在做 X 射線光電子能譜(XPS)測(cè)試時(shí)，科學(xué)指南針檢測(cè)平臺(tái)工作人員在與很多同學(xué)溝通中了解到，好多同學(xué)僅僅是通過(guò)文獻(xiàn)或者師兄師姐的推薦對(duì)XPS有了解，但是對(duì)于其原理還屬于小白階段，針對(duì)此，科學(xué)指南針檢測(cè)平臺(tái)團(tuán)隊(duì)組織相關(guān)同事對(duì)網(wǎng)上海量知識(shí)進(jìn)行整理，這篇介紹的是xps光電子譜峰。希望可以幫助到科研圈的伙伴們；

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光電子譜峰

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由于X射線激發(fā)源的光子能量較高，可以同時(shí)激發(fā)出多個(gè)原子軌道的光電子，因此在XPS譜圖上會(huì)出現(xiàn)多組譜峰。由于大部分元素都可以激發(fā)出多組光電子峰，因此可以利用這些峰排除能量相近峰的干擾，非常有利于元素的定性標(biāo)定。

最強(qiáng)的光電子線是譜圖中強(qiáng)度最大、峰寬最小、對(duì)稱性最好的譜峰，稱為XPS的主譜線。每一種元素都有自己的具有表征作用的光電子線。它是元素定性分析的主要依據(jù)。

光電子峰的標(biāo)記:以光電子發(fā)射的元素和軌道來(lái)標(biāo)記，如C1s，Ag3d5/2等。

此外，由于相近原子序數(shù)的元素激發(fā)出的光電子的結(jié)合能有較大的差異，因此相鄰元素間的干擾作用很小。

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俄歇電子譜峰

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俄歇電子能譜（Auger electron spectroscopy，簡(jiǎn)稱AES），是一種表面科學(xué)和材料科學(xué)的分析技術(shù)。因此技術(shù)主要借由俄歇效應(yīng)進(jìn)行分析而命名之。這種效應(yīng)系產(chǎn)生于受激發(fā)的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開(kāi)原子，這一連串事件稱為俄歇效應(yīng)，而逃脫出來(lái)的電子稱為俄歇電子。1953年，俄歇電子能譜逐漸開(kāi)始被實(shí)際應(yīng)用于鑒定樣品表面的化學(xué)性質(zhì)及組成的分析。其特點(diǎn)在俄歇電子來(lái)自淺層表面，僅帶出表面的資訊，并且其能譜的能量位置固定，容易分析。

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由弛豫過(guò)程中(芯能級(jí)存在空穴后)原子的剩余能量產(chǎn)生。它總是伴隨著XPS，具有比光電發(fā)射峰更寬和更為復(fù)雜的結(jié)構(gòu)，其動(dòng)能與入射光子的能量hv無(wú)關(guān)。

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在XPS中，可以觀察到KLL, LMM, MNN和NOO四個(gè)系列的俄歇線。

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俄歇電子峰多以譜線群的形式出現(xiàn)。

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俄歇電子峰亦可用來(lái)進(jìn)行元素鑒別，并且可以聯(lián)合光電子峰的化學(xué)位移(俄歇參數(shù))對(duì)元素化學(xué)態(tài)進(jìn)行更準(zhǔn)確的鑒別。

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