ω

引腳數(shù)量：3

芯片個(gè)數(shù)：

溝道類型：N溝道MOS管、中低壓MOS管

漏電流：ua

特性：N溝道MOS管、場效應(yīng)管

工作溫度：-55℃~175℃

備受歡迎的ASE60N10 MOS管

??ASEMI品牌ASE60N10是采用工藝芯片，該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力，能夠持續(xù)保證了ASE60N10的最大漏源電流60A，漏源擊穿電壓100V.

?細(xì)節(jié)體現(xiàn)差距

ASE60N10,ASEMI品牌，工藝芯片，工藝制造，該產(chǎn)品穩(wěn)定性高，抗沖擊能力強(qiáng)。

ASE60N10具體參數(shù)為：最大漏源電流：60A，漏源擊穿電壓：100V，反向恢復(fù)時(shí)間： ns，封裝：TO-263