Ga 2 O 3蝕刻劑

參考：（2 [sec.4.3.2]，8、98、99）。

Ga 2 O 3的厚度通常約為<50。

1：1-HCL：H 2 O-（10秒）

1:20-H 2 SO 4：H 2 O ---（30秒）

1 : 40-H 3 PO 4：H 2 O- -（20秒）

鹽酸：H 3 PO 4

參考：（4，9，10，99）。

反應(yīng)速率有限。

InP蝕刻速率為1：1?2.5 μm / min。

GaInP蝕刻速率為1：1?0.60 μm /分鐘。

H 3 PO 4：H 2 O 2：H 2 O

參考文獻(xiàn)：（13，98，99）。

反應(yīng)速率有限。

GaAs蝕刻速率為3：1：25?0.30 μm /分鐘。

InGaAs蝕刻速率為1：1：8?0.40 μm /分鐘。

InGaAs和InAlAs的蝕刻速率為1：1：38?0.10 μm / min。

H 2 SO 4：H 2 O 2：H 2 O

參考：（1、2、3、14）。

擴(kuò)散率限制在?33％H 2 SO 4以上。

反應(yīng)速率限制在?33％H 2 SO 4以下。

蝕刻速率與Ga和As含量成正比。

InGaAsP蝕刻速率為1：1：10?0.10 μm /分鐘。

C 6 H 8 O 7：H 2 O 2

安全

腐蝕劑的腐蝕性極強(qiáng)。

戴上護(hù)目鏡，面罩，丁腈手套，乙烯基實(shí)驗(yàn)室圍裙，無紡布鞋。

將酸加入稀釋劑中。

向弱酸中加入強(qiáng)酸。

最后添加氧化劑。