MA4E2532M-1113
MA4E2532M-1113
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醫(yī)學(xué)。Barrier Si Ring Quad
MA4E2532-1113 系列 SURMOUNTTM 中低勢壘硅肖特基環(huán)形四極二極管采用獲得專利的異石微波集成電路 (HMIC?) 工藝制造。HMIC? 電路由形成二極管的硅基座或嵌入玻璃電介質(zhì)中的導(dǎo)體構(gòu)成，玻璃電介質(zhì)充當(dāng)?shù)蜕?、低損耗的微帶傳輸介質(zhì)。硅和玻璃的結(jié)合使 HMIC? 器件在薄型、可靠的設(shè)備中具有出色的損耗和功耗特性。Surmount 肖特基器件是要求梁式引線器件的小寄生效應(yīng)與芯片的卓越機(jī)械性能相結(jié)合的電路的絕佳選擇。Surmount 結(jié)構(gòu)采用電阻非常低的硅通孔將肖特基觸點連接到芯片底面上的金屬化安裝墊。這些設(shè)備是可靠的、可重復(fù)的，并且是比傳統(tǒng)設(shè)備成本更低的解決方案。與傳統(tǒng)的梁式引線肖特基二極管相比，它們對靜電放電的敏感性更低。制造 Surmount 肖特基結(jié)時采用的多層金屬化包括鉑擴(kuò)散阻擋層，它允許所有器件在 300°C 下進(jìn)行 16 小時的非工作穩(wěn)定烘烤?！?505”輪廓允許表面貼裝放置和多功能極性方向。與傳統(tǒng)的梁式引線肖特基二極管相比，它們對靜電放電的敏感性更低。制造 Surmount 肖特基結(jié)時采用的多層金屬化包括鉑擴(kuò)散阻擋層，它允許所有器件在 300°C 下進(jìn)行 16 小時的非工作穩(wěn)定烘烤?！?505”輪廓允許表面貼裝放置和多功能極性方向。與傳統(tǒng)的梁式引線肖特基二極管相比，它們對靜電放電的敏感性更低。制造 Surmount 肖特基結(jié)時采用的多層金屬化包括鉑擴(kuò)散阻擋層，它允許所有器件在 300°C 下進(jìn)行 16 小時的非工作穩(wěn)定烘烤。“0505”輪廓允許表面貼裝放置和多功能極性方向。
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特征
極低的寄生電容和電感
降低對 ESD 損壞的敏感性
具有擴(kuò)散屏障的可靠多層金屬化，100% 穩(wěn)定烘烤（300°C，16 小時）
具有聚酰亞胺防刮擦保護(hù)的堅固 HMIC 結(jié)構(gòu)
可在微波電路中進(jìn)行表面貼裝，無需引線鍵合
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產(chǎn)品規(guī)格
零件號
MA4E2532M-1113
描述
醫(yī)學(xué)。Barrier Si Ring Quad
Vf(V)
0.4700
Vb
5.00
總電容(pF)
0.160
動態(tài)電阻（歐姆）
10.0
結(jié)電容(pF)
0.160
包裹類別
表面貼裝模具
包裹
ODS-1113
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前一個：?MA40215-120
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