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紀客老白【每日答疑】白紀龍老師每日8點起更新一題目,歡迎各位關注!

2020-07-12 09:32 作者:紀客老白  | 我要投稿


學生提問:智能穿戴,類似手環(huán)的產(chǎn)品,充電位置以及按鍵位置,靜電±4kv測試會打復位,除了加ESD還可以如何改善?另外,據(jù)我所知,有些ESD效果會比較好,請問有推薦的嗎?

白老師答:(1)ESD首先從本質上而言,其也是過壓或者電壓快速變化的一種情況,和我們的EFT,surge,DIP電壓跌落等類似,只不過其具體的能量表現(xiàn)形式不一樣,如下圖1:

圖1

(2)然后ESD也屬于我們EMS防護中其中的一項,所以這又涉及到了我們EMS防護電路的設計,其實ESD只是我們通訊接口會遭遇的一種情況而已,一般針對于通訊接口,電源接口,我們都是綜合考慮,我們要做好EMC輔助電路設計,主要是EMI濾波和EMS防護。

(3)EMI濾波主要是共模差模干擾信號的抑制。

(4)一般在EMS防護電路設計的時候我們首先遵循的原則是多級防護,逐級遞減的原則。

(5)然后基于上述的原則,然后合理的選擇諸如GDT, TVS, MOV, ESD器件進行合理的EMS防護電路設計在一定程度上能夠確保其整個EMS防護是合理,這也是我們ESD效果不佳改善的其中一個方法。

(6)防靜電效果不佳另外一個原因基本上選型不合理,針對于ESD最重要的參數(shù)主要是有兩個:一個是鉗位電壓的選取,很多時候其防靜電效果不佳其實是這個參數(shù)選取不合理;另外一個參數(shù)是其寄生電容值,如果電容值不合理,尤其是對一些高速信號線如USB或者一些高速I/O線的時候,其很容易將正常的信號濾除,正常信號沒辦法正常傳遞,如USB不能通訊了等等;有些時候我們USB不能通訊大家先不要慌,先看看我們的ESD器件其寄生電容為多少,如果比較大的話,如20pF就會使得其信號被濾除。

(7)一般通訊接口的地方我們需要做好EMI濾波和EMS防護,兩者結合起來其效果在更佳,下圖2是一個USB2.0的通訊接口的EMS防護和EMI濾波的一個設計,關于EMI濾波如何設計,EMS防護如何設計我在老白硬件系列課程P4做了非常詳細的講解和分析,大家感興趣可以參考!

圖2

A.我們首先觀察其EMI濾波,針對于EMI濾波,我們要進行差模濾波和共模濾波.不過首先針對于USB接口而言其干擾方式主要是共模噪聲信號。然后在USB接口處我們差模抑制主要是對電源線那端的差模干擾抑制,而電源端的差模抑制我們一般簡單的串聯(lián)一個磁珠就能夠解決大部分問題;然后針對共模抑制我們可以看到其首先是共模電容,然后是共模電感,所以從這個角度而言其為二階濾波,這是USB.接口的EMI 濾波.

B.另外我們還要關注其EMS防護具體是如何設計的:一般而言EMS防護也應該是針對于共模和差模進行設計但是我們看到這個USB進口設計EMS防護設計比較簡單,在電源線上加了一個MOV,在兩天數(shù)據(jù)線上只加了ESD抑制器件。一般情況下選型合理這樣的設計過靜電沒問題的

(8)ESD器件綜合性價比做的不錯的元器件廠商有:君耀電子,力特,周立功,金升陽(主要是模塊,周立功也是),還有如TI,ADI等大型半導體廠商等!


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